品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):75psc
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM4NB60CH C5G
工作温度:-55℃~150℃
功率:50W
阈值电压:4.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:14.5nC@10V
包装方式:管件
输入电容:500pF@25V
连续漏极电流:4A
类型:N沟道
导通电阻:2.5Ω@2A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:有货
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM4N90CZ C0G
工作温度:-55℃~150℃
功率:38.7W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:25nC@10V
包装方式:管件
输入电容:955pF@25V
连续漏极电流:4A
类型:N沟道
导通电阻:4Ω@2A,10V
漏源电压:900V
包装清单:商品主体 * 1
库存:有货
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM4N90CZ C0G
工作温度:-55℃~150℃
功率:38.7W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:25nC@10V
包装方式:管件
输入电容:955pF@25V
连续漏极电流:4A
类型:N沟道
导通电阻:4Ω@2A,10V
漏源电压:900V
包装清单:商品主体 * 1
库存:有货
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):75psc
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM4NB60CH C5G
工作温度:-55℃~150℃
功率:50W
阈值电压:4.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:14.5nC@10V
包装方式:管件
输入电容:500pF@25V
连续漏极电流:4A
类型:N沟道
导通电阻:2.5Ω@2A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:有货
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):75psc
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM4NB60CH C5G
工作温度:-55℃~150℃
功率:50W
阈值电压:4.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:14.5nC@10V
包装方式:管件
输入电容:500pF@25V
连续漏极电流:4A
类型:N沟道
导通电阻:2.5Ω@2A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:有货
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM4N90CZ C0G
工作温度:-55℃~150℃
功率:38.7W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:25nC@10V
包装方式:管件
输入电容:955pF@25V
连续漏极电流:4A
类型:N沟道
导通电阻:4Ω@2A,10V
漏源电压:900V
包装清单:商品主体 * 1
库存:有货
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):75psc
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM4NB60CH C5G
工作温度:-55℃~150℃
功率:50W
阈值电压:4.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:14.5nC@10V
包装方式:管件
输入电容:500pF@25V
连续漏极电流:4A
类型:N沟道
导通电阻:2.5Ω@2A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:有货
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM60NB900CH C5G
工作温度:-55℃~150℃
功率:36.8W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:9.6nC@10V
包装方式:管件
输入电容:315pF@100V
连续漏极电流:4A
类型:N沟道
导通电阻:900mΩ@1.2A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:有货
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):TK4A80E,S4X
工作温度:150℃
功率:35W
阈值电压:4V@400µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:15nC@10V
包装方式:管件
输入电容:650pF@25V
连续漏极电流:4A
类型:N沟道
导通电阻:3.5Ω@2A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:有货
包装规格(MPQ):70psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IXTY4N65X2
工作温度:-55℃~150℃
功率:80W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:8.3nC@10V
包装方式:管件
输入电容:455pF@25V
连续漏极电流:4A
类型:N沟道
导通电阻:850mΩ@2A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:无货
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):R6004JNXC7G
工作温度:-55℃~150℃
功率:35W
阈值电压:7V@450µA
栅极电荷:10.5nC@15V
包装方式:管件
输入电容:260pF@100V
连续漏极电流:4A
类型:N沟道
导通电阻:1.43Ω@2A,15V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:无货
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STP4NK60Z
工作温度:150℃
功率:70W
阈值电压:4.5V@50µA
栅极电荷:26nC@10V
包装方式:管件
输入电容:510pF@25V
连续漏极电流:4A
类型:N沟道
导通电阻:2Ω@2A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:无货
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STP4NK60ZFP
工作温度:150℃
功率:25W
阈值电压:4.5V@50µA
栅极电荷:26nC@10V
包装方式:管件
输入电容:510pF@25V
连续漏极电流:4A
类型:N-Channel
导通电阻:2Ω@2A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:无货
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF9510PBF
工作温度:-55℃~175℃
功率:43W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:8.7nC@10V
包装方式:管件
输入电容:200pF@25V
连续漏极电流:4A
类型:P沟道
导通电阻:1.2Ω@2.4A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:无货
