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    连续漏极电流
    包装方式
    类型
    功率
    行业应用
    栅极电荷
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    连续漏极电流: 265mA
    包装方式: 卷带(TR)
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    DIODES Mosfet场效应管 ZVP4525GTA
    DIODES Mosfet场效应管 ZVP4525GTA

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):ZVP4525GTA

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2W

    阈值电压:2V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:3.45nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:73pF@25V

    连续漏极电流:265mA

    类型:P沟道

    导通电阻:14Ω@200mA,10V

    漏源电压:250V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    5月12日前
    - +
    起购:3
    DIODES Mosfet场效应管 ZVP4525GTA 起订7个装
    DIODES Mosfet场效应管 ZVP4525GTA 起订7个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):ZVP4525GTA

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2W

    阈值电压:2V@1mA

    栅极电荷:3.45nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:73pF@25V

    连续漏极电流:265mA

    类型:P沟道

    导通电阻:14Ω@200mA,10V

    漏源电压:250V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    5月12日前
    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 NX138BKR
    NEXPERIA Mosfet场效应管 NX138BKR

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NX138BKR

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:310mW

    阈值电压:1.5V@250µA

    栅极电荷:0.49nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:20.2pF@30V

    连续漏极电流:265mA

    类型:N沟道

    导通电阻:3.5Ω@200mA,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    5月12日前
    - +
    起购:58
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BSN20BKR
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BSN20BKR

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSN20BKR

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:310mW

    阈值电压:1.4V@250µA

    栅极电荷:0.49nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:20.2pF@30V

    连续漏极电流:265mA

    类型:N沟道

    导通电阻:2.8Ω@200mA,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    5月12日前
    - +
    起购:121
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BSN20BKR 起订600个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BSN20BKR 起订600个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSN20BKR

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:310mW

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    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:20.2pF@30V

    连续漏极电流:265mA

    类型:N沟道

    导通电阻:2.8Ω@200mA,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    5月12日前
    - +
    起购:600
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BSN20BKR
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BSN20BKR

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSN20BKR

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:310mW

    阈值电压:1.4V@250µA

    栅极电荷:0.49nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:20.2pF@30V

    连续漏极电流:265mA

    类型:N沟道

    导通电阻:2.8Ω@200mA,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    5月12日前
    - +
    起购:1500
    加购:5
    DIODES Mosfet场效应管 ZVP4525GTA
    DIODES Mosfet场效应管 ZVP4525GTA

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):ZVP4525GTA

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2W

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    栅极电荷:3.45nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:73pF@25V

    连续漏极电流:265mA

    类型:P沟道

    导通电阻:14Ω@200mA,10V

    漏源电压:250V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    5月12日前
    - +
    起购:5000
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BSN20BKR
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BSN20BKR

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSN20BKR

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    功率:310mW

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    类型:N沟道

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    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    5月12日前
    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BSN20BKR 起订800个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BSN20BKR 起订800个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSN20BKR

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:310mW

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    包装方式:卷带(TR)

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    连续漏极电流:265mA

    类型:N沟道

    导通电阻:2.8Ω@200mA,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    5月12日前
    - +
    起购:800
    加购:100
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BSN20BKR
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BSN20BKR

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:2127

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSN20BKR

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    功率:310mW

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    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:20.2pF@30V

    连续漏极电流:265mA

    类型:N沟道

    导通电阻:2.8Ω@200mA,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    5月12日前
    - +
    起购:130
    NEXPERIA Mosfet场效应管 NX138BKR 起订23个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 NX138BKR 起订23个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NX138BKR

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:310mW

    阈值电压:1.5V@250µA

    ECCN:EAR99

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    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:20.2pF@30V

    连续漏极电流:265mA

    类型:N沟道

    导通电阻:3.5Ω@200mA,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    5月12日前
    - +
    起购:23
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BSN20BKR
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BSN20BKR

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSN20BKR

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:310mW

    阈值电压:1.4V@250µA

    ECCN:EAR99

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    输入电容:20.2pF@30V

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    类型:N沟道

    导通电阻:2.8Ω@200mA,10V

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    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    5月12日前
    - +
    起购:30000
    DIODES Mosfet场效应管 ZVP4525GTA
    DIODES Mosfet场效应管 ZVP4525GTA

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):ZVP4525GTA

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2W

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    栅极电荷:3.45nC@10V

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    输入电容:73pF@25V

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    类型:P沟道

    导通电阻:14Ω@200mA,10V

    漏源电压:250V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    5月12日前
    - +
    起购:500
    NEXPERIA Mosfet场效应管 NX138BKR
    NEXPERIA Mosfet场效应管 NX138BKR

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NX138BKR

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:310mW

    阈值电压:1.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:0.49nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:20.2pF@30V

    连续漏极电流:265mA

    类型:N沟道

    导通电阻:3.5Ω@200mA,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    5月12日前
    - +
    起购:500
    NEXPERIA Mosfet场效应管 NX138BKR 起订100个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 NX138BKR 起订100个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NX138BKR

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:310mW

    阈值电压:1.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:0.49nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:20.2pF@30V

    连续漏极电流:265mA

    类型:N沟道

    导通电阻:3.5Ω@200mA,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    5月12日前
    - +
    起购:100
    DIODES Mosfet场效应管 ZVP4525GTA
    DIODES Mosfet场效应管 ZVP4525GTA

