品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：G04P10HE
功率：1.2W
阈值电压：1.55V
连续漏极电流：4A
类型：1个P沟道
导通电阻：177mΩ
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：SUPERDIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQT7N10LTF-ES
功率：3.1W
阈值电压：1.7V@250μA
输入电容：650pF@25V
连续漏极电流：4A
反向传输电容：25pF@25V
导通电阻：125mΩ@10V，4A
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：G04P10HE
功率：1.2W
阈值电压：1.55V
连续漏极电流：4A
类型：1个P沟道
导通电阻：177mΩ
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：SUPERDIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQT7N10LTF-ES
功率：3.1W
阈值电压：1.7V@250μA
输入电容：650pF@25V
连续漏极电流：4A
反向传输电容：25pF@25V
导通电阻：125mΩ@10V，4A
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：SUPERDIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFL4310TRPBF-ES
功率：3.1W
阈值电压：1.7V@250μA
输入电容：650pF@25V
连续漏极电流：4A
反向传输电容：25pF@25V
导通电阻：125mΩ@10V，4A
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
销售单位：个
规格型号(MPN)：AO4892
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：4A
类型：N-Channel
导通电阻：68mΩ@4A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF9510STRLPBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.7W€43W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：8.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：200pF@25V
连续漏极电流：4A
类型：P沟道
导通电阻：1.2Ω@2.4A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
品牌：SANKEN
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：GKI10526
工作温度：150℃
功率：3.1W€46W
阈值电压：2.5V@350µA
栅极电荷：23nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1530pF@25V
连续漏极电流：4A
类型：N沟道
导通电阻：47.7mΩ@9.3A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF9510STRLPBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.7W€43W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：8.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：200pF@25V
连续漏极电流：4A
类型：P沟道
导通电阻：1.2Ω@2.4A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF9510PBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：43W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：8.7nC@10V
包装方式：管件
输入电容：200pF@25V
连续漏极电流：4A
类型：P沟道
导通电阻：1.2Ω@2.4A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF9510STRLPBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.7W€43W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：8.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：200pF@25V
连续漏极电流：4A
类型：P沟道
导通电阻：1.2Ω@2.4A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMT10H072LFDF-7
工作温度：-55℃~+150℃
功率：800mW
阈值电压：3V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：5.1nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：266pF@50V
连续漏极电流：4A
类型：1个N沟道
导通电阻：62mΩ@4.5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF9510PBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：43W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：8.7nC@10V
包装方式：管件
输入电容：200pF@25V
连续漏极电流：4A
类型：P沟道
导通电阻：1.2Ω@2.4A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMT10H072LFDFQ-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.8W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：4.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：228pF@50V
连续漏极电流：4A
类型：N沟道
导通电阻：62mΩ@4.5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMT10H072LFDF-7
工作温度：-55℃~+150℃
功率：800mW
阈值电压：3V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：5.1nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：266pF@50V
连续漏极电流：4A
类型：1个N沟道
导通电阻：62mΩ@4.5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
销售单位：个
规格型号(MPN)：MCT04N10B-TP
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.25W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：22nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1143pF@50V
连续漏极电流：4A
类型：N沟道
导通电阻：105mΩ@5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
销售单位：个
规格型号(MPN)：EPC8010
工作温度：-40℃~150℃
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：0.48nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：55pF@50V
连续漏极电流：4A
类型：N沟道
导通电阻：160mΩ@500mA，5V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
销售单位：个
规格型号(MPN)：MCT04N10B-TP
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.25W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：22nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1143pF@50V
连续漏极电流：4A
类型：N沟道
导通电阻：105mΩ@5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SPD04P10PGBTMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：38W
阈值电压：4V@380µA
栅极电荷：12nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：319pF@25V
连续漏极电流：4A
类型：P沟道
导通电阻：1Ω@2.8A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
销售单位：个
规格型号(MPN)：MCT04N10B-TP
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.25W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：22nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1143pF@50V
连续漏极电流：4A
类型：N沟道
导通电阻：105mΩ@5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF9510PBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：43W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：8.7nC@10V
包装方式：管件
输入电容：200pF@25V
连续漏极电流：4A
类型：P沟道
导通电阻：1.2Ω@2.4A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF9510SPBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：43W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：8.7nC@10V
包装方式：管件
输入电容：200pF@25V
连续漏极电流：4A
类型：P沟道
导通电阻：1.2Ω@2.4A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMT10H072LFDF-7
工作温度：-55℃~+150℃
功率：800mW
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：5.1nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：266pF@50V
连续漏极电流：4A
类型：1个N沟道
导通电阻：62mΩ@4.5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
销售单位：个
规格型号(MPN)：AO4892
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：4A
类型：N-Channel
导通电阻：68mΩ@4A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
销售单位：个
规格型号(MPN)：EPC8010
工作温度：-40℃~150℃
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：0.48nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：55pF@50V
连续漏极电流：4A
类型：N沟道
导通电阻：160mΩ@500mA，5V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
销售单位：个
规格型号(MPN)：AO4892
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：4A
类型：N-Channel
导通电阻：68mΩ@4A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMT10H072LFDFQ-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.8W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：4.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：228pF@50V
连续漏极电流：4A
类型：N沟道
导通电阻：62mΩ@4.5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF9510PBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：43W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：8.7nC@10V
包装方式：管件
输入电容：200pF@25V
连续漏极电流：4A
类型：P沟道
导通电阻：1.2Ω@2.4A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF9510STRLPBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.7W€43W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：8.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：200pF@25V
连续漏极电流：4A
类型：P沟道
导通电阻：1.2Ω@2.4A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMT10H072LFDF-7
工作温度：-55℃~+150℃
功率：800mW
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：5.1nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：266pF@50V
连续漏极电流：4A
类型：1个N沟道
导通电阻：62mΩ@4.5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
