品牌：UMW
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：UMW4N65F
功率：33W
阈值电压：4V@250μA
连续漏极电流：4A
类型：1个N沟道
导通电阻：2.8Ω@10V，2A
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：UMW
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：UMW4N65F
功率：33W
阈值电压：4V@250μA
连续漏极电流：4A
类型：1个N沟道
导通电阻：2.8Ω@10V，2A
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM4NB65CP ROG
工作温度：-55℃~150℃
功率：70W
阈值电压：4.5V@250µA
栅极电荷：13.46nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：549pF@25V
连续漏极电流：4A
类型：N沟道
导通电阻：3.37Ω@2A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：蓝箭电子（BLUE ROCKET ELECTRONICS）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BRI4N65
功率：33W
阈值电压：4V@250μA
连续漏极电流：4A
类型：1个N沟道
导通电阻：2.7Ω@10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：MINOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MPF4N65
工作温度：-55℃~+150℃
功率：25W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：15nC@10V
输入电容：545pF@25V
连续漏极电流：4A
类型：1个N沟道
反向传输电容：4.5pF@25V
导通电阻：2Ω@10V，2A
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：MOT
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MOT4N65C
工作温度：-55℃~+150℃
功率：50W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：19nC@10V
输入电容：520pF@25V
连续漏极电流：4A
类型：1个N沟道
反向传输电容：13pF@25V
导通电阻：2.41Ω@10V，2A
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：WEIDA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：2N65M
连续漏极电流：4A
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：MOT
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MOT4N65C
工作温度：-55℃~+150℃
功率：50W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：19nC@10V
输入电容：520pF@25V
连续漏极电流：4A
类型：1个N沟道
反向传输电容：13pF@25V
导通电阻：2.41Ω@10V，2A
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：MOT
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MOT4N65C
工作温度：-55℃~+150℃
功率：50W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：19nC@10V
输入电容：520pF@25V
连续漏极电流：4A
类型：1个N沟道
反向传输电容：13pF@25V
导通电阻：2.41Ω@10V，2A
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：MOT
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MOT4N65T
工作温度：-55℃~+150℃
功率：106W
阈值电压：4.5V@250μA
栅极电荷：15nC@10V
输入电容：520pF@25V
连续漏极电流：4A
类型：1个N沟道
反向传输电容：8pF@25V
导通电阻：2.4Ω@10V，2A
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：UMW
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：UMW4N65F
功率：33W
阈值电压：4V@250μA
连续漏极电流：4A
类型：1个N沟道
导通电阻：2.8Ω@10V，2A
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM4NB65CP ROG
工作温度：-55℃~150℃
功率：70W
阈值电压：4.5V@250µA
栅极电荷：13.46nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：549pF@25V
连续漏极电流：4A
类型：N沟道
导通电阻：3.37Ω@2A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：蓝箭电子（BLUE ROCKET ELECTRONICS）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BRI4N65
功率：33W
阈值电压：4V@250μA
连续漏极电流：4A
类型：1个N沟道
导通电阻：2.7Ω@10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：蓝箭电子（BLUE ROCKET ELECTRONICS）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BRF4N65
功率：33W
阈值电压：4V@250μA
连续漏极电流：4A
类型：1个N沟道
导通电阻：2.7Ω@10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：蓝箭电子（BLUE ROCKET ELECTRONICS）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BRD4N65
功率：75W
阈值电压：4V@250μA
连续漏极电流：4A
类型：1个N沟道
导通电阻：2.7Ω@10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：WEIDA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：2N65M
连续漏极电流：4A
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：MINOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MDT4N65
工作温度：-55℃~+150℃
功率：50W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：15nC@10V
输入电容：545pF@25V
连续漏极电流：4A
类型：1个N沟道
反向传输电容：8pF@25V
导通电阻：2Ω@10V，1A
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：MINOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：汽车,工业
销售单位：个
规格型号(MPN)：MPF4N65
连续漏极电流：4A
类型：1个N沟道
功率：25W
漏源电压：650V
阈值电压：4V@250μA
输入电容：545pF@25V
反向传输电容：4.5pF@25V
栅极电荷：15nC@10V
工作温度：-55℃~+150℃
导通电阻：2Ω@10V，2A
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
包装规格(MPQ)：70psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IXTY4N65X2
工作温度：-55℃~150℃
功率：80W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：8.3nC@10V
包装方式：管件
输入电容：455pF@25V
连续漏极电流：4A
类型：N沟道
导通电阻：850mΩ@2A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IXTA4N65X2
工作温度：-55℃~150℃
功率：80W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：8.3nC@10V
包装方式：管件
输入电容：455pF@25V
连续漏极电流：4A
类型：N沟道
导通电阻：850mΩ@2A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IXTA4N65X2
工作温度：-55℃~150℃
功率：80W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：8.3nC@10V
包装方式：管件
输入电容：455pF@25V
连续漏极电流：4A
类型：N沟道
导通电阻：850mΩ@2A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：R6504END3TL1
功率：58W
阈值电压：4V@130μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：15nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：220pF@25V
连续漏极电流：4A
类型：1个N沟道
导通电阻：1.05Ω@1.5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：R6504END3TL1
功率：58W
阈值电压：4V@130μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：15nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：220pF@25V
连续漏极电流：4A
类型：1个N沟道
导通电阻：1.05Ω@1.5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：R6504END3TL1
功率：58W
阈值电压：4V@130μA
栅极电荷：15nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：220pF@25V
连续漏极电流：4A
类型：1个N沟道
导通电阻：1.05Ω@1.5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：R6504END3TL1
功率：58W
阈值电压：4V@130μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：15nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：220pF@25V
连续漏极电流：4A
类型：1个N沟道
导通电阻：1.05Ω@1.5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：R6504END3TL1
功率：58W
阈值电压：4V@130μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：15nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：220pF@25V
连续漏极电流：4A
类型：1个N沟道
导通电阻：1.05Ω@1.5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
销售单位：个
规格型号(MPN)：STF6N65M2
工作温度：-55℃~150℃
功率：20W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：9.8nC@10V
包装方式：管件
输入电容：226pF@100V
连续漏极电流：4A
类型：N沟道
导通电阻：1.35Ω@2A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：R6504END3TL1
功率：58W
阈值电压：4V@130μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：15nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：220pF@25V
连续漏极电流：4A
类型：1个N沟道
导通电阻：1.05Ω@1.5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
品牌：IXYS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IXTP4N65X2
工作温度：-55℃~150℃
功率：80W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：8.3nC@10V
包装方式：Tube
输入电容：455pF@25V
连续漏极电流：4A
类型：N沟道
导通电阻：850mΩ@2A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
品牌：IXYS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IXTP8N65X2M
工作温度：-55℃~150℃
功率：32W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：12nC@10V
包装方式：Tube
输入电容：800pF@25V
连续漏极电流：4A
类型：N沟道
导通电阻：550mΩ@4A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
