品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP10H4D2S-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：380mW
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：1.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：87pF@25V
连续漏极电流：270mA
类型：P沟道
导通电阻：4.2Ω@500mA，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN313DLT-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：280mW
阈值电压：1.5V@250µA
栅极电荷：0.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：36.3pF@5V
连续漏极电流：270mA
类型：N沟道
导通电阻：2Ω@10mA，4V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN24H11DS-7
工作温度：-55℃~150℃
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：270mA
类型：N-Channel
导通电阻：11Ω
漏源电压：240V
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN24H11DS-7
工作温度：-55℃~150℃
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：270mA
类型：N-Channel
导通电阻：11Ω
漏源电压：240V
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP10H4D2S-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：380mW
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：1.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：87pF@25V
连续漏极电流：270mA
类型：P沟道
导通电阻：4.2Ω@500mA，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN24H11DSQ-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：750mW
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：3.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：76.8pF@25V
连续漏极电流：270mA
类型：N沟道
导通电阻：11Ω@300mA，10V
漏源电压：240V
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN24H11DSQ-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：750mW
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：3.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：76.8pF@25V
连续漏极电流：270mA
类型：N沟道
导通电阻：11Ω@300mA，10V
漏源电压：240V
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP10H4D2S-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：380mW
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：1.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：87pF@25V
连续漏极电流：270mA
类型：P沟道
导通电阻：4.2Ω@500mA，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
销售单位：个
规格型号(MPN)：BS170P
工作温度：-55℃~150℃
功率：625mW
阈值电压：3V@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：散装
输入电容：60pF@10V
连续漏极电流：270mA
类型：N沟道
导通电阻：5Ω@200mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN24H11DS-7
工作温度：-55℃~150℃
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：270mA
类型：N-Channel
导通电阻：11Ω
漏源电压：240V
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN24H11DSQ-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：750mW
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：3.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：76.8pF@25V
连续漏极电流：270mA
类型：N沟道
导通电阻：11Ω@300mA，10V
漏源电压：240V
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
销售单位：个
规格型号(MPN)：VN10LP
工作温度：-55℃~150℃
功率：625mW
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：散装
输入电容：60pF@25V
连续漏极电流：270mA
类型：N沟道
导通电阻：5Ω@500mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN24H11DS-7
工作温度：-55℃~150℃
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：270mA
类型：N-Channel
导通电阻：11Ω
漏源电压：240V
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN24H11DS-7
工作温度：-55℃~150℃
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：270mA
类型：N-Channel
导通电阻：11Ω
漏源电压：240V
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP10H4D2S-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：380mW
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：1.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：87pF@25V
连续漏极电流：270mA
类型：P沟道
导通电阻：4.2Ω@500mA，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：VN10LP
工作温度：-55℃~150℃
功率：625mW
阈值电压：2.5V@1mA
包装方式：散装
输入电容：60pF@25V
连续漏极电流：270mA
类型：N沟道
导通电阻：5Ω@500mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
销售单位：个
规格型号(MPN)：BS170P
工作温度：-55℃~150℃
功率：625mW
阈值电压：3V@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：散装
输入电容：60pF@10V
连续漏极电流：270mA
类型：N沟道
导通电阻：5Ω@200mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
销售单位：个
规格型号(MPN)：BS170P
工作温度：-55℃~150℃
功率：625mW
阈值电压：3V@1mA
包装方式：散装
输入电容：60pF@10V
连续漏极电流：270mA
类型：N沟道
导通电阻：5Ω@200mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
销售单位：个
规格型号(MPN)：BS170P
工作温度：-55℃~150℃
功率：625mW
阈值电压：3V@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：散装
输入电容：60pF@10V
连续漏极电流：270mA
类型：N沟道
导通电阻：5Ω@200mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP10H4D2S-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：380mW
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：1.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：87pF@25V
连续漏极电流：270mA
类型：P沟道
导通电阻：4.2Ω@500mA，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZVN3306A
工作温度：-55℃~150℃
功率：625mW
阈值电压：2.4V@1mA
包装方式：散装
输入电容：35pF@18V
连续漏极电流：270mA
类型：N沟道
导通电阻：5Ω@500mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN24H11DSQ-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：750mW
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：3.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：76.8pF@25V
连续漏极电流：270mA
类型：N沟道
导通电阻：11Ω@300mA，10V
漏源电压：240V
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN24H11DSQ-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：750mW
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：3.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：76.8pF@25V
连续漏极电流：270mA
类型：N沟道
导通电阻：11Ω@300mA，10V
漏源电压：240V
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN24H11DSQ-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：750mW
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：3.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：76.8pF@25V
连续漏极电流：270mA
类型：N沟道
导通电阻：11Ω@300mA，10V
漏源电压：240V
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BS170P
工作温度：-55℃~150℃
功率：625mW
阈值电压：3V@1mA
包装方式：散装
输入电容：60pF@10V
连续漏极电流：270mA
类型：N沟道
导通电阻：5Ω@200mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
销售单位：个
规格型号(MPN)：VN10LP
工作温度：-55℃~150℃
功率：625mW
阈值电压：2.5V@1mA
包装方式：散装
输入电容：60pF@25V
连续漏极电流：270mA
类型：N沟道
导通电阻：5Ω@500mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BS170P
工作温度：-55℃~150℃
功率：625mW
阈值电压：3V@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：散装
输入电容：60pF@10V
连续漏极电流：270mA
类型：N沟道
导通电阻：5Ω@200mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：VN10LP
工作温度：-55℃~150℃
功率：625mW
阈值电压：2.5V@1mA
包装方式：散装
输入电容：60pF@25V
连续漏极电流：270mA
类型：N沟道
导通电阻：5Ω@500mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZVN3306A
工作温度：-55℃~150℃
功率：625mW
阈值电压：2.4V@1mA
包装方式：散装
输入电容：35pF@18V
连续漏极电流：270mA
类型：N沟道
导通电阻：5Ω@500mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZVN3306A
工作温度：-55℃~150℃
功率：625mW
阈值电压：2.4V@1mA
包装方式：散装
输入电容：35pF@18V
连续漏极电流：270mA
类型：N沟道
导通电阻：5Ω@500mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
