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    ST Mosfet场效应管 STP150N10F7AG
    ST Mosfet场效应管 STP150N10F7AG

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):STP150N10F7AG

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:250W

    阈值电压:4.5V@250µA

    栅极电荷:127nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:9000pF@50V

    连续漏极电流:110A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.2mΩ@55A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:无货

    7月7日前
    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDB86566-F085
    onsemi Mosfet场效应管 FDB86566-F085

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDB86566-F085

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:176W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:110nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:6655pF@30V

    连续漏极电流:110A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.7mΩ@80A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:无货

    7月7日前
    - +
    IXYS Mosfet场效应管 IXFN140N30P
    IXYS Mosfet场效应管 IXFN140N30P

    品牌:IXYS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):10psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IXFN140N30P

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:700W

    阈值电压:5V@8mA

    栅极电荷:185nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:14800pF@25V

    连续漏极电流:110A

    类型:N沟道

    导通电阻:24mΩ@70A,10V

    漏源电压:300V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:无货

    7月7日前
    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDB86566-F085
    onsemi Mosfet场效应管 FDB86566-F085

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDB86566-F085

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:176W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:110nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:6655pF@30V

    连续漏极电流:110A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.7mΩ@80A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:无货

    7月7日前
    - +
    ST Mosfet场效应管 STP150N10F7
    ST Mosfet场效应管 STP150N10F7

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):STP150N10F7

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:250W

    阈值电压:4.5V@250µA

    栅极电荷:117nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:8115pF@50V

    连续漏极电流:110A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.2mΩ@55A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:无货

    7月7日前
    - +
    IXYS Mosfet场效应管 IXFP110N15T2
    IXYS Mosfet场效应管 IXFP110N15T2

    品牌:IXYS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IXFP110N15T2

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:480W

    阈值电压:4.5V@250µA

    栅极电荷:150nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:8600pF@25V

    连续漏极电流:110A

    类型:N沟道

    导通电阻:13mΩ@55A,10V

    漏源电压:150V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:无货

    7月7日前
    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 AUIRFP064N 起订151个装
    INFINEON Mosfet场效应管 AUIRFP064N 起订151个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"00+":1425,"18+":364,"95+":700}

    包装规格(MPQ):400psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):AUIRFP064N

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:200W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:170nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:4000pF@25V

    连续漏极电流:110A

    类型:N沟道

    导通电阻:8mΩ@59A,10V

    漏源电压:55V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:无货

    7月7日前
    - +
    起购:151
    ST Mosfet场效应管 STP110N10F7
    ST Mosfet场效应管 STP110N10F7

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):STP110N10F7

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:150W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:60nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:5500pF@50V

    连续漏极电流:110A

    类型:N沟道

    导通电阻:7mΩ@55A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:无货

    7月7日前
    - +
    起购:2
    IXYS Mosfet场效应管 IXFN140N30P
    IXYS Mosfet场效应管 IXFN140N30P

    品牌:IXYS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):10psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IXFN140N30P

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:700W

    阈值电压:5V@8mA

    栅极电荷:185nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:14800pF@25V

    连续漏极电流:110A

    类型:N沟道

    导通电阻:24mΩ@70A,10V

    漏源电压:300V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:无货

    7月7日前
    - +
    IXYS Mosfet场效应管 IXTH110N25T
    IXYS Mosfet场效应管 IXTH110N25T

    品牌:IXYS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IXTH110N25T

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:694W

    阈值电压:4.5V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:157nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:9400pF@25V

    连续漏极电流:110A

    类型:N沟道

    导通电阻:24mΩ@55A,10V

    漏源电压:250V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:无货

    7月7日前
    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDB86563-F085
    onsemi Mosfet场效应管 FDB86563-F085

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDB86563-F085

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:333W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:163nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:10100pF@30V

    连续漏极电流:110A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.8mΩ@80A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:无货

    7月7日前
    - +
    IXYS Mosfet场效应管 IXFN140N30P 起订10个装
    IXYS Mosfet场效应管 IXFN140N30P 起订10个装

    品牌:IXYS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):10psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IXFN140N30P

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:700W

    阈值电压:5V@8mA

    栅极电荷:185nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:14800pF@25V

    连续漏极电流:110A

    类型:N沟道

    导通电阻:24mΩ@70A,10V

    漏源电压:300V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:无货

    7月7日前
    - +
    起购:10
    RENESAS Mosfet场效应管 NP109N04PUK-E1-AY
    RENESAS Mosfet场效应管 NP109N04PUK-E1-AY

    品牌:RENESAS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):NP109N04PUK-E1-AY

    工作温度:175℃

    功率:1.8W€250W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:189nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:10800pF@25V

    连续漏极电流:110A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.75mΩ@55A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:无货

    7月7日前
    - +
    IXYS Mosfet场效应管 IXTP110N055T2
    IXYS Mosfet场效应管 IXTP110N055T2

    品牌:IXYS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IXTP110N055T2

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:180W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:57nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:3060pF@25V

    连续漏极电流:110A

    类型:N沟道

    导通电阻:6.6mΩ@25A,10V

    漏源电压:55V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:无货

    7月7日前
    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDB86563-F085
    onsemi Mosfet场效应管 FDB86563-F085

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDB86563-F085

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:333W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:163nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:10100pF@30V

    连续漏极电流:110A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.8mΩ@80A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:无货

