品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM4NB65CP ROG
工作温度：-55℃~150℃
功率：70W
阈值电压：4.5V@250µA
栅极电荷：13.46nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：549pF@25V
连续漏极电流：4A
类型：N沟道
导通电阻：3.37Ω@2A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：蓝箭电子（BLUE ROCKET ELECTRONICS）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BRD4N70
功率：70W
阈值电压：4V@250μA
连续漏极电流：4A
类型：1个N沟道
导通电阻：2.5Ω@10V
漏源电压：700V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM4NB65CP ROG
工作温度：-55℃~150℃
功率：70W
阈值电压：4.5V@250µA
栅极电荷：13.46nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：549pF@25V
连续漏极电流：4A
类型：N沟道
导通电阻：3.37Ω@2A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：蓝箭电子（BLUE ROCKET ELECTRONICS）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BRD4N70
功率：70W
阈值电压：4V@250μA
连续漏极电流：4A
类型：1个N沟道
导通电阻：2.5Ω@10V
漏源电压：700V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STP4NK60Z
工作温度：150℃
功率：70W
阈值电压：4.5V@50µA
栅极电荷：26nC@10V
包装方式：管件
输入电容：510pF@25V
连续漏极电流：4A
类型：N沟道
导通电阻：2Ω@2A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD4NK60ZT4
工作温度：150℃
功率：70W
阈值电压：4.5V@50µA
栅极电荷：26nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：510pF@25V
连续漏极电流：4A
类型：N沟道
导通电阻：2Ω@2A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STP4NK60Z
工作温度：150℃
功率：70W
阈值电压：4.5V@50µA
栅极电荷：26nC@10V
包装方式：管件
输入电容：510pF@25V
连续漏极电流：4A
类型：N沟道
导通电阻：2Ω@2A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD4NK60ZT4
工作温度：150℃
功率：70W
阈值电压：4.5V@50µA
栅极电荷：26nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：510pF@25V
连续漏极电流：4A
类型：N沟道
导通电阻：2Ω@2A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STP4NK60Z
工作温度：150℃
功率：70W
阈值电压：4.5V@50µA
栅极电荷：26nC@10V
包装方式：管件
输入电容：510pF@25V
连续漏极电流：4A
类型：N沟道
导通电阻：2Ω@2A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STP4NK60Z
工作温度：150℃
功率：70W
阈值电压：4.5V@50µA
栅极电荷：26nC@10V
包装方式：管件
输入电容：510pF@25V
连续漏极电流：4A
类型：N沟道
导通电阻：2Ω@2A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD4NK60Z-1
工作温度：-55℃~150℃
功率：70W
阈值电压：4.5V@50µA
栅极电荷：26nC@10V
包装方式：管件
输入电容：510pF@25V
连续漏极电流：4A
类型：N沟道
导通电阻：2Ω@2A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
销售单位：个
规格型号(MPN)：STB4NK60ZT4
工作温度：150℃
功率：70W
阈值电压：4.5V@50µA
栅极电荷：26nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：510pF@25V
连续漏极电流：4A
类型：N沟道
导通电阻：2Ω@2A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD4NK60ZT4
工作温度：150℃
功率：70W
阈值电压：4.5V@50µA
栅极电荷：26nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：510pF@25V
连续漏极电流：4A
类型：N沟道
导通电阻：2Ω@2A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STP4NK60Z
工作温度：150℃
功率：70W
阈值电压：4.5V@50µA
栅极电荷：26nC@10V
包装方式：管件
输入电容：510pF@25V
连续漏极电流：4A
类型：N沟道
导通电阻：2Ω@2A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
销售单位：个
规格型号(MPN)：STB4NK60ZT4
工作温度：150℃
功率：70W
阈值电压：4.5V@50µA
栅极电荷：26nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：510pF@25V
连续漏极电流：4A
类型：N沟道
导通电阻：2Ω@2A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STP4NK60Z
工作温度：150℃
功率：70W
阈值电压：4.5V@50µA
栅极电荷：26nC@10V
包装方式：管件
输入电容：510pF@25V
连续漏极电流：4A
类型：N沟道
导通电阻：2Ω@2A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD4NK60ZT4
工作温度：150℃
功率：70W
阈值电压：4.5V@50µA
栅极电荷：26nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：510pF@25V
连续漏极电流：4A
类型：N沟道
导通电阻：2Ω@2A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STP4NK60Z
工作温度：150℃
功率：70W
阈值电压：4.5V@50µA
栅极电荷：26nC@10V
包装方式：管件
输入电容：510pF@25V
连续漏极电流：4A
类型：N沟道
导通电阻：2Ω@2A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STP4NK60Z
工作温度：150℃
功率：70W
阈值电压：4.5V@50µA
栅极电荷：26nC@10V
包装方式：管件
输入电容：510pF@25V
连续漏极电流：4A
类型：N沟道
导通电阻：2Ω@2A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STB4NK60ZT4
工作温度：150℃
功率：70W
阈值电压：4.5V@50µA
栅极电荷：26nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：510pF@25V
连续漏极电流：4A
类型：N沟道
导通电阻：2Ω@2A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD4NK60Z-1
工作温度：-55℃~150℃
功率：70W
阈值电压：4.5V@50µA
栅极电荷：26nC@10V
包装方式：管件
输入电容：510pF@25V
连续漏极电流：4A
类型：N沟道
导通电阻：2Ω@2A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STP4NK60Z
工作温度：150℃
功率：70W
阈值电压：4.5V@50µA
栅极电荷：26nC@10V
包装方式：管件
输入电容：510pF@25V
连续漏极电流：4A
类型：N沟道
导通电阻：2Ω@2A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STP4NK60Z
工作温度：150℃
功率：70W
阈值电压：4.5V@50µA
栅极电荷：26nC@10V
包装方式：管件
输入电容：510pF@25V
连续漏极电流：4A
类型：N沟道
导通电阻：2Ω@2A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD4NK60Z-1
工作温度：-55℃~150℃
功率：70W
阈值电压：4.5V@50µA
栅极电荷：26nC@10V
包装方式：管件
输入电容：510pF@25V
连续漏极电流：4A
类型：N沟道
导通电阻：2Ω@2A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD4NK60ZT4
工作温度：150℃
功率：70W
阈值电压：4.5V@50µA
栅极电荷：26nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：510pF@25V
连续漏极电流：4A
类型：N沟道
导通电阻：2Ω@2A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD4NK60ZT4
工作温度：150℃
功率：70W
阈值电压：4.5V@50µA
栅极电荷：26nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：510pF@25V
连续漏极电流：4A
类型：N沟道
导通电阻：2Ω@2A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD4NK60ZT4
工作温度：150℃
功率：70W
阈值电压：4.5V@50µA
栅极电荷：26nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：510pF@25V
连续漏极电流：4A
类型：N沟道
导通电阻：2Ω@2A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STB4NK60Z-1
工作温度：150℃
功率：70W
阈值电压：4.5V@50µA
栅极电荷：26nC@10V
包装方式：管件
输入电容：510pF@25V
连续漏极电流：4A
类型：N沟道
导通电阻：2Ω@2A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STP4NK60Z
工作温度：150℃
功率：70W
阈值电压：4.5V@50µA
栅极电荷：26nC@10V
包装方式：管件
输入电容：510pF@25V
连续漏极电流：4A
类型：N沟道
导通电阻：2Ω@2A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STB4NK60ZT4
工作温度：150℃
功率：70W
阈值电压：4.5V@50µA
栅极电荷：26nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：510pF@25V
连续漏极电流：4A
类型：N沟道
导通电阻：2Ω@2A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
