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    onsemi Mosfet场效应管 FDMC86184 起订1个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDMC86184 起订1个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMC86184

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:54W

    阈值电压:4V@110µA

    栅极电荷:20nC@6V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2090pF@50V

    连续漏极电流:57A

    类型:N沟道

    导通电阻:8.5mΩ@21A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    6月15日前
    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJA06EP-T1_GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJA06EP-T1_GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJA06EP-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:55W

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:57A

    类型:N-Channel

    导通电阻:8.7mΩ@10A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:无货

    6月15日前
    - +
    起购:3000
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN016-100BS,118
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN016-100BS,118

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):PSMN016-100BS,118

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:148W

    阈值电压:4V@1mA

    栅极电荷:49nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2404pF@50V

    连续漏极电流:57A

    类型:N沟道

    导通电阻:16mΩ@15A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:无货

    6月30日前
    - +
    起购:2
    onsemi Mosfet场效应管 FDB150N10
    onsemi Mosfet场效应管 FDB150N10

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDB150N10

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:110W

    阈值电压:4.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:69nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4760pF@25V

    连续漏极电流:57A

    类型:N沟道

    导通电阻:15mΩ@49A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:无货

    6月15日前
    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJA06EP-T1_GE3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJA06EP-T1_GE3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJA06EP-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:55W

    阈值电压:3.5V@250µA

    栅极电荷:45nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2800pF@25V

    连续漏极电流:57A

    类型:N沟道

    导通电阻:8.7mΩ@10A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:无货

    6月15日前
    - +
    起购:2
    onsemi Mosfet场效应管 FDMC86184
    onsemi Mosfet场效应管 FDMC86184

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMC86184

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:54W

    阈值电压:4V@110µA

    栅极电荷:20nC@6V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2090pF@50V

    连续漏极电流:57A

    类型:N沟道

    导通电阻:8.5mΩ@21A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:无货

    6月15日前
    - +
    起购:2
    INFINEON Mosfet场效应管 AUIRF8739L2TR
    INFINEON Mosfet场效应管 AUIRF8739L2TR

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AUIRF8739L2TR

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.8W€340W

    阈值电压:3.9V@250µA

    栅极电荷:562nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:17890pF@25V

    连续漏极电流:57A

    类型:N-Channel

    导通电阻:0.6mΩ@195A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:无货

    6月15日前
    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDB150N10
    onsemi Mosfet场效应管 FDB150N10

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDB150N10

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:110W

    阈值电压:4.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:69nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4760pF@25V

    连续漏极电流:57A

    类型:N沟道

    导通电阻:15mΩ@49A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:无货

    6月15日前
    - +
    SANKEN Mosfet场效应管 SKI06106
    SANKEN Mosfet场效应管 SKI06106

    品牌:SANKEN

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):SKI06106

    工作温度:150℃

    功率:90W

    阈值电压:2.5V@650µA

    栅极电荷:38.6nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2520pF@25V

    连续漏极电流:57A

    类型:N沟道

    导通电阻:8.8mΩ@28.5A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:无货

    6月15日前
    - +
    起购:2
    INFINEON Mosfet场效应管 IRF3710STRLPBF
    INFINEON Mosfet场效应管 IRF3710STRLPBF

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRF3710STRLPBF

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:200W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:130nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3130pF@25V

    连续漏极电流:57A

    类型:N-Channel

    导通电阻:23mΩ@28A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:无货

    6月15日前
    - +
    起购:4
    onsemi Mosfet场效应管 FDMC86184
    onsemi Mosfet场效应管 FDMC86184

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"21+":861,"22+":2853,"23+":4876,"MI+":2600}

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMC86184

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:54W

    阈值电压:4V@110µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:20nC@6V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2090pF@50V

    连续漏极电流:57A

    类型:N沟道

    导通电阻:8.5mΩ@21A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:无货

    6月15日前
    - +
    起购:364
    onsemi Mosfet场效应管 FDB150N10
    onsemi Mosfet场效应管 FDB150N10

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDB150N10

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:110W

    阈值电压:4.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:69nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4760pF@25V

    连续漏极电流:57A

    类型:N沟道

    导通电阻:15mΩ@49A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:无货

    6月15日前
    - +
    起购:100
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN016-100BS,118
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN016-100BS,118

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):PSMN016-100BS,118

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:148W

    阈值电压:4V@1mA

    栅极电荷:49nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2404pF@50V

    连续漏极电流:57A

    类型:N沟道

    导通电阻:16mΩ@15A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:无货

    6月15日前
    - +
    起购:500
    INFINEON Mosfet场效应管 IRF3710STRLPBF
    INFINEON Mosfet场效应管 IRF3710STRLPBF

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRF3710STRLPBF

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:200W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:130nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3130pF@25V

    连续漏极电流:57A

    类型:N-Channel

    导通电阻:23mΩ@28A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:无货

    6月15日前
    - +
    起购:800
    加购:800
    onsemi Mosfet场效应管 FDB150N10
    onsemi Mosfet场效应管 FDB150N10

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"21+":241}

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDB150N10

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:110W

    阈值电压:4.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:69nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4760pF@25V

