品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP10H4D2S-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：380mW
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：1.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：87pF@25V
连续漏极电流：270mA
类型：P沟道
导通电阻：4.2Ω@500mA，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：7000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：1HN04CH-TL-W
工作温度：150℃
阈值电压：2.6V@100µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：0.9nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：15pF@20V
连续漏极电流：270mA
类型：N沟道
导通电阻：8Ω@140mA，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"16+"：870}
销售单位：个
规格型号(MPN)：1HN04CH-TL-W
工作温度：150℃
阈值电压：2.6V@100µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：0.9nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：15pF@20V
连续漏极电流：270mA
类型：N沟道
导通电阻：8Ω@140mA，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP10H4D2S-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：380mW
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：1.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：87pF@25V
连续漏极电流：270mA
类型：P沟道
导通电阻：4.2Ω@500mA，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP10H4D2S-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：380mW
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：1.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：87pF@25V
连续漏极电流：270mA
类型：P沟道
导通电阻：4.2Ω@500mA，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：7000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：1HN04CH-TL-W
工作温度：150℃
阈值电压：2.6V@100µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：0.9nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：15pF@20V
连续漏极电流：270mA
类型：N沟道
导通电阻：8Ω@140mA，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP10H4D2S-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：380mW
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：1.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：87pF@25V
连续漏极电流：270mA
类型：P沟道
导通电阻：4.2Ω@500mA，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP10H4D2S-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：380mW
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：1.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：87pF@25V
连续漏极电流：270mA
类型：P沟道
导通电阻：4.2Ω@500mA，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：1HN04CH-TL-W
工作温度：150℃
阈值电压：2.6V@100µA
栅极电荷：0.9nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：15pF@20V
连续漏极电流：270mA
类型：N沟道
导通电阻：8Ω@140mA，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP10H4D2S-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：380mW
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：1.8nC@10V
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输入电容：87pF@25V
连续漏极电流：270mA
类型：P沟道
导通电阻：4.2Ω@500mA，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP10H4D2S-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：380mW
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：1.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：87pF@25V
连续漏极电流：270mA
类型：P沟道
导通电阻：4.2Ω@500mA，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP10H4D2S-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：380mW
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：1.8nC@10V
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输入电容：87pF@25V
连续漏极电流：270mA
类型：P沟道
导通电阻：4.2Ω@500mA，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP10H4D2S-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：380mW
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：1.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：87pF@25V
连续漏极电流：270mA
类型：P沟道
导通电阻：4.2Ω@500mA，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP10H4D2S-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：380mW
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：1.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：87pF@25V
连续漏极电流：270mA
类型：P沟道
导通电阻：4.2Ω@500mA，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：7000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：1HN04CH-TL-W
工作温度：150℃
阈值电压：2.6V@100µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：0.9nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：15pF@20V
连续漏极电流：270mA
类型：N沟道
导通电阻：8Ω@140mA，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP10H4D2S-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：380mW
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：1.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：87pF@25V
连续漏极电流：270mA
类型：P沟道
导通电阻：4.2Ω@500mA，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP10H4D2S-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：380mW
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：1.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：87pF@25V
连续漏极电流：270mA
类型：P沟道
导通电阻：4.2Ω@500mA，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP10H4D2S-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：380mW
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：1.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：87pF@25V
连续漏极电流：270mA
类型：P沟道
导通电阻：4.2Ω@500mA，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP10H4D2S-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：380mW
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：1.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：87pF@25V
连续漏极电流：270mA
类型：P沟道
导通电阻：4.2Ω@500mA，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：汽车,工业
生产批次：{"22+"：7000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：1HN04CH-TL-W
包装方式：卷带（TR）
工作温度：150℃
类型：N沟道
输入电容：15pF@20V
栅极电荷：0.9nC@10V
连续漏极电流：270mA
导通电阻：8Ω@140mA，10V
阈值电压：2.6V@100µA
ECCN：EAR99
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
