品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：GT040N04T
阈值电压：2.5V
连续漏极电流：110A
类型：1个N沟道
导通电阻：2.5mΩ@10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：GT040N04T
连续漏极电流：110A
阈值电压：2.5V
类型：1个N沟道
漏源电压：40V
导通电阻：2.5mΩ@10V
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：3000psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQS142ELNW-T1_GE3
工作温度：-55℃~+175℃
功率：113W
阈值电压：3.3V
栅极电荷：23nC
包装方式：Reel
连续漏极电流：110A
类型：MOSFET
导通电阻：4.5mΩ
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NP109N04PUK-E1-AY
工作温度：175℃
功率：1.8W€250W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：189nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：10800pF@25V
连续漏极电流：110A
类型：N沟道
导通电阻：1.75mΩ@55A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：3000psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQS142ELNW-T1_GE3
工作温度：-55℃~+175℃
功率：113W
阈值电压：3.3V
栅极电荷：23nC
包装方式：Reel
连续漏极电流：110A
类型：MOSFET
导通电阻：4.5mΩ
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NP109N04PUK-E1-AY
工作温度：175℃
功率：1.8W€250W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：189nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：10800pF@25V
连续漏极电流：110A
类型：N沟道
导通电阻：1.75mΩ@55A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDB9403-F085
工作温度：-55℃~175℃
功率：333W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：213nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：12700pF@25V
连续漏极电流：110A
类型：N沟道
导通电阻：1.2mΩ@80A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMNH4006SPSQ-13
工作温度：-55℃~175℃
功率：1.6W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：50.9nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2280pF@25V
连续漏极电流：110A
类型：N沟道
导通电阻：7mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"17+"：648，"18+"：3152，"22+"：36800，"MI+"：1600}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDB9406-F085
工作温度：-55℃~175℃
功率：176W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：138nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7710pF@25V
连续漏极电流：110A
类型：N沟道
导通电阻：1.8mΩ@80A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"17+"：648，"18+"：3152，"22+"：36800，"MI+"：1600}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDB9406-F085
工作温度：-55℃~175℃
功率：176W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：138nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7710pF@25V
连续漏极电流：110A
类型：N沟道
导通电阻：1.8mΩ@80A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SUM110P04-04L-E3
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.75W€375W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：350nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：11200pF@25V
连续漏极电流：110A
类型：P沟道
导通电阻：4.2mΩ@30A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDB9406-F085
工作温度：-55℃~175℃
功率：176W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：138nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7710pF@25V
连续漏极电流：110A
类型：N沟道
导通电阻：1.8mΩ@80A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMNH4006SPSQ-13
工作温度：-55℃~175℃
功率：1.6W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：50.9nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2280pF@25V
连续漏极电流：110A
类型：N沟道
导通电阻：7mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SUM110P04-04L-E3
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.75W€375W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：350nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：11200pF@25V
连续漏极电流：110A
类型：P沟道
导通电阻：4.2mΩ@30A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：3000psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQS142ELNW-T1_GE3
工作温度：-55℃~+175℃
功率：113W
阈值电压：3.3V
栅极电荷：23nC
包装方式：Reel
连续漏极电流：110A
类型：MOSFET
导通电阻：4.5mΩ
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMNH4006SPSQ-13
工作温度：-55℃~175℃
功率：1.6W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：50.9nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2280pF@25V
连续漏极电流：110A
类型：N沟道
导通电阻：7mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMNH4006SPSQ-13
工作温度：-55℃~175℃
功率：1.6W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：50.9nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2280pF@25V
连续漏极电流：110A
类型：N沟道
导通电阻：7mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SUM110P04-04L-E3
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.75W€375W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：350nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：11200pF@25V
连续漏极电流：110A
类型：P沟道
导通电阻：4.2mΩ@30A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SUM110P04-04L-E3
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.75W€375W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：350nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：11200pF@25V
连续漏极电流：110A
类型：P沟道
导通电阻：4.2mΩ@30A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDB9406-F085
工作温度：-55℃~175℃
功率：176W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：138nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7710pF@25V
连续漏极电流：110A
类型：N沟道
导通电阻：1.8mΩ@80A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDB9503L-F085
工作温度：-55℃~175℃
功率：333W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：255nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：8320pF@20V
连续漏极电流：110A
类型：P沟道
导通电阻：2.6mΩ@80A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDB9503L-F085
工作温度：-55℃~175℃
功率：333W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：255nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：8320pF@20V
连续漏极电流：110A
类型：P沟道
导通电阻：2.6mΩ@80A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDB9503L-F085
工作温度：-55℃~175℃
功率：333W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：255nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：8320pF@20V
连续漏极电流：110A
类型：P沟道
导通电阻：2.6mΩ@80A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDB9503L-F085
工作温度：-55℃~175℃
功率：333W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：255nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：8320pF@20V
连续漏极电流：110A
类型：P沟道
导通电阻：2.6mΩ@80A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SUM110P04-05-E3
工作温度：-55℃~175℃
功率：15W€375W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：280nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：11300pF@25V
连续漏极电流：110A
类型：P沟道
导通电阻：5mΩ@20A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：202psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD5C446NT4G
工作温度：-55℃~175℃
功率：66W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：34.3nC@10V
包装方式：散装
输入电容：2300pF@20V
连续漏极电流：110A
类型：N沟道
导通电阻：3.5mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDB9403-F085
工作温度：-55℃~175℃
功率：333W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：213nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：12700pF@25V
连续漏极电流：110A
类型：N沟道
导通电阻：1.2mΩ@80A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NP109N04PUK-E1-AY
工作温度：175℃
功率：1.8W€250W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：189nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：10800pF@25V
连续漏极电流：110A
类型：N沟道
导通电阻：1.75mΩ@55A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SUM110P04-05-E3
工作温度：-55℃~175℃
功率：15W€375W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：280nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：11300pF@25V
连续漏极电流：110A
类型：P沟道
导通电阻：5mΩ@20A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDB9406-F085
工作温度：-55℃~175℃
功率：176W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：138nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7710pF@25V
连续漏极电流：110A
类型：N沟道
导通电阻：1.8mΩ@80A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
