品牌：WILLSEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：2年内
销售单位：个
规格型号(MPN)：WPM3401-3/TR
功率：1.3W
阈值电压：1V@250μA
栅极电荷：24.8nC@10V
输入电容：1.25nF@15V
连续漏极电流：4.6A
类型：1个P沟道
反向传输电容：90pF@15V
导通电阻：38mΩ@10V，4.3A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：WILLSEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：2年内
销售单位：个
规格型号(MPN)：WPM3401-3/TR
功率：1.3W
阈值电压：1V@250μA
栅极电荷：24.8nC@10V
输入电容：1.25nF@15V
连续漏极电流：4.6A
类型：1个P沟道
反向传输电容：90pF@15V
导通电阻：38mΩ@10V，4.3A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCD5N60TM
工作温度：-55℃~+150℃
功率：54W
阈值电压：5V@250μA
栅极电荷：16nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：600pF@25V
连续漏极电流：4.6A
类型：1个N沟道
导通电阻：950mΩ@2.3A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：G500P03IE
阈值电压：1.3V
连续漏极电流：4.6A
类型：1个P沟道
导通电阻：42mΩ@10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：G500P03IE
阈值电压：1.3V
连续漏极电流：4.6A
类型：1个P沟道
导通电阻：42mΩ@10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：G500P03IE
阈值电压：1.3V
连续漏极电流：4.6A
类型：1个P沟道
导通电阻：42mΩ@10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：LRC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：LN2670TZHG
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.5W
阈值电压：3.2V@250μA
栅极电荷：14.6nC@10V
输入电容：612pF@30V
连续漏极电流：4.6A
类型：1个N沟道
反向传输电容：34pF@30V
导通电阻：70mΩ@10V，3A
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：WILLSEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：2年内
销售单位：个
规格型号(MPN)：WPM3401-3/TR
功率：1.3W
阈值电压：1V@250μA
栅极电荷：24.8nC@10V
输入电容：1.25nF@15V
连续漏极电流：4.6A
类型：1个P沟道
反向传输电容：90pF@15V
导通电阻：38mΩ@10V，4.3A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQ9407EY-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.75W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：40nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1140pF@30V
连续漏极电流：4.6A
类型：P沟道
导通电阻：85mΩ@3.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2053UVT-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：700mW
阈值电压：1V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：369pF@10V
连续漏极电流：4.6A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：35mΩ@5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI3476DV-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W€3.6W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：7.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：195pF@40V
连续漏极电流：4.6A
类型：N-Channel
导通电阻：105mΩ
漏源电压：3V
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMG9933USD-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.15W
阈值电压：1.1V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：608.4pF@6V
连续漏极电流：4.6A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：75mΩ@4.8A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMN2A03E6TA
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.1W
阈值电压：700mV@250µA
栅极电荷：8.2nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：837pF@10V
连续漏极电流：4.6A
类型：N-Channel
导通电阻：55mΩ@7.2A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQ9407EY-T1_BE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.75W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：40nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1140pF@30V
连续漏极电流：4.6A
类型：P沟道
导通电阻：85mΩ@3.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI8409DB-T1-E1
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.47W
阈值电压：1.4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：26nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：4.6A
类型：P沟道
导通电阻：46mΩ@1A，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFI840GPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：40W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：67nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1300pF@25V
连续漏极电流：4.6A
类型：N沟道
导通电阻：850mΩ@2.8A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP2066LDMQ-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.25W
阈值电压：1.2V@250µA
栅极电荷：10.1nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：820pF@15V
连续漏极电流：4.6A
类型：P沟道
导通电阻：40mΩ@4.6A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI3476DV-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W€3.6W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：7.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：195pF@40V
连续漏极电流：4.6A
类型：N-Channel
导通电阻：105mΩ
漏源电压：3V
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2058U-13
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.13W
阈值电压：1.2V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：7.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：281pF@10V
连续漏极电流：4.6A
类型：1个N沟道
导通电阻：35mΩ
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCD5N60TM-WS
工作温度：-55℃~150℃
功率：54W
阈值电压：5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：16nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：600pF@25V
连续漏极电流：4.6A
类型：N沟道
导通电阻：950mΩ@2.3A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN4035LQ-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：720mW
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：12.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：574pF@20V
连续漏极电流：4.6A
类型：N沟道
导通电阻：42mΩ@4.3A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN4035L-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：720mW
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：12.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：574pF@20V
连续漏极电流：4.6A
类型：N沟道
导通电阻：42mΩ@4.3A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN4035LQ-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：720mW
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：12.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：574pF@20V
连续漏极电流：4.6A
类型：N沟道
导通电阻：42mΩ@4.3A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN3404L-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.4W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：9.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：386pF@15V
连续漏极电流：4.6A
类型：N-Channel
导通电阻：28mΩ
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF7205TRPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：40nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：870pF@10V
连续漏极电流：4.6A
类型：P-Channel
导通电阻：70mΩ@4.6A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMG9933USD-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.15W
阈值电压：1.1V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：608.4pF@6V
连续漏极电流：4.6A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：75mΩ@4.8A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF7205TRPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：40nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：870pF@10V
连续漏极电流：4.6A
类型：P沟道
导通电阻：70mΩ@4.6A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN4035LQ-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：720mW
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：12.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：574pF@20V
连续漏极电流：4.6A
类型：N-Channel
导通电阻：42mΩ@4.3A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2053UVT-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：700mW
阈值电压：1V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：369pF@10V
连续漏极电流：4.6A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：35mΩ@5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2058U-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.13W
阈值电压：1.2V@250µA
栅极电荷：7.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：281pF@10V
连续漏极电流：4.6A
类型：N-Channel
导通电阻：35mΩ@6A，10V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