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STW4N150
工作温度:150℃
功率:160W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:50nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1300pF@25V
连续漏极电流:4A
类型:N沟道
导通电阻:7Ω@2A,10V
漏源电压:1500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:无货
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STP4NK60ZFP
工作温度:150℃
功率:25W
阈值电压:4.5V@50µA
栅极电荷:26nC@10V
包装方式:管件
输入电容:510pF@25V
连续漏极电流:4A
类型:N沟道
导通电阻:2Ω@2A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:无货
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STP4N150
工作温度:150℃
功率:160W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:50nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1300pF@25V
连续漏极电流:4A
类型:N沟道
导通电阻:7Ω@2A,10V
漏源电压:1500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:无货
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STF5N95K3
工作温度:-55℃~150℃
功率:25W
阈值电压:5V@100µA
栅极电荷:19nC@10V
包装方式:管件
输入电容:460pF@25V
连续漏极电流:4A
类型:N沟道
导通电阻:3.5Ω@2A,10V
漏源电压:950V
包装清单:商品主体 * 1
库存:无货
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STP4NK60ZFP
工作温度:150℃
功率:25W
阈值电压:4.5V@50µA
栅极电荷:26nC@10V
包装方式:管件
输入电容:510pF@25V
连续漏极电流:4A
类型:N-Channel
导通电阻:2Ω@2A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:无货
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STP4N150
工作温度:150℃
功率:160W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:50nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1300pF@25V
连续漏极电流:4A
类型:N沟道
导通电阻:7Ω@2A,10V
漏源电压:1500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:无货
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SPP04N80C3XKSA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:63W
阈值电压:3.9V@240µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:31nC@10V
包装方式:管件
输入电容:570pF@100V
连续漏极电流:4A
类型:N沟道
导通电阻:1.3Ω@2.5A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:无货
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STW7N105K5
工作温度:-55℃~150℃
功率:110W
阈值电压:5V@100µA
栅极电荷:17nC@10V
包装方式:管件
输入电容:380pF@100V
连续漏极电流:4A
类型:N沟道
导通电阻:2Ω@2A,10V
漏源电压:1050V
包装清单:商品主体 * 1
库存:无货
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"20+":5454}
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FQPF4N90C
工作温度:-55℃~150℃
功率:47W
阈值电压:5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:22nC@10V
包装方式:管件
输入电容:960pF@25V
连续漏极电流:4A
类型:N沟道
导通电阻:4.2Ω@2A,10V
漏源电压:900V
包装清单:商品主体 * 1
库存:无货
品牌:IXYS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IXTP4N70X2M
工作温度:-55℃~150℃
功率:30W
阈值电压:4.5V@250µA
栅极电荷:11.8nC@10V
包装方式:管件
输入电容:386pF@25V
连续漏极电流:4A
类型:N沟道
导通电阻:850mΩ@2A,10V
漏源电压:700V
包装清单:商品主体 * 1
库存:无货
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF9510PBF
工作温度:-55℃~175℃
功率:43W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:8.7nC@10V
包装方式:管件
输入电容:200pF@25V
连续漏极电流:4A
类型:P沟道
导通电阻:1.2Ω@2.4A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:无货
品牌:RENESAS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):2SK1835-E
工作温度:150℃
功率:125W
包装方式:管件
输入电容:1700pF@10V
连续漏极电流:4A
类型:N沟道
导通电阻:7Ω@2A,15V
漏源电压:1500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:无货
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STP5N80K5
工作温度:-55℃~150℃
功率:60W
阈值电压:5V@100µA
栅极电荷:5nC@10V
包装方式:管件
输入电容:177pF@100V
连续漏极电流:4A
类型:N沟道
导通电阻:1.75Ω@2A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:无货
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IXTA4N65X2
工作温度:-55℃~150℃
功率:80W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:8.3nC@10V
包装方式:管件
输入电容:455pF@25V
连续漏极电流:4A
类型:N沟道
导通电阻:850mΩ@2A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:无货
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STP5N80K5
工作温度:-55℃~150℃
功率:60W
阈值电压:5V@100µA
栅极电荷:5nC@10V
包装方式:管件
输入电容:177pF@100V
连续漏极电流:4A
类型:N沟道
导通电阻:1.75Ω@2A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:无货