品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2065UWQ-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：700mW
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：5.4nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：400pF@10V
连续漏极电流：3.1A
类型：N沟道
导通电阻：56mΩ@2A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2055UWQ-13
工作温度：-55℃~+150℃
功率：520mW
阈值电压：1V@250μA
栅极电荷：4.3nC@4.5V
输入电容：400pF@10V
连续漏极电流：3.1A
类型：1个N沟道
导通电阻：46mΩ@3.6A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2055UW-13
工作温度：-55℃~+150℃
功率：520mW
阈值电压：1V@250μA
栅极电荷：4.3nC@4.5V
输入电容：400pF@10V
连续漏极电流：3.1A
类型：1个N沟道
导通电阻：46mΩ@3.6A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP3105LVT-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.15W
阈值电压：1.5V@250µA
栅极电荷：19.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：839pF@15V
连续漏极电流：3.1A
类型：P沟道
导通电阻：75mΩ@4.2A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2055UW-7
工作温度：-55℃~+150℃
功率：520mW
阈值电压：1V@250μA
栅极电荷：4.3nC@4.5V
输入电容：400pF@10V
连续漏极电流：3.1A
类型：1个N沟道
导通电阻：46mΩ@3.6A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP2170U-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：780mW
阈值电压：1.25V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：7.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：303pF@10V
连续漏极电流：3.1A
类型：P-Channel
导通电阻：90mΩ@3.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2065UWQ-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：700mW
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：5.4nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：400pF@10V
连续漏极电流：3.1A
类型：N沟道
导通电阻：56mΩ@2A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP2170U-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：780mW
阈值电压：1.25V@250µA
栅极电荷：7.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：303pF@10V
连续漏极电流：3.1A
类型：P-Channel
导通电阻：90mΩ@3.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMN6A11GTA
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：5.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：330pF@40V
连续漏极电流：3.1A
类型：N沟道
导通电阻：120mΩ@2.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP2170U-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：780mW
阈值电压：1.25V@250µA
栅极电荷：7.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：303pF@10V
连续漏极电流：3.1A
类型：P-Channel
导通电阻：90mΩ@3.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2065UWQ-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：700mW
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：5.4nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：400pF@10V
连续漏极电流：3.1A
类型：N沟道
导通电阻：56mΩ@2A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMN6A11GTA
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：5.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：330pF@40V
连续漏极电流：3.1A
类型：N沟道
导通电阻：120mΩ@2.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2065UWQ-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：700mW
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：5.4nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：400pF@10V
连续漏极电流：3.1A
类型：N沟道
导通电阻：56mΩ@2A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP2170U-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：780mW
阈值电压：1.25V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：7.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：303pF@10V
连续漏极电流：3.1A
类型：P-Channel
导通电阻：90mΩ@3.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2055UW-13
工作温度：-55℃~+150℃
功率：520mW
阈值电压：1V@250μA
栅极电荷：4.3nC@4.5V
输入电容：400pF@10V
连续漏极电流：3.1A
类型：1个N沟道
导通电阻：46mΩ@3.6A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2065UWQ-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：700mW
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：5.4nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：400pF@10V
连续漏极电流：3.1A
类型：N沟道
导通电阻：56mΩ@2A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2065UWQ-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：700mW
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：5.4nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：400pF@10V
连续漏极电流：3.1A
类型：N沟道
导通电阻：56mΩ@2A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMN6A11GTA
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：5.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：330pF@40V
连续漏极电流：3.1A
类型：N沟道
导通电阻：120mΩ@2.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2055UW-13
工作温度：-55℃~+150℃
功率：520mW
阈值电压：1V@250μA
栅极电荷：4.3nC@4.5V
输入电容：400pF@10V
连续漏极电流：3.1A
类型：1个N沟道
导通电阻：46mΩ@3.6A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2065UWQ-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：700mW
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：5.4nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：400pF@10V
连续漏极电流：3.1A
类型：N沟道
导通电阻：56mΩ@2A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2055UW-7
工作温度：-55℃~+150℃
功率：520mW
阈值电压：1V@250μA
栅极电荷：4.3nC@4.5V
输入电容：400pF@10V
连续漏极电流：3.1A
类型：1个N沟道
导通电阻：46mΩ@3.6A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2065UWQ-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：700mW
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：5.4nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：400pF@10V
连续漏极电流：3.1A
类型：N沟道
导通电阻：56mΩ@2A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2055UWQ-13
工作温度：-55℃~+150℃
功率：520mW
阈值电压：1V@250μA
栅极电荷：4.3nC@4.5V
输入电容：400pF@10V
连续漏极电流：3.1A
类型：1个N沟道
导通电阻：46mΩ@3.6A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2055UW-7
工作温度：-55℃~+150℃
功率：520mW
阈值电压：1V@250μA
栅极电荷：4.3nC@4.5V
输入电容：400pF@10V
连续漏极电流：3.1A
类型：1个N沟道
导通电阻：46mΩ@3.6A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2055UW-7
工作温度：-55℃~+150℃
功率：520mW
阈值电压：1V@250μA
栅极电荷：4.3nC@4.5V
输入电容：400pF@10V
连续漏极电流：3.1A
类型：1个N沟道
导通电阻：46mΩ@3.6A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2055UW-7
工作温度：-55℃~+150℃
功率：520mW
阈值电压：1V@250μA
栅极电荷：4.3nC@4.5V
输入电容：400pF@10V
连续漏极电流：3.1A
类型：1个N沟道
导通电阻：46mΩ@3.6A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2055UW-13
工作温度：-55℃~+150℃
功率：520mW
阈值电压：1V@250μA
栅极电荷：4.3nC@4.5V
输入电容：400pF@10V
连续漏极电流：3.1A
类型：1个N沟道
导通电阻：46mΩ@3.6A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2055UWQ-13
工作温度：-55℃~+150℃
功率：520mW
阈值电压：1V@250μA
栅极电荷：4.3nC@4.5V
输入电容：400pF@10V
连续漏极电流：3.1A
类型：1个N沟道
导通电阻：46mΩ@3.6A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2055UW-7
工作温度：-55℃~+150℃
功率：520mW
阈值电压：1V@250μA
栅极电荷：4.3nC@4.5V
输入电容：400pF@10V
连续漏极电流：3.1A
类型：1个N沟道
导通电阻：46mΩ@3.6A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2065UWQ-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：700mW
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：5.4nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：400pF@10V
连续漏极电流：3.1A
类型：N沟道
导通电阻：56mΩ@2A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
