连续漏极电流
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    连续漏极电流: 10.5A
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    VISHAY Mosfet场效应管 SIHD12N50E-GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHD12N50E-GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIHD12N50E-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:114W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:50nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:886pF@100V

    连续漏极电流:10.5A

    类型:N-Channel

    导通电阻:380mΩ

    漏源电压:500V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:无货

    6月22日前
    - +
    起购:50
    加购:50
    onsemi Mosfet场效应管 FQP11N40C
    onsemi Mosfet场效应管 FQP11N40C

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FQP11N40C

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:135W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:35nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1090pF@25V

    连续漏极电流:10.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:530mΩ@5.25A,10V

    漏源电压:400V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:无货

    6月22日前
    - +
    起购:500
    INFINEON Mosfet场效应管 IPAW70R600CEXKSA1
    INFINEON Mosfet场效应管 IPAW70R600CEXKSA1

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"17+":3601,"19+":8100}

    包装规格(MPQ):450psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPAW70R600CEXKSA1

    工作温度:-40℃~150℃

    功率:86W

    阈值电压:3.5V@210µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:22nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:474pF@100V

    连续漏极电流:10.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:600mΩ@1A,10V

    漏源电压:700V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:无货

    6月22日前
    - +
    起购:534
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHD12N50E-GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHD12N50E-GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIHD12N50E-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:114W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:50nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:886pF@100V

    连续漏极电流:10.5A

    类型:N-Channel

    导通电阻:380mΩ

    漏源电压:500V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:无货

    6月22日前
    - +
    起购:3000
    加购:50
    ST Mosfet场效应管 STP12NK80Z 起订50个装
    ST Mosfet场效应管 STP12NK80Z 起订50个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):STP12NK80Z

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:190W

    阈值电压:4.5V@100µA

    栅极电荷:87nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:2620pF@25V

    连续漏极电流:10.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:750mΩ@5.25A,10V

    漏源电压:800V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:无货

    6月22日前
    - +
    起购:50
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHD12N50E-GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHD12N50E-GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIHD12N50E-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:114W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:50nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:886pF@100V

    连续漏极电流:10.5A

    类型:N-Channel

    导通电阻:380mΩ

    漏源电压:500V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:无货

    6月22日前
    - +
    起购:1000
    ST Mosfet场效应管 STW12NK80Z
    ST Mosfet场效应管 STW12NK80Z

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):STW12NK80Z

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:190W

    阈值电压:4.5V@100µA

    栅极电荷:87nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:2620pF@25V

    连续漏极电流:10.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:750mΩ@5.25A,10V

    漏源电压:800V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:无货

    6月22日前
    - +
    起购:120
    INFINEON Mosfet场效应管 IPAW70R600CEXKSA1
    INFINEON Mosfet场效应管 IPAW70R600CEXKSA1

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"17+":3601,"19+":8100}

    包装规格(MPQ):450psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPAW70R600CEXKSA1

    工作温度:-40℃~150℃

    功率:86W

    阈值电压:3.5V@210µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:22nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:474pF@100V

    连续漏极电流:10.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:600mΩ@1A,10V

    漏源电压:700V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:无货

    6月22日前
    - +
    起购:5000
    ST Mosfet场效应管 STP12NK80Z 起订10个装
    ST Mosfet场效应管 STP12NK80Z 起订10个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):STP12NK80Z

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:190W

    阈值电压:4.5V@100µA

    栅极电荷:87nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:2620pF@25V

    连续漏极电流:10.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:750mΩ@5.25A,10V

    漏源电压:800V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:无货

    6月22日前
    - +
    起购:10
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHP12N50E-GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHP12N50E-GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIHP12N50E-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:114W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:50nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:886pF@100V

    连续漏极电流:10.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:380mΩ@6A,10V

    漏源电压:500V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:无货

    6月22日前
    - +
    起购:100
    ST Mosfet场效应管 STW12NK80Z
    ST Mosfet场效应管 STW12NK80Z

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):STW12NK80Z

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:190W

    阈值电压:4.5V@100µA

    栅极电荷:87nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:2620pF@25V

    连续漏极电流:10.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:750mΩ@5.25A,10V

    漏源电压:800V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:无货

    7月6日前
    - +
    起购:100
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHD12N50E-GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHD12N50E-GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIHD12N50E-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:114W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:50nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:886pF@100V

    连续漏极电流:10.5A

    类型:N-Channel

    导通电阻:380mΩ

    漏源电压:500V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:无货

    7月6日前
    - +
    起购:100
    ST Mosfet场效应管 STW12NK80Z
    ST Mosfet场效应管 STW12NK80Z

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):STW12NK80Z

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:190W

    阈值电压:4.5V@100µA

    栅极电荷:87nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:2620pF@25V

    连续漏极电流:10.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:750mΩ@5.25A,10V

    漏源电压:800V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:无货

    7月6日前
    - +
    起购:30
    onsemi Mosfet场效应管 FQP11N40C
    onsemi Mosfet场效应管 FQP11N40C

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FQP11N40C

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:135W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:35nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1090pF@25V

    连续漏极电流:10.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:530mΩ@5.25A,10V

    漏源电压:400V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:无货

    7月6日前
    - +
    起购:347
    ST Mosfet场效应管 STW12NK80Z
    ST Mosfet场效应管 STW12NK80Z

