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    onsemi Mosfet场效应管 FDB86566-F085
    onsemi Mosfet场效应管 FDB86566-F085

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDB86566-F085

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:176W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:110nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:6655pF@30V

    连续漏极电流:110A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.7mΩ@80A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:无货

    7月18日前
    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDB86566-F085
    onsemi Mosfet场效应管 FDB86566-F085

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDB86566-F085

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:176W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:110nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:6655pF@30V

    连续漏极电流:110A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.7mΩ@80A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:无货

    7月18日前
    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 AUIRFP064N 起订151个装
    INFINEON Mosfet场效应管 AUIRFP064N 起订151个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"00+":1425,"18+":364,"95+":700}

    包装规格(MPQ):400psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):AUIRFP064N

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:200W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:170nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:4000pF@25V

    连续漏极电流:110A

    类型:N沟道

    导通电阻:8mΩ@59A,10V

    漏源电压:55V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:无货

    7月18日前
    - +
    起购:151
    ST Mosfet场效应管 STP110N10F7
    ST Mosfet场效应管 STP110N10F7

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):STP110N10F7

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:150W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:60nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:5500pF@50V

    连续漏极电流:110A

    类型:N沟道

    导通电阻:7mΩ@55A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:无货

    7月18日前
    - +
    起购:2
    onsemi Mosfet场效应管 FDB86563-F085
    onsemi Mosfet场效应管 FDB86563-F085

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDB86563-F085

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:333W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:163nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:10100pF@30V

    连续漏极电流:110A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.8mΩ@80A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:无货

    7月18日前
    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SUM110N10-09-E3
    VISHAY Mosfet场效应管 SUM110N10-09-E3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):SUM110N10-09-E3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.75W€375W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:160nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:6700pF@25V

    连续漏极电流:110A

    类型:N-Channel

    导通电阻:9.5mΩ@30A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:无货

    7月18日前
    - +
    RENESAS Mosfet场效应管 NP109N04PUK-E1-AY
    RENESAS Mosfet场效应管 NP109N04PUK-E1-AY

    品牌:RENESAS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):NP109N04PUK-E1-AY

    工作温度:175℃

    功率:1.8W€250W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:189nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:10800pF@25V

    连续漏极电流:110A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.75mΩ@55A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:无货

    7月18日前
    - +
    IXYS Mosfet场效应管 IXTP110N055T2
    IXYS Mosfet场效应管 IXTP110N055T2

    品牌:IXYS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IXTP110N055T2

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:180W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:57nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:3060pF@25V

    连续漏极电流:110A

    类型:N沟道

    导通电阻:6.6mΩ@25A,10V

    漏源电压:55V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:无货

    7月18日前
    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDB86563-F085
    onsemi Mosfet场效应管 FDB86563-F085

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDB86563-F085

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:333W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:163nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:10100pF@30V

    连续漏极电流:110A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.8mΩ@80A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:无货

    7月18日前
    - +
    起购:800
    onsemi Mosfet场效应管 NTBS2D7N06M7
    onsemi Mosfet场效应管 NTBS2D7N06M7

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTBS2D7N06M7

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:176W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:110nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:6655pF@30V

    连续漏极电流:110A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.7mΩ@80A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:无货

    7月18日前
    - +
    ST Mosfet场效应管 STP110N10F7
    ST Mosfet场效应管 STP110N10F7

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):STP110N10F7

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:150W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:60nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:5500pF@50V

    连续漏极电流:110A

    类型:N沟道

    导通电阻:7mΩ@55A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:无货

    7月18日前
    - +
    ST Mosfet场效应管 STP110N7F6
    ST Mosfet场效应管 STP110N7F6

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):STP110N7F6

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:176W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:100nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:5850pF@25V

    连续漏极电流:110A

    类型:N沟道

    导通电阻:6.5mΩ@55A,10V

    漏源电压:68V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:无货

    7月18日前
    - +
    起购:5
    VISHAY Mosfet场效应管 SUM110N10-09-E3
    VISHAY Mosfet场效应管 SUM110N10-09-E3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):SUM110N10-09-E3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.75W€375W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:160nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:6700pF@25V

    连续漏极电流:110A

    类型:N-Channel

    导通电阻:9.5mΩ@30A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:无货

    7月18日前
    - +
    起购:800
    加购:800
    INFINEON Mosfet场效应管 IRF3205STRLPBF
    INFINEON Mosfet场效应管 IRF3205STRLPBF

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{}

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRF3205STRLPBF

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:200W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:146nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3247pF@25V

    连续漏极电流:110A

    类型:N-Channel

    导通电阻:8mΩ@62A,10V

    漏源电压:55V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:无货

    7月18日前
    - +
    起购:189
    VISHAY Mosfet场效应管 SUM110N10-09-E3
    VISHAY Mosfet场效应管 SUM110N10-09-E3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):SUM110N10-09-E3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.75W€375W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:160nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:6700pF@25V

    连续漏极电流:110A

    类型:N-Channel

    导通电阻:9.5mΩ@30A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:无货

    7月18日前
    - +
    起购:800
    加购:800
    INFINEON Mosfet场效应管 IRFP064NPBF
    INFINEON Mosfet场效应管 IRFP064NPBF

