品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCD5N60TM
工作温度：-55℃~+150℃
功率：54W
阈值电压：5V@250μA
栅极电荷：16nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：600pF@25V
连续漏极电流：4.6A
类型：1个N沟道
导通电阻：950mΩ@2.3A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCD5N60TM-WS
工作温度：-55℃~150℃
功率：54W
阈值电压：5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：16nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：600pF@25V
连续漏极电流：4.6A
类型：N沟道
导通电阻：950mΩ@2.3A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCD5N60TM
工作温度：-55℃~+150℃
功率：54W
阈值电压：5V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：16nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：600pF@25V
连续漏极电流：4.6A
类型：1个N沟道
导通电阻：950mΩ@2.3A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQ2319ADS-T1_BE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：16nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：620pF@20V
连续漏极电流：4.6A
类型：P沟道
导通电阻：75mΩ@3A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCD5N60TM
工作温度：-55℃~+150℃
功率：54W
阈值电压：5V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：16nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：600pF@25V
连续漏极电流：4.6A
类型：1个N沟道
导通电阻：950mΩ@2.3A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQ2319ADS-T1_GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：16nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：620pF@20V
连续漏极电流：4.6A
类型：P沟道
导通电阻：75mΩ@3A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCD5N60TM
工作温度：-55℃~+150℃
功率：54W
阈值电压：5V@250μA
栅极电荷：16nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：600pF@25V
连续漏极电流：4.6A
类型：1个N沟道
导通电阻：950mΩ@2.3A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQ2319ADS-T1_GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：16nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：620pF@20V
连续漏极电流：4.6A
类型：P沟道
导通电阻：75mΩ@3A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCD5N60TM
工作温度：-55℃~+150℃
功率：54W
阈值电压：5V@250μA
栅极电荷：16nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：600pF@25V
连续漏极电流：4.6A
类型：1个N沟道
导通电阻：950mΩ@2.3A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCD5N60TM-WS
工作温度：-55℃~150℃
功率：54W
阈值电压：5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：16nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：600pF@25V
连续漏极电流：4.6A
类型：N沟道
导通电阻：950mΩ@2.3A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCD5N60TM-WS
工作温度：-55℃~150℃
功率：54W
阈值电压：5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：16nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：600pF@25V
连续漏极电流：4.6A
类型：N沟道
导通电阻：950mΩ@2.3A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQ2319ADS-T1_BE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：16nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：620pF@20V
连续漏极电流：4.6A
类型：P沟道
导通电阻：75mΩ@3A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCD5N60TM-WS
工作温度：-55℃~150℃
功率：54W
阈值电压：5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：16nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：600pF@25V
连续漏极电流：4.6A
类型：N沟道
导通电阻：950mΩ@2.3A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQ2319ADS-T1_BE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：16nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：620pF@20V
连续漏极电流：4.6A
类型：P沟道
导通电阻：75mΩ@3A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQ2319ADS-T1_BE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：16nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：620pF@20V
连续漏极电流：4.6A
类型：P沟道
导通电阻：75mΩ@3A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCD5N60TM-WS
工作温度：-55℃~150℃
功率：54W
阈值电压：5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：16nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：600pF@25V
连续漏极电流：4.6A
类型：N沟道
导通电阻：950mΩ@2.3A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCD5N60TM-WS
工作温度：-55℃~150℃
功率：54W
阈值电压：5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：16nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：600pF@25V
连续漏极电流：4.6A
类型：N沟道
导通电阻：950mΩ@2.3A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQ2319ADS-T1_BE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：16nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：620pF@20V
连续漏极电流：4.6A
类型：P沟道
导通电阻：75mΩ@3A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCD5N60TM
工作温度：-55℃~+150℃
功率：54W
阈值电压：5V@250μA
栅极电荷：16nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：600pF@25V
连续漏极电流：4.6A
类型：1个N沟道
导通电阻：950mΩ@2.3A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCD5N60TM
工作温度：-55℃~+150℃
功率：54W
阈值电压：5V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：16nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：600pF@25V
连续漏极电流：4.6A
类型：1个N沟道
导通电阻：950mΩ@2.3A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCD5N60TM
工作温度：-55℃~+150℃
功率：54W
阈值电压：5V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：16nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：600pF@25V
连续漏极电流：4.6A
类型：1个N沟道
导通电阻：950mΩ@2.3A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCD5N60TM
工作温度：-55℃~+150℃
功率：54W
阈值电压：5V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：16nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：600pF@25V
连续漏极电流：4.6A
类型：1个N沟道
导通电阻：950mΩ@2.3A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCD5N60TM
工作温度：-55℃~+150℃
功率：54W
阈值电压：5V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：16nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：600pF@25V
连续漏极电流：4.6A
类型：1个N沟道
导通电阻：950mΩ@2.3A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCD5N60TM
工作温度：-55℃~+150℃
功率：54W
阈值电压：5V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：16nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：600pF@25V
连续漏极电流：4.6A
类型：1个N沟道
导通电阻：950mΩ@2.3A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCD5N60TM
工作温度：-55℃~+150℃
功率：54W
阈值电压：5V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：16nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：600pF@25V
连续漏极电流：4.6A
类型：1个N沟道
导通电阻：950mΩ@2.3A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQ2319ADS-T1_BE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：16nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：620pF@20V
连续漏极电流：4.6A
类型：P沟道
导通电阻：75mΩ@3A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQ2319ADS-T1_BE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：16nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：620pF@20V
连续漏极电流：4.6A
类型：P沟道
导通电阻：75mΩ@3A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQ2319ADS-T1_BE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：16nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：620pF@20V
连续漏极电流：4.6A
类型：P沟道
导通电阻：75mΩ@3A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCD5N60TM
工作温度：-55℃~+150℃
功率：54W
阈值电压：5V@250μA
栅极电荷：16nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：600pF@25V
连续漏极电流：4.6A
类型：1个N沟道
导通电阻：950mΩ@2.3A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"MI+"：5040}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFU220BTU-AM002
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€40W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：16nC@10V
包装方式：管件
输入电容：390pF@25V
连续漏极电流：4.6A
类型：N沟道
导通电阻：800mΩ@2.3A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
