品牌：杰盛微
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF830PBF
功率：33W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：12nC@10V
输入电容：560pF@25V
连续漏极电流：4A
类型：1个N沟道
反向传输电容：10pF@25V
导通电阻：2.2Ω@10V，2A
漏源电压：550V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD5N50NZTM
工作温度：-55℃~+150℃
功率：62W
阈值电压：5V@250μA
栅极电荷：12nC@10V
输入电容：440pF@25V
连续漏极电流：4A
类型：1个N沟道
导通电阻：1.5Ω@2A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM4N60ECP ROG
工作温度：150℃
功率：86.2W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：12nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：545pF@25V
连续漏极电流：4A
类型：N沟道
导通电阻：2.5Ω@2A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：杰盛微
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF830APBF
功率：33W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：12nC@10V
输入电容：560pF@25V
连续漏极电流：4A
类型：1个N沟道
反向传输电容：10pF@25V
导通电阻：2.2Ω@10V，2A
漏源电压：550V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：杰盛微
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF830APBF
功率：33W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：12nC@10V
输入电容：560pF@25V
连续漏极电流：4A
类型：1个N沟道
反向传输电容：10pF@25V
导通电阻：2.2Ω@10V，2A
漏源电压：550V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：杰盛微
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF830PBF
功率：33W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：12nC@10V
输入电容：560pF@25V
连续漏极电流：4A
类型：1个N沟道
反向传输电容：10pF@25V
导通电阻：2.2Ω@10V，2A
漏源电压：550V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：杰盛微
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF830PBF
功率：33W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：12nC@10V
输入电容：560pF@25V
连续漏极电流：4A
类型：1个N沟道
反向传输电容：10pF@25V
导通电阻：2.2Ω@10V，2A
漏源电压：550V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM4N60ECP ROG
工作温度：150℃
功率：86.2W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：12nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：545pF@25V
连续漏极电流：4A
类型：N沟道
导通电阻：2.5Ω@2A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM4N60ECP ROG
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：4A
导通电阻：2.5Ω@2A，10V
工作温度：150℃
阈值电压：5V@250µA
类型：N沟道
栅极电荷：12nC@10V
功率：86.2W
输入电容：545pF@25V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
品牌：FAIRCHILD
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD5N50NZTM
工作温度：-55℃~150℃
功率：62W
阈值电压：5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：12nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：440pF@25V
连续漏极电流：4A
类型：N沟道
导通电阻：1.5Ω@2A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
品牌：FAIRCHILD
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD5N50NZTM
工作温度：-55℃~150℃
功率：62W
阈值电压：5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：12nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：440pF@25V
连续漏极电流：4A
类型：N沟道
导通电阻：1.5Ω@2A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SPD04P10PGBTMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：38W
阈值电压：4V@380µA
栅极电荷：12nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：319pF@25V
连续漏极电流：4A
类型：P沟道
导通电阻：1Ω@2.8A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMPB55ENEAX
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.65W
阈值电压：2.7V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：12nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：435pF@30V
连续漏极电流：4A
类型：N沟道
导通电阻：56mΩ@10A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMPB55ENEAX
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.65W
阈值电压：2.7V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：12nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：435pF@30V
连续漏极电流：4A
类型：N沟道
导通电阻：56mΩ@10A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMPB55ENEAX
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.65W
阈值电压：2.7V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：12nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：435pF@30V
连续漏极电流：4A
类型：N沟道
导通电阻：56mΩ@10A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IXTP8N70X2M
工作温度：-55℃~150℃
功率：32W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：12nC@10V
包装方式：管件
输入电容：800pF@10V
连续漏极电流：4A
类型：N沟道
导通电阻：550mΩ@500mA，10V
漏源电压：700V
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMPB55ENEAX
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.65W
阈值电压：2.7V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：12nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：435pF@30V
连续漏极电流：4A
类型：N沟道
导通电阻：56mΩ@10A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
品牌：FAIRCHILD
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD5N50NZTM
工作温度：-55℃~150℃
功率：62W
阈值电压：5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：12nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：440pF@25V
连续漏极电流：4A
类型：N沟道
导通电阻：1.5Ω@2A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMPB55ENEAX
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.65W
阈值电压：2.7V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：12nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：435pF@30V
连续漏极电流：4A
类型：N沟道
导通电阻：56mΩ@10A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
品牌：FAIRCHILD
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD5N50NZTM
工作温度：-55℃~150℃
功率：62W
阈值电压：5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：12nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：440pF@25V
连续漏极电流：4A
类型：N沟道
导通电阻：1.5Ω@2A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
品牌：FAIRCHILD
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD5N50NZTM
工作温度：-55℃~150℃
功率：62W
阈值电压：5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：12nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：440pF@25V
连续漏极电流：4A
类型：N沟道
导通电阻：1.5Ω@2A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IXTP8N70X2M
工作温度：-55℃~150℃
功率：32W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：12nC@10V
包装方式：管件
输入电容：800pF@10V
连续漏极电流：4A
类型：N沟道
导通电阻：550mΩ@500mA，10V
漏源电压：700V
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMPB55ENEAX
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.65W
阈值电压：2.7V@250µA
栅极电荷：12nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：435pF@30V
连续漏极电流：4A
类型：N沟道
导通电阻：56mΩ@10A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
品牌：FAIRCHILD
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD5N50NZTM
工作温度：-55℃~150℃
功率：62W
阈值电压：5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：12nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：440pF@25V
连续漏极电流：4A
类型：N沟道
导通电阻：1.5Ω@2A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
品牌：FAIRCHILD
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD5N50NZTM
工作温度：-55℃~150℃
功率：62W
阈值电压：5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：12nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：440pF@25V
连续漏极电流：4A
类型：N沟道
导通电阻：1.5Ω@2A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
品牌：IXYS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IXTP8N65X2M
工作温度：-55℃~150℃
功率：32W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：12nC@10V
包装方式：Tube
输入电容：800pF@25V
连续漏极电流：4A
类型：N沟道
导通电阻：550mΩ@4A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IXTP8N70X2M
工作温度：-55℃~150℃
功率：32W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：12nC@10V
包装方式：管件
输入电容：800pF@10V
连续漏极电流：4A
类型：N沟道
导通电阻：550mΩ@500mA，10V
漏源电压：700V
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMPB55ENEAX
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.65W
阈值电压：2.7V@250µA
栅极电荷：12nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：435pF@30V
连续漏极电流：4A
类型：N沟道
导通电阻：56mΩ@10A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IXTP8N65X2M
工作温度：-55℃~150℃
功率：32W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：12nC@10V
包装方式：Tube
输入电容：800pF@25V
连续漏极电流：4A
类型：N沟道
导通电阻：550mΩ@4A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IXTP8N65X2M
工作温度：-55℃~150℃
功率：32W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：12nC@10V
包装方式：Tube
输入电容：800pF@25V
连续漏极电流：4A
类型：N沟道
导通电阻：550mΩ@4A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
