品牌：WILLSEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：WNMD2154-6/TR
功率：300mW
阈值电压：580mV@250μA
栅极电荷：1.15nC@4.5V
输入电容：60pF@10V
连续漏极电流：800mA
类型：2个N沟道
反向传输电容：7.5pF@10V
导通电阻：220mΩ@4.5V，550mA
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：WILLSEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：2年内
销售单位：个
规格型号(MPN)：WNM4153-3/TR
功率：300mW
阈值电压：1V@250μA
连续漏极电流：800mA
类型：1个N沟道
导通电阻：310mΩ@4.5V，550mA
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：WILLSEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：2年内
销售单位：个
规格型号(MPN)：WNM4153-3/TR
功率：300mW
阈值电压：1V@250μA
连续漏极电流：800mA
类型：1个N沟道
导通电阻：310mΩ@4.5V，550mA
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：WILLSEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：2年内
销售单位：个
规格型号(MPN)：WNM4153-3/TR
功率：300mW
阈值电压：1V@250μA
连续漏极电流：800mA
类型：1个N沟道
导通电阻：310mΩ@4.5V，550mA
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：WILLSEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：2年内
销售单位：个
规格型号(MPN)：WNM4153-3/TR
功率：300mW
类型：1个N沟道
导通电阻：310mΩ@4.5V，550mA
阈值电压：1V@250μA
漏源电压：20V
连续漏极电流：800mA
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：WILLSEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：2年内
销售单位：个
规格型号(MPN)：WNM4153-3/TR
功率：300mW
类型：1个N沟道
导通电阻：310mΩ@4.5V，550mA
阈值电压：1V@250μA
漏源电压：20V
连续漏极电流：800mA
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：WILLSEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：2年内
销售单位：个
规格型号(MPN)：WNM4153-3/TR
功率：300mW
类型：1个N沟道
导通电阻：310mΩ@4.5V，550mA
阈值电压：1V@250μA
漏源电压：20V
连续漏极电流：800mA
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM6N56FE，LM
工作温度：150℃
功率：150mW
阈值电压：1V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：55pF@10V
连续漏极电流：800mA
类型：2N沟道（双）
导通电阻：235mΩ@800mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IXTA08N50D2
工作温度：-55℃~150℃
功率：60W
栅极电荷：12.7nC@5V
包装方式：管件
输入电容：312pF@25V
连续漏极电流：800mA
类型：N沟道
导通电阻：4.6Ω@400mA，0V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMH600UNEH
工作温度：-55℃~150℃
功率：370mW€2.2W
阈值电压：950mV@250µA
栅极电荷：0.31nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：21.3pF@10V
连续漏极电流：800mA
类型：N沟道
导通电阻：620mΩ@600mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMDT290UNE，115
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：950mV@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：83pF@10V
连续漏极电流：800mA
类型：2N沟道（双）
导通电阻：380mΩ@500mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMH600UNEH
工作温度：-55℃~150℃
功率：370mW€2.2W
阈值电压：950mV@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：0.31nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：21.3pF@10V
连续漏极电流：800mA
类型：N沟道
导通电阻：620mΩ@600mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN3401LDW-13
工作温度：-55℃~+150℃
功率：290mW
阈值电压：1.6V@250μA
栅极电荷：1.2nC@10V
输入电容：50pF@15V
连续漏极电流：800mA
类型：2个N沟道
导通电阻：400mΩ
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN3401LDW-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：290mW
阈值电压：1.6V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：50pF@15V
连续漏极电流：800mA
类型：2N沟道（双）
导通电阻：400mΩ@590mA，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFD220PBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：14nC@10V
包装方式：散装
输入电容：260pF@25V
连续漏极电流：800mA
类型：N沟道
导通电阻：800mΩ@480mA，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN601K-7
工作温度：-65℃~150℃
功率：350mW
阈值电压：2.5V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：50pF@25V
连续漏极电流：800mA
类型：N-Channel
导通电阻：3Ω
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMDT290UNE，115
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：950mV@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：83pF@10V
连续漏极电流：800mA
类型：2N沟道（双）
导通电阻：380mΩ@500mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMV450ENEAR
工作温度：-55℃~150℃
功率：323mW€554mW
阈值电压：2.7V@250µA
栅极电荷：3.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：101pF@30V
连续漏极电流：800mA
类型：N沟道
导通电阻：380mΩ@900mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM3K56CT，L3F
工作温度：150℃
功率：500mW
阈值电压：1V@1mA
栅极电荷：1nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：55pF@10V
连续漏极电流：800mA
类型：N沟道
导通电阻：235mΩ@800mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM3K56CT，L3F
工作温度：150℃
功率：500mW
阈值电压：1V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：1nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：55pF@10V
连续漏极电流：800mA
类型：N沟道
导通电阻：235mΩ@800mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN3401LDW-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：290mW
阈值电压：1.6V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：50pF@15V
连续漏极电流：800mA
类型：2N沟道（双）
导通电阻：400mΩ@590mA，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
销售单位：个
规格型号(MPN)：IXTP08N50D2
工作温度：-55℃~150℃
功率：60W
栅极电荷：12.7nC@5V
包装方式：管件
输入电容：312pF@25V
连续漏极电流：800mA
类型：N沟道
导通电阻：4.6Ω@400mA，0V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMN10A07FTA
工作温度：-55℃~150℃
功率：806mW
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：2.9nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：138pF@50V
连续漏极电流：800mA
导通电阻：700mΩ
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：TOREX
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：XP234N08013R-G
功率：350mW
阈值电压：2.6V@250μA
栅极电荷：1.32nC@10V
输入电容：64pF@10V
连续漏极电流：800mA
类型：1个N沟道
导通电阻：290mΩ@400mA，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMN10A07FTA
工作温度：-55℃~150℃
功率：806mW
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：2.9nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：138pF@50V
连续漏极电流：800mA
导通电阻：700mΩ
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM3K56CT，L3F
工作温度：150℃
功率：500mW
阈值电压：1V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：1nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：55pF@10V
连续漏极电流：800mA
类型：N沟道
导通电阻：235mΩ@800mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMN10A07FTA
工作温度：-55℃~150℃
功率：806mW
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：2.9nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：138pF@50V
连续漏极电流：800mA
导通电阻：700mΩ
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN3401LDW-13
工作温度：-55℃~+150℃
功率：290mW
阈值电压：1.6V@250μA
栅极电荷：1.2nC@10V
输入电容：50pF@15V
连续漏极电流：800mA
类型：2个N沟道
导通电阻：400mΩ
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：TOREX
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：XP234N08013R-G
功率：350mW
阈值电压：2.6V@250μA
栅极电荷：1.32nC@10V
输入电容：64pF@10V
连续漏极电流：800mA
类型：1个N沟道
导通电阻：290mΩ@400mA，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMH600UNEH
工作温度：-55℃~150℃
功率：370mW€2.2W
阈值电压：950mV@250µA
栅极电荷：0.31nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：21.3pF@10V
连续漏极电流：800mA
类型：N沟道
导通电阻：620mΩ@600mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
