品牌
    连续漏极电流
    57A
    类型
    功率
    行业应用
    阈值电压
    栅极电荷
    漏源电压
    连续漏极电流: 57A
    类型: 1个N沟道
    当前匹配商品:20+
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    参数
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    INFINEON Mosfet场效应管 IRFP3710PBF 起订数500个
    INFINEON Mosfet场效应管 IRFP3710PBF 起订数500个

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:200W

    阈值电压:4V@250μA

    栅极电荷:190nC@10V

    输入电容:3nF@25V

    连续漏极电流:57A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:25mΩ@10V,28A

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    5月12日前
    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTHL041N60S5H
    onsemi Mosfet场效应管 NTHL041N60S5H

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTHL041N60S5H

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:329W

    阈值电压:4.3V@6.7mA

    栅极电荷:108nC@10V

    输入电容:5.84nF@400V

    连续漏极电流:57A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:32.8mΩ@10V,28.5A

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    5月12日前
    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTHL041N60S5H
    onsemi Mosfet场效应管 NTHL041N60S5H

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTHL041N60S5H

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:329W

    阈值电压:4.3V@6.7mA

    栅极电荷:108nC@10V

    输入电容:5.84nF@400V

    连续漏极电流:57A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:32.8mΩ@10V,28.5A

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    5月12日前
    - +
    起购:30
    onsemi Mosfet场效应管 NTHL041N60S5H
    onsemi Mosfet场效应管 NTHL041N60S5H

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTHL041N60S5H

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:329W

    阈值电压:4.3V@6.7mA

    栅极电荷:108nC@10V

    输入电容:5.84nF@400V

    连续漏极电流:57A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:32.8mΩ@10V,28.5A

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    4月29日前
    - +
    起购:1000
    onsemi Mosfet场效应管 NTHL041N60S5H
    onsemi Mosfet场效应管 NTHL041N60S5H

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTHL041N60S5H

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:329W

    阈值电压:4.3V@6.7mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:108nC@10V

    输入电容:5.84nF@400V

    连续漏极电流:57A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:32.8mΩ@10V,28.5A

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    4月29日前
    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTHL041N60S5H
    onsemi Mosfet场效应管 NTHL041N60S5H

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTHL041N60S5H

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:329W

    阈值电压:4.3V@6.7mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:108nC@10V

    输入电容:5.84nF@400V

    连续漏极电流:57A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:32.8mΩ@10V,28.5A

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    5月12日前
    - +
    起购:30
    onsemi Mosfet场效应管 NTHL041N60S5H 起订100个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTHL041N60S5H 起订100个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"22+":27900,"23+":73350,"MI+":3600}

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTHL041N60S5H

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:329W

    阈值电压:4.3V@6.7mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:108nC@10V

    输入电容:5.84nF@400V

    连续漏极电流:57A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:32.8mΩ@10V,28.5A

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    5月12日前
    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTHL041N60S5H
    onsemi Mosfet场效应管 NTHL041N60S5H

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTHL041N60S5H

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:329W

    阈值电压:4.3V@6.7mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:108nC@10V

    输入电容:5.84nF@400V

    连续漏极电流:57A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:32.8mΩ@10V,28.5A

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    5月12日前
    - +
    起购:120
    onsemi Mosfet场效应管 NTHL041N60S5H
    onsemi Mosfet场效应管 NTHL041N60S5H

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTHL041N60S5H

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:329W

    阈值电压:4.3V@6.7mA

    栅极电荷:108nC@10V

    输入电容:5.84nF@400V

    连续漏极电流:57A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:32.8mΩ@10V,28.5A

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    5月12日前
    - +
    起购:10
    onsemi Mosfet场效应管 NTHL041N60S5H
    onsemi Mosfet场效应管 NTHL041N60S5H

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTHL041N60S5H

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:329W

    阈值电压:4.3V@6.7mA

    栅极电荷:108nC@10V

    输入电容:5.84nF@400V

    连续漏极电流:57A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:32.8mΩ@10V,28.5A

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    5月12日前
    - +
    起购:50
    onsemi Mosfet场效应管 NTHL041N60S5H
    onsemi Mosfet场效应管 NTHL041N60S5H