    7月7日前
    - +
    起购:800
    IXYS Mosfet场效应管 IXTT110N10L2
    IXYS Mosfet场效应管 IXTT110N10L2

    品牌:IXYS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IXTT110N10L2

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:600W

    阈值电压:4.5V@250µA

    栅极电荷:260nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:10500pF@25V

    连续漏极电流:110A

    类型:N沟道

    导通电阻:18mΩ@55A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:无货

    7月7日前
    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTBS2D7N06M7
    onsemi Mosfet场效应管 NTBS2D7N06M7

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTBS2D7N06M7

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:176W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:110nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:6655pF@30V

    连续漏极电流:110A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.7mΩ@80A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:无货

    7月7日前
    - +
    ST Mosfet场效应管 STP80N6F6 起订5个装
    ST Mosfet场效应管 STP80N6F6 起订5个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):STP80N6F6

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:120W

    阈值电压:4.5V@250µA

    栅极电荷:122nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:7480pF@25V

    连续漏极电流:110A

    类型:N沟道

    导通电阻:5.8mΩ@50A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:无货

    7月7日前
    - +
    ST Mosfet场效应管 STP110N10F7
    ST Mosfet场效应管 STP110N10F7

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):STP110N10F7

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:150W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:60nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:5500pF@50V

    连续漏极电流:110A

    类型:N沟道

    导通电阻:7mΩ@55A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:无货

    7月7日前
    - +
    IXYS Mosfet场效应管 IXTT110N10L2
    IXYS Mosfet场效应管 IXTT110N10L2

    品牌:IXYS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IXTT110N10L2

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:600W

    阈值电压:4.5V@250µA

    栅极电荷:260nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:10500pF@25V

    连续漏极电流:110A

    类型:N沟道

    导通电阻:18mΩ@55A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:无货

    7月7日前
    - +
    起购:2
    加购:2
    ST Mosfet场效应管 STP110N7F6
    ST Mosfet场效应管 STP110N7F6

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):STP110N7F6

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:176W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:100nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:5850pF@25V

    连续漏极电流:110A

    类型:N沟道

    导通电阻:6.5mΩ@55A,10V

    漏源电压:68V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:无货

    7月7日前
    - +
    起购:5
    IXYS Mosfet场效应管 IXFA110N15T2
    IXYS Mosfet场效应管 IXFA110N15T2

    品牌:IXYS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IXFA110N15T2

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:480W

    阈值电压:4.5V@250µA

    栅极电荷:150nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:8600pF@25V

    连续漏极电流:110A

    类型:N沟道

    导通电阻:13mΩ@55A,10V

    漏源电压:150V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:无货

    7月7日前
    - +
    ST Mosfet场效应管 STP150N10F7
    ST Mosfet场效应管 STP150N10F7

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):STP150N10F7

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:250W

    阈值电压:4.5V@250µA

    栅极电荷:117nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:8115pF@50V

    连续漏极电流:110A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.2mΩ@55A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:无货

    7月7日前
    - +
    起购:3
    ST Mosfet场效应管 STP120NF10
    ST Mosfet场效应管 STP120NF10

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):STP120NF10

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:312W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:233nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:5200pF@25V

    连续漏极电流:110A

    类型:N沟道

    导通电阻:10.5mΩ@60A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:无货

    7月7日前
    - +
    ST Mosfet场效应管 STP150N10F7
    ST Mosfet场效应管 STP150N10F7

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):STP150N10F7

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:250W

    阈值电压:4.5V@250µA

    栅极电荷:117nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:8115pF@50V

    连续漏极电流:110A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.2mΩ@55A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:无货

    7月7日前
    - +
    起购:200
    加购:50
    ST Mosfet场效应管 STP110N7F6
    ST Mosfet场效应管 STP110N7F6

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):STP110N7F6

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:176W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:100nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:5850pF@25V

    连续漏极电流:110A

    类型:N沟道

    导通电阻:6.5mΩ@55A,10V

    漏源电压:68V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:无货

    7月7日前
    - +
    起购:9
    ST Mosfet场效应管 STP80N6F6
    ST Mosfet场效应管 STP80N6F6

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):STP80N6F6

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:120W

    阈值电压:4.5V@250µA

    栅极电荷:122nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:7480pF@25V

    连续漏极电流:110A

    类型:N沟道

    导通电阻:5.8mΩ@50A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:无货

    7月7日前
    - +
    ST Mosfet场效应管 STW120NF10
    ST Mosfet场效应管 STW120NF10

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):STW120NF10

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:312W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:233nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:5200pF@25V

    连续漏极电流:110A

    类型:N沟道

    导通电阻:10.5mΩ@60A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:无货

    7月7日前
    - +
    起购:600
    ST Mosfet场效应管 STP150N10F7
    ST Mosfet场效应管 STP150N10F7

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):STP150N10F7

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:250W

    阈值电压:4.5V@250µA

    栅极电荷:117nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:8115pF@50V

    连续漏极电流:110A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.2mΩ@55A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:无货

    7月7日前
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    起购:3
    TOSHIBA Mosfet场效应管 XPH2R106NC,L1XHQ
    TOSHIBA Mosfet场效应管 XPH2R106NC,L1XHQ

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):XPH2R106NC,L1XHQ

    工作温度:175℃

    功率:960mW€170W

    阈值电压:2.5V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:104nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:6900pF@10V

    连续漏极电流:110A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.1mΩ@55A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:无货

    7月7日前
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    起购:1000
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