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):ZVP4525GTA

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2W

    阈值电压:2V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:3.45nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:73pF@25V

    连续漏极电流:265mA

    类型:P沟道

    导通电阻:14Ω@200mA,10V

    漏源电压:250V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    5月27日前
    - +
    起购:3000
    DIODES Mosfet场效应管 ZVP4525GTA
    DIODES Mosfet场效应管 ZVP4525GTA

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):ZVP4525GTA

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2W

    阈值电压:2V@1mA

    栅极电荷:3.45nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:73pF@25V

    连续漏极电流:265mA

    类型:P沟道

    导通电阻:14Ω@200mA,10V

    漏源电压:250V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    5月27日前
    - +
    起购:500
    加购:20
    NEXPERIA Mosfet场效应管 NX138BKR 起订500个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 NX138BKR 起订500个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NX138BKR

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:310mW

    阈值电压:1.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:0.49nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:20.2pF@30V

    连续漏极电流:265mA

    类型:N沟道

    导通电阻:3.5Ω@200mA,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    5月27日前
    - +
    起购:500
    DIODES Mosfet场效应管 ZVP4525GTA
    DIODES Mosfet场效应管 ZVP4525GTA

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):ZVP4525GTA

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2W

    阈值电压:2V@1mA

    栅极电荷:3.45nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:73pF@25V

    连续漏极电流:265mA

    类型:P沟道

    导通电阻:14Ω@200mA,10V

    漏源电压:250V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    5月27日前
    - +
    起购:200
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BSN20BKR
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BSN20BKR

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSN20BKR

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:310mW

    阈值电压:1.4V@250µA

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    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:20.2pF@30V

    连续漏极电流:265mA

    类型:N沟道

    导通电阻:2.8Ω@200mA,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    5月12日前
    - +
    起购:18
    NEXPERIA Mosfet场效应管 NX138BKR
    NEXPERIA Mosfet场效应管 NX138BKR

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NX138BKR

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:310mW

    阈值电压:1.5V@250µA

    栅极电荷:0.49nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:20.2pF@30V

    连续漏极电流:265mA

    类型:N沟道

    导通电阻:3.5Ω@200mA,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    5月12日前
    - +
    起购:84
    DIODES Mosfet场效应管 ZVP4525GTA
    DIODES Mosfet场效应管 ZVP4525GTA

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):ZVP4525GTA

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2W

    阈值电压:2V@1mA

    栅极电荷:3.45nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:73pF@25V

    连续漏极电流:265mA

    类型:P沟道

    导通电阻:14Ω@200mA,10V

    漏源电压:250V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    5月12日前
    - +
    起购:1000
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BSN20BKR 起订11468个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BSN20BKR 起订11468个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"21+":63000,"22+":215800}

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSN20BKR

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:310mW

    阈值电压:1.4V@250µA

    ECCN:EAR99

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    输入电容:20.2pF@30V

    连续漏极电流:265mA

    类型:N沟道

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    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    5月12日前
    - +
    起购:11468
    DIODES Mosfet场效应管 ZVP4525GTA
    DIODES Mosfet场效应管 ZVP4525GTA

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):ZVP4525GTA

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2W

    阈值电压:2V@1mA

    栅极电荷:3.45nC@10V

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    输入电容:73pF@25V

    连续漏极电流:265mA

    类型:P沟道

    导通电阻:14Ω@200mA,10V

    漏源电压:250V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    5月12日前
    - +
    起购:5
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BSN20BKR
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BSN20BKR

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSN20BKR

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:310mW

    阈值电压:1.4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:0.49nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:20.2pF@30V

    连续漏极电流:265mA

    类型:N沟道

    导通电阻:2.8Ω@200mA,10V

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    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    5月12日前
    - +
    起购:16
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BSN20BKR
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BSN20BKR

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSN20BKR

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:310mW

    阈值电压:1.4V@250µA

    栅极电荷:0.49nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:20.2pF@30V

    连续漏极电流:265mA

    类型:N沟道

    导通电阻:2.8Ω@200mA,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    5月12日前
    - +
    起购:57
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BSN20BKR
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BSN20BKR

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSN20BKR

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:310mW

    阈值电压:1.4V@250µA

    栅极电荷:0.49nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:20.2pF@30V

    连续漏极电流:265mA

    类型:N沟道

    导通电阻:2.8Ω@200mA,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    5月12日前
    - +
    起购:68
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BSN20BKR
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BSN20BKR

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSN20BKR

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:310mW

    阈值电压:1.4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:0.49nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:20.2pF@30V

    连续漏极电流:265mA

    类型:N沟道

    导通电阻:2.8Ω@200mA,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    5月12日前
    - +
    起购:500
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BSN20BKR 起订84个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BSN20BKR 起订84个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSN20BKR

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:310mW

    阈值电压:1.4V@250µA

    栅极电荷:0.49nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:20.2pF@30V

    连续漏极电流:265mA

    类型:N沟道

    导通电阻:2.8Ω@200mA,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    5月12日前
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    起购:84
    DIODES Mosfet场效应管 ZVP4525GTA
    DIODES Mosfet场效应管 ZVP4525GTA

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):ZVP4525GTA

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2W

    阈值电压:2V@1mA

    栅极电荷:3.45nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:73pF@25V

    连续漏极电流:265mA

    类型:P沟道

    导通电阻:14Ω@200mA,10V

    漏源电压:250V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    5月12日前
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    起购:30
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