品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：G4N60K
功率：44.6W
阈值电压：4V@250μA
连续漏极电流：4A
类型：1个N沟道
导通电阻：2.3Ω@10V，2A
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：75psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM4NB60CH C5G
工作温度：-55℃~150℃
功率：50W
阈值电压：4.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：14.5nC@10V
包装方式：管件
输入电容：500pF@25V
连续漏极电流：4A
类型：N沟道
导通电阻：2.5Ω@2A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD5N60NZTM
工作温度：-55℃~150℃
功率：83W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：13nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：600pF@25V
连续漏极电流：4A
类型：N沟道
导通电阻：2Ω@2A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：5N60F
功率：44.6W
阈值电压：4V
连续漏极电流：4A
类型：1个N沟道
导通电阻：1.95Ω@10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM4N60ECP ROG
工作温度：150℃
功率：86.2W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：12nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：545pF@25V
连续漏极电流：4A
类型：N沟道
导通电阻：2.5Ω@2A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM60NB900CP ROG
工作温度：-55℃~150℃
功率：36.8W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：9.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：315pF@100V
连续漏极电流：4A
类型：N沟道
导通电阻：900mΩ@1.2A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM60NB900CP ROG
工作温度：-55℃~150℃
功率：36.8W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：9.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：315pF@100V
连续漏极电流：4A
类型：N沟道
导通电阻：900mΩ@1.2A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM60NB900CP ROG
工作温度：-55℃~150℃
功率：36.8W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：9.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：315pF@100V
连续漏极电流：4A
类型：N沟道
导通电阻：900mΩ@1.2A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM60NB900CP ROG
工作温度：-55℃~150℃
功率：36.8W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：9.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：315pF@100V
连续漏极电流：4A
类型：N沟道
导通电阻：900mΩ@1.2A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：75psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM4NB60CH C5G
工作温度：-55℃~150℃
功率：50W
阈值电压：4.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：14.5nC@10V
包装方式：管件
输入电容：500pF@25V
连续漏极电流：4A
类型：N沟道
导通电阻：2.5Ω@2A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：75psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM4NB60CH C5G
工作温度：-55℃~150℃
功率：50W
阈值电压：4.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：14.5nC@10V
包装方式：管件
输入电容：500pF@25V
连续漏极电流：4A
类型：N沟道
导通电阻：2.5Ω@2A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：G4N60K
功率：44.6W
阈值电压：4V@250μA
连续漏极电流：4A
类型：1个N沟道
导通电阻：2.3Ω@10V，2A
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：5N60F
功率：44.6W
阈值电压：4V
连续漏极电流：4A
类型：1个N沟道
导通电阻：1.95Ω@10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：75psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM4NB60CH C5G
工作温度：-55℃~150℃
功率：50W
阈值电压：4.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：14.5nC@10V
包装方式：管件
输入电容：500pF@25V
连续漏极电流：4A
类型：N沟道
导通电阻：2.5Ω@2A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM60NB900CH C5G
工作温度：-55℃~150℃
功率：36.8W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：9.6nC@10V
包装方式：管件
输入电容：315pF@100V
连续漏极电流：4A
类型：N沟道
导通电阻：900mΩ@1.2A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM4N60ECP ROG
工作温度：150℃
功率：86.2W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：12nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：545pF@25V
连续漏极电流：4A
类型：N沟道
导通电阻：2.5Ω@2A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：ANBON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AF4N60S
功率：106W
阈值电压：4V@250μA
连续漏极电流：4A
类型：1个N沟道
导通电阻：2.4Ω@10V，2A
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM4N60ECP ROG
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：4A
导通电阻：2.5Ω@2A，10V
工作温度：150℃
阈值电压：5V@250µA
类型：N沟道
栅极电荷：12nC@10V
功率：86.2W
输入电容：545pF@25V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：G4N60K
导通电阻：2.3Ω@10V，2A
阈值电压：4V@250μA
连续漏极电流：4A
功率：44.6W
类型：1个N沟道
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
品牌：FAIRCHILD
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD5N60NZTM
工作温度：-55℃~150℃
功率：83W
阈值电压：5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：13nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：600pF@25V
连续漏极电流：4A
类型：N沟道
导通电阻：2Ω@2A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：R6004JNXC7G
工作温度：-55℃~150℃
功率：35W
阈值电压：7V@450µA
栅极电荷：10.5nC@15V
包装方式：管件
输入电容：260pF@100V
连续漏极电流：4A
类型：N沟道
导通电阻：1.43Ω@2A，15V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
销售单位：个
规格型号(MPN)：R6004END3TL1
工作温度：150℃
功率：59W
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：4A
类型：N-Channel
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：R6004CNDTL
工作温度：150℃
功率：40W
阈值电压：4.5V@1mA
栅极电荷：11nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：280pF@25V
连续漏极电流：4A
类型：N沟道
导通电阻：1.8Ω@2A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STP4NK60Z
工作温度：150℃
功率：70W
阈值电压：4.5V@50µA
栅极电荷：26nC@10V
包装方式：管件
输入电容：510pF@25V
连续漏极电流：4A
类型：N沟道
导通电阻：2Ω@2A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STP4NK60ZFP
工作温度：150℃
功率：25W
阈值电压：4.5V@50µA
栅极电荷：26nC@10V
包装方式：管件
输入电容：510pF@25V
连续漏极电流：4A
类型：N-Channel
导通电阻：2Ω@2A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STP4NK60ZFP
工作温度：150℃
功率：25W
阈值电压：4.5V@50µA
栅极电荷：26nC@10V
包装方式：管件
输入电容：510pF@25V
连续漏极电流：4A
类型：N沟道
导通电阻：2Ω@2A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STP4NK60ZFP
工作温度：150℃
功率：25W
阈值电压：4.5V@50µA
栅极电荷：26nC@10V
包装方式：管件
输入电容：510pF@25V
连续漏极电流：4A
类型：N-Channel
导通电阻：2Ω@2A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：R6004ENDTL
工作温度：150℃
功率：20W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：15nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：250pF@25V
连续漏极电流：4A
类型：N沟道
导通电阻：980mΩ@1.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD4NK60ZT4
工作温度：150℃
功率：70W
阈值电压：4.5V@50µA
栅极电荷：26nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：510pF@25V
连续漏极电流：4A
类型：N沟道
导通电阻：2Ω@2A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
销售单位：个
规格型号(MPN)：R6004END3TL1
工作温度：150℃
功率：59W
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：4A
类型：N-Channel
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
