品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BUK9Y8R8-60ELX
工作温度：-55℃~+175℃
功率：194W
阈值电压：2.1V@1mA
栅极电荷：123nC@10V
输入电容：6.695nF@25V
连续漏极电流：110A
类型：1个N沟道
导通电阻：5.6mΩ@25A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：MINOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFB4310
工作温度：-55℃~+175℃
功率：230W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：160nC@10V
输入电容：8.05nF@25V
连续漏极电流：110A
类型：1个N沟道
反向传输电容：420pF@25V
导通电阻：8mΩ@10V，55A
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：3000psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQS142ELNW-T1_GE3
工作温度：-55℃~+175℃
功率：113W
阈值电压：3.3V
栅极电荷：23nC
包装方式：Reel
连续漏极电流：110A
类型：MOSFET
导通电阻：4.5mΩ
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：3000psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQS142ELNW-T1_GE3
工作温度：-55℃~+175℃
功率：113W
阈值电压：3.3V
栅极电荷：23nC
包装方式：Reel
连续漏极电流：110A
类型：MOSFET
导通电阻：4.5mΩ
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
销售单位：个
工作温度：-55℃~+175℃
功率：200W
阈值电压：4.5V@250μA
栅极电荷：150nC@10V
输入电容：9.13nF@40V
连续漏极电流：110A
类型：1个N沟道
导通电阻：6.5mΩ@10V，55A
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BUK9Y8R8-60ELX
工作温度：-55℃~+175℃
功率：194W
阈值电压：2.1V@1mA
栅极电荷：123nC@10V
输入电容：6.695nF@25V
连续漏极电流：110A
类型：1个N沟道
导通电阻：5.6mΩ@25A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：3000psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQS142ELNW-T1_GE3
工作温度：-55℃~+175℃
功率：113W
阈值电压：3.3V
栅极电荷：23nC
包装方式：Reel
连续漏极电流：110A
类型：MOSFET
导通电阻：4.5mΩ
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BUK9Y8R8-60ELX
工作温度：-55℃~+175℃
功率：194W
阈值电压：2.1V@1mA
栅极电荷：123nC@10V
输入电容：6.695nF@25V
连续漏极电流：110A
类型：1个N沟道
导通电阻：5.6mΩ@25A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BUK9Y8R8-60ELX
工作温度：-55℃~+175℃
功率：194W
阈值电压：2.1V@1mA
栅极电荷：123nC@10V
输入电容：6.695nF@25V
连续漏极电流：110A
类型：1个N沟道
导通电阻：5.6mΩ@25A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：3000psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQS142ELNW-T1_GE3
工作温度：-55℃~+175℃
功率：113W
阈值电压：3.3V
栅极电荷：23nC
包装方式：Reel
连续漏极电流：110A
类型：MOSFET
导通电阻：4.5mΩ
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：3000psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQS142ELNW-T1_GE3
工作温度：-55℃~+175℃
功率：113W
阈值电压：3.3V
栅极电荷：23nC
包装方式：Reel
连续漏极电流：110A
类型：MOSFET
导通电阻：4.5mΩ
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：3000psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQS142ELNW-T1_GE3
工作温度：-55℃~+175℃
功率：113W
阈值电压：3.3V
栅极电荷：23nC
包装方式：Reel
连续漏极电流：110A
类型：MOSFET
导通电阻：4.5mΩ
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：3000psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQS142ELNW-T1_GE3
工作温度：-55℃~+175℃
功率：113W
阈值电压：3.3V
栅极电荷：23nC
包装方式：Reel
连续漏极电流：110A
类型：MOSFET
导通电阻：4.5mΩ
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：3000psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQS142ELNW-T1_GE3
工作温度：-55℃~+175℃
功率：113W
阈值电压：3.3V
栅极电荷：23nC
包装方式：Reel
连续漏极电流：110A
类型：MOSFET
导通电阻：4.5mΩ
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