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):STW12NK80Z

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:190W

    阈值电压:4.5V@100µA

    栅极电荷:87nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:2620pF@25V

    连续漏极电流:10.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:750mΩ@5.25A,10V

    漏源电压:800V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:无货

    6月22日前
    - +
    起购:10
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHP12N50E-GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHP12N50E-GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIHP12N50E-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:114W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:50nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:886pF@100V

    连续漏极电流:10.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:380mΩ@6A,10V

    漏源电压:500V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:无货

    6月8日前
    - +
    起购:1000
    onsemi Mosfet场效应管 FQP11N40C
    onsemi Mosfet场效应管 FQP11N40C

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FQP11N40C

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:135W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:35nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1090pF@25V

    连续漏极电流:10.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:530mΩ@5.25A,10V

    漏源电压:400V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:无货

    6月22日前
    - +
    ST Mosfet场效应管 STW12NK80Z 起订1个装
    ST Mosfet场效应管 STW12NK80Z 起订1个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):STW12NK80Z

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:190W

    阈值电压:4.5V@100µA

    栅极电荷:87nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:2620pF@25V

    连续漏极电流:10.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:750mΩ@5.25A,10V

    漏源电压:800V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:无货

    6月22日前
    - +
    ST Mosfet场效应管 STW12NK80Z
    ST Mosfet场效应管 STW12NK80Z

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):STW12NK80Z

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:190W

    阈值电压:4.5V@100µA

    栅极电荷:87nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:2620pF@25V

    连续漏极电流:10.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:750mΩ@5.25A,10V

    漏源电压:800V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:无货

    6月22日前
    - +
    起购:30
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHP12N50E-GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHP12N50E-GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIHP12N50E-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:114W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:50nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:886pF@100V

    连续漏极电流:10.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:380mΩ@6A,10V

    漏源电压:500V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:无货

    6月22日前
    - +
    起购:2
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHP12N50E-GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHP12N50E-GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIHP12N50E-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:114W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:50nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:886pF@100V

    连续漏极电流:10.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:380mΩ@6A,10V

    漏源电压:500V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:无货

    6月22日前
    - +
    起购:2
    onsemi Mosfet场效应管 FQA9P25
    onsemi Mosfet场效应管 FQA9P25

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FQA9P25

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:150W

    阈值电压:5V@250µA

    栅极电荷:38nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1180pF@25V

    连续漏极电流:10.5A

    类型:P沟道

    导通电阻:620mΩ@5.25A,10V

    漏源电压:250V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:无货

    6月22日前
    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FQP11N40C
    onsemi Mosfet场效应管 FQP11N40C

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FQP11N40C

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:135W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:35nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1090pF@25V

    连续漏极电流:10.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:530mΩ@5.25A,10V

    漏源电压:400V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:无货

    6月22日前
    - +
    起购:100
    INFINEON Mosfet场效应管 IPSA70R600CEAKMA1
    INFINEON Mosfet场效应管 IPSA70R600CEAKMA1

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"19+":3000,"20+":1500,"9999":1467}

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPSA70R600CEAKMA1

    工作温度:-40℃~150℃

    功率:86W

    阈值电压:3.5V@210µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:22nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:474pF@100V

    连续漏极电流:10.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:600mΩ@1A,10V

    漏源电压:700V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:无货

    6月22日前
    - +
    起购:878
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHP12N50E-GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHP12N50E-GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIHP12N50E-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:114W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:50nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:886pF@100V

    连续漏极电流:10.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:380mΩ@6A,10V

    漏源电压:500V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:无货

    6月22日前
    - +
    起购:500
    ST Mosfet场效应管 STP12NK80Z
    ST Mosfet场效应管 STP12NK80Z

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):STP12NK80Z

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:190W

    阈值电压:4.5V@100µA

    栅极电荷:87nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:2620pF@25V

    连续漏极电流:10.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:750mΩ@5.25A,10V

    漏源电压:800V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:无货

    6月22日前
    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FQP11N40C
    onsemi Mosfet场效应管 FQP11N40C

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FQP11N40C

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:135W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:35nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1090pF@25V

    连续漏极电流:10.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:530mΩ@5.25A,10V

    漏源电压:400V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:无货

    6月22日前
    - +
    起购:10
    onsemi Mosfet场效应管 FQP11N40C
    onsemi Mosfet场效应管 FQP11N40C

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"21+":3000,"22+":2620,"23+":1000}

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FQP11N40C

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:135W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:35nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1090pF@25V

    连续漏极电流:10.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:530mΩ@5.25A,10V

    漏源电压:400V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:无货

    6月22日前
    - +
    起购:500
    onsemi Mosfet场效应管 FQP11N40C
    onsemi Mosfet场效应管 FQP11N40C

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"21+":3000,"22+":2620,"23+":1000}

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FQP11N40C

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:135W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:35nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1090pF@25V

    连续漏极电流:10.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:530mΩ@5.25A,10V

    漏源电压:400V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:无货

    6月22日前
    - +
    起购:1000
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHP12N50E-GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHP12N50E-GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIHP12N50E-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:114W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:50nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:886pF@100V

    连续漏极电流:10.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:380mΩ@6A,10V

    漏源电压:500V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:无货

    6月22日前
    - +
    起购:100
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