    连续漏极电流:57A

    类型:N沟道

    导通电阻:15mΩ@49A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:无货

    6月15日前
    - +
    起购:175
    INFINEON Mosfet场效应管 IRF3710STRLPBF
    INFINEON Mosfet场效应管 IRF3710STRLPBF

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRF3710STRLPBF

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:200W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:130nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3130pF@25V

    连续漏极电流:57A

    类型:N-Channel

    导通电阻:23mΩ@28A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:无货

    6月15日前
    - +
    起购:66
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN7R5-30MLDX
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN7R5-30MLDX

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PSMN7R5-30MLDX

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:45W

    阈值电压:2.2V@1mA

    栅极电荷:11.3nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:655pF@15V

    连续漏极电流:57A

    类型:N沟道

    导通电阻:7.6mΩ@15A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:无货

    6月15日前
    - +
    起购:9
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BUK7618-55,118
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BUK7618-55,118

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"18+":953,"19+":800,"21+":33600}

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):BUK7618-55,118

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:125W

    阈值电压:4V@1mA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2000pF@25V

    连续漏极电流:57A

    类型:N沟道

    导通电阻:18mΩ@25A,10V

    漏源电压:55V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:无货

    6月15日前
    - +
    起购:699
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN016-100BS,118
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN016-100BS,118

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):PSMN016-100BS,118

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:148W

    阈值电压:4V@1mA

    栅极电荷:49nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2404pF@50V

    连续漏极电流:57A

    类型:N沟道

    导通电阻:16mΩ@15A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:无货

    6月15日前
    - +
    起购:10
    ST Mosfet场效应管 STL50DN6F7
    ST Mosfet场效应管 STL50DN6F7

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):STL50DN6F7

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:62.5W

    阈值电压:4V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1035pF@30V

    连续漏极电流:57A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:11mΩ@7.5A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:无货

    6月15日前
    - +
    起购:3000
    INFINEON Mosfet场效应管 AUIRF8739L2TR
    INFINEON Mosfet场效应管 AUIRF8739L2TR

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"21+":3599,"22+":1353,"23+":7000,"24+":4000}

    销售单位:

    规格型号(MPN):AUIRF8739L2TR

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.8W€340W

    阈值电压:3.9V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:562nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:17890pF@25V

    连续漏极电流:57A

    类型:N-Channel

    导通电阻:0.6mΩ@195A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:无货

    6月15日前
    - +
    起购:50
    INFINEON Mosfet场效应管 IRF3710STRLPBF 起订10个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IRF3710STRLPBF 起订10个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRF3710STRLPBF

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:200W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:130nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3130pF@25V

    连续漏极电流:57A

    类型:N沟道

    导通电阻:23mΩ@28A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:无货

    6月15日前
    - +
    起购:10
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN016-100BS,118
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN016-100BS,118

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):PSMN016-100BS,118

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:148W

    阈值电压:4V@1mA

    栅极电荷:49nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2404pF@50V

    连续漏极电流:57A

    类型:N沟道

    导通电阻:16mΩ@15A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:无货

    6月15日前
    - +
    起购:10
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN7R5-30MLDX
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN7R5-30MLDX

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PSMN7R5-30MLDX

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:45W

    阈值电压:2.2V@1mA

    栅极电荷:11.3nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:655pF@15V

    连续漏极电流:57A

    类型:N沟道

    导通电阻:7.6mΩ@15A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:无货

    6月15日前
    - +
    起购:1500
    INFINEON Mosfet场效应管 IRF3710STRLPBF 起订30个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IRF3710STRLPBF 起订30个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRF3710STRLPBF

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:200W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:130nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3130pF@25V

    连续漏极电流:57A

    类型:N沟道

    导通电阻:23mΩ@28A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:无货

    6月15日前
    - +
    起购:30
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN9R1-30YL,115
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN9R1-30YL,115

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PSMN9R1-30YL,115

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:52W

    阈值电压:2.15V@1mA

    栅极电荷:16.7nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:894pF@15V

    连续漏极电流:57A

    类型:N沟道

    导通电阻:9.1mΩ@15A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:无货

    6月15日前
    - +
    起购:500
    INFINEON Mosfet场效应管 IRF3710STRLPBF 起订50个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IRF3710STRLPBF 起订50个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRF3710STRLPBF

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:200W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:130nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3130pF@25V

    连续漏极电流:57A

    类型:N沟道

    导通电阻:23mΩ@28A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:无货

    6月15日前
    - +
    起购:50
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN9R1-30YL,115
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN9R1-30YL,115

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PSMN9R1-30YL,115

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:52W

    阈值电压:2.15V@1mA

    栅极电荷:16.7nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:894pF@15V

    连续漏极电流:57A

    类型:N沟道

    导通电阻:9.1mΩ@15A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:无货

    6月15日前
    - +
    起购:10
    onsemi Mosfet场效应管 FDMC86184
    onsemi Mosfet场效应管 FDMC86184

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMC86184

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:54W

    阈值电压:4V@110µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:20nC@6V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2090pF@50V

    连续漏极电流:57A

    类型:N沟道

    导通电阻:8.5mΩ@21A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:无货

    6月15日前
    - +
    起购:10
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJA06EP-T1_GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJA06EP-T1_GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJA06EP-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:55W

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:57A

    类型:N-Channel

    导通电阻:8.7mΩ@10A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:无货

    6月15日前
    - +
    起购:1000
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