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):25psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRFP064NPBF

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:200W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:170nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:4000pF@25V

    连续漏极电流:110A

    类型:N-Channel

    导通电阻:8mΩ@59A,10V

    漏源电压:55V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:无货

    7月18日前
    - +
    起购:5
    ST Mosfet场效应管 STP120NF10
    ST Mosfet场效应管 STP120NF10

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):STP120NF10

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:312W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:233nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:5200pF@25V

    连续漏极电流:110A

    类型:N沟道

    导通电阻:10.5mΩ@60A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:无货

    7月18日前
    - +
    ST Mosfet场效应管 STP110N7F6
    ST Mosfet场效应管 STP110N7F6

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):STP110N7F6

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:176W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:100nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:5850pF@25V

    连续漏极电流:110A

    类型:N沟道

    导通电阻:6.5mΩ@55A,10V

    漏源电压:68V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:无货

    7月18日前
    - +
    起购:9
    ST Mosfet场效应管 STW120NF10
    ST Mosfet场效应管 STW120NF10

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):STW120NF10

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:312W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:233nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:5200pF@25V

    连续漏极电流:110A

    类型:N沟道

    导通电阻:10.5mΩ@60A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:无货

    7月18日前
    - +
    起购:600
    INFINEON Mosfet场效应管 IRF3205PBF
    INFINEON Mosfet场效应管 IRF3205PBF

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRF3205PBF

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:200W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:146nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:3247pF@25V

    连续漏极电流:110A

    类型:N-Channel

    导通电阻:8mΩ@62A,10V

    漏源电压:55V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:无货

    7月18日前
    - +
    起购:7
    INFINEON Mosfet场效应管 IRF3205PBF 起订10个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IRF3205PBF 起订10个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRF3205PBF

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:200W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:146nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:3247pF@25V

    连续漏极电流:110A

    类型:N沟道

    导通电阻:8mΩ@62A,10V

    漏源电压:55V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:无货

    7月18日前
    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTBS2D7N06M7
    onsemi Mosfet场效应管 NTBS2D7N06M7

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTBS2D7N06M7

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:176W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:110nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:6655pF@30V

    连续漏极电流:110A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.7mΩ@80A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:无货

    7月18日前
    - +
    起购:10
    onsemi Mosfet场效应管 NTBS2D7N06M7
    onsemi Mosfet场效应管 NTBS2D7N06M7

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTBS2D7N06M7

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:176W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:110nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:6655pF@30V

    连续漏极电流:110A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.7mΩ@80A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:无货

    7月18日前
    - +
    起购:100
    ST Mosfet场效应管 STP110N7F6
    ST Mosfet场效应管 STP110N7F6

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):STP110N7F6

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:176W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:100nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:5850pF@25V

    连续漏极电流:110A

    类型:N沟道

    导通电阻:6.5mΩ@55A,10V

    漏源电压:68V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:无货

    7月18日前
    - +
    起购:5
    INFINEON Mosfet场效应管 IRF3205STRLPBF
    INFINEON Mosfet场效应管 IRF3205STRLPBF

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRF3205STRLPBF

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:200W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:146nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3247pF@25V

    连续漏极电流:110A

    类型:N-Channel

    导通电阻:8mΩ@62A,10V

    漏源电压:55V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:无货

    7月18日前
    - +
    起购:2400
    加购:800
    INFINEON Mosfet场效应管 IRF3205ZSTRLPBF
    INFINEON Mosfet场效应管 IRF3205ZSTRLPBF

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRF3205ZSTRLPBF

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:170W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:110nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3450pF@25V

    连续漏极电流:110A

    类型:N-Channel

    导通电阻:6.5mΩ@66A,10V

    漏源电压:55V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:无货

    7月18日前
    - +
    起购:100
    ST Mosfet场效应管 STP120NF10
    ST Mosfet场效应管 STP120NF10

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):STP120NF10

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:312W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:233nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:5200pF@25V

    连续漏极电流:110A

    类型:N沟道

    导通电阻:10.5mΩ@60A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:无货

    7月18日前
    - +
    起购:3
    RENESAS Mosfet场效应管 NP109N04PUK-E1-AY
    RENESAS Mosfet场效应管 NP109N04PUK-E1-AY

    品牌:RENESAS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):NP109N04PUK-E1-AY

    工作温度:175℃

    功率:1.8W€250W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:189nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:10800pF@25V

    连续漏极电流:110A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.75mΩ@55A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:无货

    7月18日前
    - +
    起购:100
    onsemi Mosfet场效应管 FDB9403-F085
    onsemi Mosfet场效应管 FDB9403-F085

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDB9403-F085

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:333W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:213nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:12700pF@25V

    连续漏极电流:110A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.2mΩ@80A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:无货

    7月18日前
    - +
    起购:10
    INFINEON Mosfet场效应管 IRF3205ZPBF
    INFINEON Mosfet场效应管 IRF3205ZPBF

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRF3205ZPBF

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:170W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:110nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:3450pF@25V

    连续漏极电流:110A

    类型:N-Channel

    导通电阻:6.5mΩ@66A,10V

    漏源电压:55V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:无货

    7月18日前
    - +
    起购:50
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