品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM150P03PQ33 RGG
工作温度：-55℃~150℃
功率：27.8W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：29.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1829pF@15V
连续漏极电流：36A
类型：P沟道
导通电阻：15mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM150P03PQ33 RGG
工作温度：-55℃~150℃
功率：27.8W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：29.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1829pF@15V
连续漏极电流：36A
类型：P沟道
导通电阻：15mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM150P03PQ33 RGG
工作温度：-55℃~150℃
功率：27.8W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：29.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1829pF@15V
连续漏极电流：36A
类型：P沟道
导通电阻：15mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM150P03PQ33 RGG
工作温度：-55℃~150℃
功率：27.8W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：29.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1829pF@15V
连续漏极电流：36A
类型：P沟道
导通电阻：15mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM150P03PQ33 RGG
工作温度：-55℃~150℃
功率：27.8W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：29.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1829pF@15V
连续漏极电流：36A
类型：P沟道
导通电阻：15mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM150P03PQ33 RGG
工作温度：-55℃~150℃
功率：27.8W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：29.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1829pF@15V
连续漏极电流：36A
类型：P沟道
导通电阻：15mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM150P03PQ33 RGG
工作温度：-55℃~150℃
功率：27.8W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：29.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1829pF@15V
连续漏极电流：36A
类型：P沟道
导通电阻：15mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM150P03PQ33 RGG
工作温度：-55℃~150℃
功率：27.8W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：29.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1829pF@15V
连续漏极电流：36A
类型：P沟道
导通电阻：15mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM150P03PQ33 RGG
工作温度：-55℃~150℃
功率：27.8W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：29.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1829pF@15V
连续漏极电流：36A
类型：P沟道
导通电阻：15mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJ457EP-T1_BE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：68W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：100nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3400pF@25V
连续漏极电流：36A
类型：P沟道
导通电阻：25mΩ@10A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NP36P06SLG-E1-AY
工作温度：175℃
功率：1.2W€56W
栅极电荷：52nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3200pF@10V
连续漏极电流：36A
类型：P沟道
导通电阻：30mΩ@18A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJ457EP-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：68W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：100nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3400pF@25V
连续漏极电流：36A
类型：P沟道
导通电阻：25mΩ@10A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJ457EP-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：68W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：100nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3400pF@25V
连续漏极电流：36A
类型：P沟道
导通电阻：25mΩ@10A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NP36P06SLG-E1-AY
工作温度：175℃
功率：1.2W€56W
栅极电荷：52nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3200pF@10V
连续漏极电流：36A
类型：P沟道
导通电阻：30mΩ@18A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IXTQ36P15P
工作温度：-55℃~150℃
功率：300W
阈值电压：4.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：55nC@10V
包装方式：管件
输入电容：3100pF@25V
连续漏极电流：36A
类型：P沟道
导通电阻：110mΩ@18A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD36P4LLF6
工作温度：175℃
功率：60W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：22nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2850pF@25V
连续漏极电流：36A
类型：P沟道
导通电阻：20.5mΩ@18A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
销售单位：个
规格型号(MPN)：IXTA36P15P
工作温度：-55℃~150℃
功率：300W
阈值电压：4.5V@250µA
栅极电荷：55nC@10V
输入电容：3100pF@25V
连续漏极电流：36A
类型：P沟道
导通电阻：110mΩ@18A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NP36P06SLG-E1-AY
工作温度：175℃
功率：1.2W€56W
栅极电荷：52nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3200pF@10V
连续漏极电流：36A
类型：P沟道
导通电阻：30mΩ@18A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NP36P06SLG-E1-AY
工作温度：175℃
功率：1.2W€56W
栅极电荷：52nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3200pF@10V
连续漏极电流：36A
类型：P沟道
导通电阻：30mΩ@18A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
销售单位：个
规格型号(MPN)：IXTA36P15P
工作温度：-55℃~150℃
功率：300W
阈值电压：4.5V@250µA
栅极电荷：55nC@10V
输入电容：3100pF@25V
连续漏极电流：36A
类型：P沟道
导通电阻：110mΩ@18A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJ457EP-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：68W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：100nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3400pF@25V
连续漏极电流：36A
类型：P沟道
导通电阻：25mΩ@10A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NP36P06KDG-E1-AY
工作温度：175℃
功率：1.8W€56W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：54nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3100pF@10V
连续漏极电流：36A
类型：P沟道
导通电阻：29.5mΩ@18A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD36P4LLF6
工作温度：175℃
功率：60W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：22nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2850pF@25V
连续漏极电流：36A
类型：P沟道
导通电阻：20.5mΩ@18A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPN4R712MD，L1Q
工作温度：150℃
功率：42W
阈值电压：1.2V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：65nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4300pF@10V
连续漏极电流：36A
类型：P沟道
导通电阻：4.7mΩ@18A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJ457EP-T1_BE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：68W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：100nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3400pF@25V
连续漏极电流：36A
类型：P沟道
导通电阻：25mΩ@10A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NP36P06SLG-E1-AY
工作温度：175℃
功率：1.2W€56W
栅极电荷：52nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3200pF@10V
连续漏极电流：36A
类型：P沟道
导通电阻：30mΩ@18A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NP36P06SLG-E1-AY
工作温度：175℃
功率：1.2W€56W
栅极电荷：52nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3200pF@10V
连续漏极电流：36A
类型：P沟道
导通电阻：30mΩ@18A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
销售单位：个
规格型号(MPN)：IXTP36P15P
工作温度：-55℃~150℃
功率：300W
阈值电压：4.5V@250µA
栅极电荷：55nC@10V
输入电容：3100pF@25V
连续漏极电流：36A
类型：P沟道
导通电阻：110mΩ@18A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
销售单位：个
规格型号(MPN)：IXTP36P15P
工作温度：-55℃~150℃
功率：300W
阈值电压：4.5V@250µA
栅极电荷：55nC@10V
输入电容：3100pF@25V
连续漏极电流：36A
类型：P沟道
导通电阻：110mΩ@18A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NP36P06KDG-E1-AY
工作温度：175℃
功率：1.8W€56W
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：54nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3100pF@10V
连续漏极电流：36A
类型：P沟道
导通电阻：29.5mΩ@18A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
