品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RAF040P01TCL
工作温度：150℃
功率：800mW
阈值电压：1V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：37nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4000pF@6V
连续漏极电流：4A
类型：P沟道
导通电阻：30mΩ@4A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP1045U-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：800mW
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：15.8nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1357pF@10V
连续漏极电流：4A
类型：P沟道
导通电阻：31mΩ@4A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP1045U-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：800mW
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：15.8nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1357pF@10V
连续漏极电流：4A
类型：P沟道
导通电阻：31mΩ@4A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
销售单位：个
规格型号(MPN)：RAF040P01TCL
工作温度：-55℃~150℃
功率：800mW
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：4A
导通电阻：22mΩ
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
销售单位：个
规格型号(MPN)：RAF040P01TCL
工作温度：-55℃~150℃
功率：800mW
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：4A
导通电阻：22mΩ
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMT10H072LFDF-7
工作温度：-55℃~+150℃
功率：800mW
阈值电压：3V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：5.1nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：266pF@50V
连续漏极电流：4A
类型：1个N沟道
导通电阻：62mΩ@4.5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
生产批次：1602
销售单位：个
规格型号(MPN)：RAF040P01TCL
工作温度：-55℃~150℃
功率：800mW
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：4A
导通电阻：22mΩ
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
生产批次：1602
销售单位：个
规格型号(MPN)：RAF040P01TCL
工作温度：-55℃~150℃
功率：800mW
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：4A
导通电阻：22mΩ
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMT10H072LFDF-7
工作温度：-55℃~+150℃
功率：800mW
阈值电压：3V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：5.1nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：266pF@50V
连续漏极电流：4A
类型：1个N沟道
导通电阻：62mΩ@4.5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
生产批次：1602
销售单位：个
规格型号(MPN)：RAF040P01TCL
工作温度：-55℃~150℃
功率：800mW
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：4A
导通电阻：22mΩ
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP1045UQ-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：800mW
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：15.8nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1357pF@10V
连续漏极电流：4A
类型：P沟道
导通电阻：31mΩ@4A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP1045UQ-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：800mW
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：15.8nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1357pF@10V
连续漏极电流：4A
类型：P沟道
导通电阻：31mΩ@4A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP1045U-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：800mW
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：15.8nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1357pF@10V
连续漏极电流：4A
类型：P沟道
导通电阻：31mΩ@4A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMT10H072LFDF-7
工作温度：-55℃~+150℃
功率：800mW
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：5.1nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：266pF@50V
连续漏极电流：4A
类型：1个N沟道
导通电阻：62mΩ@4.5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP1045U-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：800mW
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：15.8nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1357pF@10V
连续漏极电流：4A
类型：P沟道
导通电阻：31mΩ@4A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMT10H072LFDF-7
工作温度：-55℃~+150℃
功率：800mW
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：5.1nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：266pF@50V
连续漏极电流：4A
类型：1个N沟道
导通电阻：62mΩ@4.5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMT10H072LFDF-7
工作温度：-55℃~+150℃
功率：800mW
阈值电压：3V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：5.1nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：266pF@50V
连续漏极电流：4A
类型：1个N沟道
导通电阻：62mΩ@4.5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP1045UQ-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：800mW
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：15.8nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1357pF@10V
连续漏极电流：4A
类型：P沟道
导通电阻：31mΩ@4A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
销售单位：个
规格型号(MPN)：RAF040P01TCL
工作温度：-55℃~150℃
功率：800mW
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：4A
导通电阻：22mΩ
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMT10H072LFDF-7
工作温度：-55℃~+150℃
功率：800mW
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：5.1nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：266pF@50V
连续漏极电流：4A
类型：1个N沟道
导通电阻：62mΩ@4.5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMT10H072LFDF-7
工作温度：-55℃~+150℃
功率：800mW
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：5.1nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：266pF@50V
连续漏极电流：4A
类型：1个N沟道
导通电阻：62mΩ@4.5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：23+
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP1045UQ-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：800mW
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：15.8nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1357pF@10V
连续漏极电流：4A
类型：P沟道
导通电阻：31mΩ@4A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP1045U-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：800mW
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：15.8nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1357pF@10V
连续漏极电流：4A
类型：P沟道
导通电阻：31mΩ@4A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
销售单位：个
规格型号(MPN)：RAF040P01TCL
工作温度：-55℃~150℃
功率：800mW
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：4A
导通电阻：22mΩ
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
销售单位：个
规格型号(MPN)：RAF040P01TCL
工作温度：-55℃~150℃
功率：800mW
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：4A
导通电阻：22mΩ
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RAF040P01TCL
工作温度：150℃
功率：800mW
阈值电压：1V@1mA
栅极电荷：37nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4000pF@6V
连续漏极电流：4A
类型：P沟道
导通电阻：30mΩ@4A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMT10H072LFDF-7
工作温度：-55℃~+150℃
功率：800mW
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：5.1nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：266pF@50V
连续漏极电流：4A
类型：1个N沟道
导通电阻：62mΩ@4.5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMT10H072LFDF-7
工作温度：-55℃~+150℃
功率：800mW
阈值电压：3V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：5.1nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：266pF@50V
连续漏极电流：4A
类型：1个N沟道
导通电阻：62mΩ@4.5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
销售单位：个
规格型号(MPN)：RAF040P01TCL
工作温度：-55℃~150℃
功率：800mW
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：4A
导通电阻：22mΩ
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMT10H072LFDF-7
工作温度：-55℃~+150℃
功率：800mW
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：5.1nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：266pF@50V
连续漏极电流：4A
类型：1个N沟道
导通电阻：62mΩ@4.5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
