品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：G06P01E
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.8W
阈值电压：1V@250μA
栅极电荷：14nC@4.5V
输入电容：1.087nF@6V
连续漏极电流：4A
类型：1个P沟道
导通电阻：28mΩ@3A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RAF040P01TCL
工作温度：150℃
功率：800mW
阈值电压：1V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：37nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4000pF@6V
连续漏极电流：4A
类型：P沟道
导通电阻：30mΩ@4A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：G06P01E
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.8W
阈值电压：1V@250μA
栅极电荷：14nC@4.5V
输入电容：1.087nF@6V
连续漏极电流：4A
类型：1个P沟道
导通电阻：28mΩ@3A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：G06P01E
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.8W
阈值电压：1V@250μA
栅极电荷：14nC@4.5V
输入电容：1.087nF@6V
连续漏极电流：4A
类型：1个P沟道
导通电阻：28mΩ@3A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：G06P01E
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.8W
阈值电压：1V@250μA
栅极电荷：14nC@4.5V
输入电容：1.087nF@6V
连续漏极电流：4A
类型：1个P沟道
导通电阻：28mΩ@3A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：G06P01E
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.8W
阈值电压：1V@250μA
栅极电荷：14nC@4.5V
输入电容：1.087nF@6V
连续漏极电流：4A
类型：1个P沟道
导通电阻：28mΩ@3A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RQ5A040ZPTL
工作温度：150℃
功率：700mW
栅极电荷：30nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：4A
类型：P-Channel
导通电阻：30mΩ@4A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP1045U-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：800mW
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：15.8nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1357pF@10V
连续漏极电流：4A
类型：P沟道
导通电阻：31mΩ@4A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP1045U-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：800mW
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：15.8nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1357pF@10V
连续漏极电流：4A
类型：P沟道
导通电阻：31mΩ@4A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
销售单位：个
规格型号(MPN)：RAF040P01TCL
工作温度：-55℃~150℃
功率：800mW
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：4A
导通电阻：22mΩ
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
销售单位：个
规格型号(MPN)：RAF040P01TCL
工作温度：-55℃~150℃
功率：800mW
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：4A
导通电阻：22mΩ
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
销售单位：个
规格型号(MPN)：RZR040P01TL
工作温度：150℃
功率：1W
阈值电压：1V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：30nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2350pF@6V
连续漏极电流：4A
类型：P沟道
导通电阻：30mΩ@4A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
生产批次：1602
销售单位：个
规格型号(MPN)：RAF040P01TCL
工作温度：-55℃~150℃
功率：800mW
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：4A
导通电阻：22mΩ
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI1401EDH-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.6W€2.8W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：36nC@8V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：4A
类型：P沟道
导通电阻：34mΩ@5.5A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
销售单位：个
规格型号(MPN)：QS8J2TR
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.5W
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：4A
导通电阻：26mΩ
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
销售单位：个
规格型号(MPN)：QS8J2TR
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.5W
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：4A
导通电阻：26mΩ
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
生产批次：1602
销售单位：个
规格型号(MPN)：RAF040P01TCL
工作温度：-55℃~150℃
功率：800mW
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：4A
导通电阻：22mΩ
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
生产批次：1602
销售单位：个
规格型号(MPN)：RAF040P01TCL
工作温度：-55℃~150℃
功率：800mW
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：4A
导通电阻：22mΩ
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
销售单位：个
规格型号(MPN)：QS8J2TR
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.5W
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：4A
导通电阻：26mΩ
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
销售单位：个
规格型号(MPN)：RZR040P01TL
工作温度：150℃
功率：1W
阈值电压：1V@1mA
栅极电荷：30nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2350pF@6V
连续漏极电流：4A
类型：P沟道
导通电阻：30mΩ@4A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
销售单位：个
规格型号(MPN)：RZR040P01TL
工作温度：150℃
功率：1W
阈值电压：1V@1mA
栅极电荷：30nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2350pF@6V
连续漏极电流：4A
类型：P沟道
导通电阻：30mΩ@4A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
销售单位：个
规格型号(MPN)：RZR040P01TL
工作温度：150℃
功率：1W
阈值电压：1V@1mA
栅极电荷：30nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2350pF@6V
连续漏极电流：4A
类型：P沟道
导通电阻：30mΩ@4A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
销售单位：个
规格型号(MPN)：QS8J2TR
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.5W
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：4A
导通电阻：26mΩ
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP1045UQ-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：800mW
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：15.8nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1357pF@10V
连续漏极电流：4A
类型：P沟道
导通电阻：31mΩ@4A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
销售单位：个
规格型号(MPN)：QS8J2TR
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.5W
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：4A
导通电阻：26mΩ
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI1442DH-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.56W€2.8W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：33nC@8V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1010pF@6V
连续漏极电流：4A
类型：N沟道
导通电阻：20mΩ@6A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
销售单位：个
规格型号(MPN)：QS8J2TR
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.5W
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：4A
导通电阻：26mΩ
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
销售单位：个
规格型号(MPN)：RQ5A040ZPTL
工作温度：150℃
功率：700mW
栅极电荷：30nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：4A
类型：P-Channel
导通电阻：30mΩ@4A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI1442DH-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.56W€2.8W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：33nC@8V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1010pF@6V
连续漏极电流：4A
类型：N沟道
导通电阻：20mΩ@6A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
销售单位：个
规格型号(MPN)：RZR040P01TL
工作温度：150℃
功率：1W
阈值电压：1V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：30nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2350pF@6V
连续漏极电流：4A
类型：P沟道
导通电阻：30mΩ@4A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
