销售单位：个
规格型号(MPN)：AO4486
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W
阈值电压：2.7V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：20nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：942pF@50V
连续漏极电流：4.2A
类型：N沟道
导通电阻：79mΩ@3A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SPD04P10PLG
功率：38W
阈值电压：2V@380μA
连续漏极电流：4.2A
类型：1个P沟道
导通电阻：850mΩ@10V，3A
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"23+"：5752}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF6665TRPBF
工作温度：-40℃~150℃
功率：2.2W€42W
阈值电压：5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：13nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：530pF@25V
连续漏极电流：4.2A
类型：N-Channel
导通电阻：62mΩ@5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"23+"：5752}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF6665TRPBF
工作温度：-40℃~150℃
功率：2.2W€42W
阈值电压：5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：13nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：530pF@25V
连续漏极电流：4.2A
类型：N-Channel
导通电阻：62mΩ@5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SPD04P10PLGBTMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：38W
阈值电压：2V@380µA
栅极电荷：16nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：372pF@25V
连续漏极电流：4.2A
类型：P沟道
导通电阻：850mΩ@3A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SPD04P10PLGBTMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：38W
阈值电压：2V@380µA
栅极电荷：16nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：372pF@25V
连续漏极电流：4.2A
类型：P沟道
导通电阻：850mΩ@3A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SPD04P10PLGBTMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：38W
阈值电压：2V@380µA
栅极电荷：16nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：372pF@25V
连续漏极电流：4.2A
类型：P沟道
导通电阻：850mΩ@3A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN10H099SFG-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：980mW
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：25.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1172pF@50V
连续漏极电流：4.2A
类型：N沟道
导通电阻：80mΩ@3.3A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN10H099SFG-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：980mW
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：25.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1172pF@50V
连续漏极电流：4.2A
类型：N沟道
导通电阻：80mΩ@3.3A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN10H099SFG-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：980mW
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：25.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1172pF@50V
连续漏极电流：4.2A
类型：N沟道
导通电阻：80mΩ@3.3A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
销售单位：个
规格型号(MPN)：AO4486
功率：3.1W
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：4.2A
类型：N-Channel
导通电阻：79mΩ@10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
销售单位：个
规格型号(MPN)：AO4486
功率：3.1W
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：4.2A
类型：N-Channel
导通电阻：79mΩ@10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
销售单位：个
规格型号(MPN)：AO4486
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W
阈值电压：2.7V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：20nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：942pF@50V
连续漏极电流：4.2A
类型：N沟道
导通电阻：79mΩ@3A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
销售单位：个
规格型号(MPN)：AO4486
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W
阈值电压：2.7V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：20nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：942pF@50V
连续漏极电流：4.2A
类型：N沟道
导通电阻：79mΩ@3A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN10H099SFG-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：980mW
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：25.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1172pF@50V
连续漏极电流：4.2A
类型：N沟道
导通电阻：80mΩ@3.3A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SPD04P10PLGBTMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：38W
阈值电压：2V@380µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：16nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：372pF@25V
连续漏极电流：4.2A
类型：P沟道
导通电阻：850mΩ@3A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：1590，"24+"：633870}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF6665TRPBF
工作温度：-40℃~150℃
功率：2.2W€42W
阈值电压：5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：13nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：530pF@25V
连续漏极电流：4.2A
类型：N-Channel
导通电阻：62mΩ@5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMN10A25KTC
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.11W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：17.16nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：859pF@50V
连续漏极电流：4.2A
类型：N沟道
导通电阻：125mΩ@2.9A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
销售单位：个
规格型号(MPN)：AO4486
功率：3.1W
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：4.2A
类型：N-Channel
导通电阻：79mΩ@10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
销售单位：个
规格型号(MPN)：AO4486
功率：3.1W
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：4.2A
类型：N-Channel
导通电阻：79mΩ@10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMN10A25KTC
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.11W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：17.16nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：859pF@50V
连续漏极电流：4.2A
类型：N沟道
导通电阻：125mΩ@2.9A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SPD04P10PLGBTMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：38W
阈值电压：2V@380µA
栅极电荷：16nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：372pF@25V
连续漏极电流：4.2A
类型：P沟道
导通电阻：850mΩ@3A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：1590，"24+"：633870}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF6665TRPBF
工作温度：-40℃~150℃
功率：2.2W€42W
阈值电压：5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：13nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：530pF@25V
连续漏极电流：4.2A
类型：N-Channel
导通电阻：62mΩ@5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN10H099SFG-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：980mW
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：25.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1172pF@50V
连续漏极电流：4.2A
类型：N沟道
导通电阻：80mΩ@3.3A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN10H099SFG-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：980mW
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：25.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1172pF@50V
连续漏极电流：4.2A
类型：N沟道
导通电阻：80mΩ@3.3A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SPD04P10PLGBTMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：38W
阈值电压：2V@380µA
栅极电荷：16nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：372pF@25V
连续漏极电流：4.2A
类型：P沟道
导通电阻：850mΩ@3A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SPD04P10PLGBTMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：38W
阈值电压：2V@380µA
栅极电荷：16nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：372pF@25V
连续漏极电流：4.2A
类型：P沟道
导通电阻：850mΩ@3A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMN10A25KTC
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.11W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：17.16nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：859pF@50V
连续漏极电流：4.2A
类型：N沟道
导通电阻：125mΩ@2.9A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMN10A25KTC
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.11W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：17.16nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：859pF@50V
连续漏极电流：4.2A
类型：N沟道
导通电阻：125mΩ@2.9A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
销售单位：个
规格型号(MPN)：AO4486
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W
阈值电压：2.7V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：20nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：942pF@50V
连续漏极电流：4.2A
类型：N沟道
导通电阻：79mΩ@3A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