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTHL041N60S5H

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:329W

    阈值电压:4.3V@6.7mA

    栅极电荷:108nC@10V

    输入电容:5.84nF@400V

    连续漏极电流:57A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:32.8mΩ@10V,28.5A

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    5月12日前
    - +
    起购:5
    onsemi Mosfet场效应管 NTHL041N60S5H
    onsemi Mosfet场效应管 NTHL041N60S5H

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTHL041N60S5H

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:329W

    阈值电压:4.3V@6.7mA

    栅极电荷:108nC@10V

    输入电容:5.84nF@400V

    连续漏极电流:57A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:32.8mΩ@10V,28.5A

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    5月12日前
    - +
    起购:10
    onsemi Mosfet场效应管 NTHL041N60S5H
    onsemi Mosfet场效应管 NTHL041N60S5H

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTHL041N60S5H

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:329W

    阈值电压:4.3V@6.7mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:108nC@10V

    输入电容:5.84nF@400V

    连续漏极电流:57A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:32.8mΩ@10V,28.5A

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    5月12日前
    - +
    起购:10
    onsemi Mosfet场效应管 NTHL041N60S5H 起订300个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTHL041N60S5H 起订300个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"22+":27900,"23+":73350,"MI+":3600}

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTHL041N60S5H

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:329W

    阈值电压:4.3V@6.7mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:108nC@10V

    输入电容:5.84nF@400V

    连续漏极电流:57A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:32.8mΩ@10V,28.5A

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    5月12日前
    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTHL041N60S5H 起订1000个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTHL041N60S5H 起订1000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"22+":27900,"23+":73350,"MI+":3600}

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTHL041N60S5H

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:329W

    阈值电压:4.3V@6.7mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:108nC@10V

    输入电容:5.84nF@400V

    连续漏极电流:57A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:32.8mΩ@10V,28.5A

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    5月12日前
    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTHL041N60S5H 起订5000个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTHL041N60S5H 起订5000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"22+":27900,"23+":73350,"MI+":3600}

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTHL041N60S5H

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:329W

    阈值电压:4.3V@6.7mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:108nC@10V

    输入电容:5.84nF@400V

    连续漏极电流:57A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:32.8mΩ@10V,28.5A

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    5月12日前
    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTHL041N60S5H
    onsemi Mosfet场效应管 NTHL041N60S5H

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTHL041N60S5H

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:329W

    阈值电压:4.3V@6.7mA

    栅极电荷:108nC@10V

    输入电容:5.84nF@400V

    连续漏极电流:57A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:32.8mΩ@10V,28.5A

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    4月29日前
    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTHL041N60S5H
    onsemi Mosfet场效应管 NTHL041N60S5H

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTHL041N60S5H

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:329W

    阈值电压:4.3V@6.7mA

    栅极电荷:108nC@10V

    输入电容:5.84nF@400V

    连续漏极电流:57A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:32.8mΩ@10V,28.5A

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    4月29日前
    - +
    起购:5000
    INFINEON Mosfet场效应管 IRFP3710PBF 起订数500个
    INFINEON Mosfet场效应管 IRFP3710PBF 起订数500个

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    功率:200W

    阈值电压:4V@250μA

    输入电容:3nF@25V

    连续漏极电流:57A

    类型:1个N沟道

    工作温度:-55℃~+175℃

    栅极电荷:190nC@10V

    导通电阻:25mΩ@10V,28A

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    4月28日前
    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTHL041N60S5H
    onsemi Mosfet场效应管 NTHL041N60S5H

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTHL041N60S5H

    功率:329W

    输入电容:5.84nF@400V

    工作温度:-55℃~+150℃

    连续漏极电流:57A

    阈值电压:4.3V@6.7mA

    栅极电荷:108nC@10V

    类型:1个N沟道

    漏源电压:600V

    导通电阻:32.8mΩ@10V,28.5A

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    4月28日前
    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTHL041N60S5H
    onsemi Mosfet场效应管 NTHL041N60S5H

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTHL041N60S5H

    输入电容:5.84nF@400V

    阈值电压:4.3V@6.7mA

    类型:1个N沟道

    功率:329W

    工作温度:-55℃~+150℃

    连续漏极电流:57A

    栅极电荷:108nC@10V

    漏源电压:600V

    ECCN:EAR99

    导通电阻:32.8mΩ@10V,28.5A

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    4月28日前
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