连续漏极电流: 4A
    工作温度: -55℃~175℃
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    强茂 Mosfet场效应管 PJW4N06A-AU_R2_000A1
    强茂 Mosfet场效应管 PJW4N06A-AU_R2_000A1

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PJW4N06A-AU_R2_000A1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.7W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:5.1nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:509pF@15V

    连续漏极电流:4A

    类型:N沟道

    导通电阻:100mΩ@3A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    6月24日前
    - +
    起购:4
    强茂 Mosfet场效应管 PJW4N06A-AU_R2_000A1
    强茂 Mosfet场效应管 PJW4N06A-AU_R2_000A1

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PJW4N06A-AU_R2_000A1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.7W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:5.1nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:509pF@15V

    连续漏极电流:4A

    类型:N沟道

    导通电阻:100mΩ@3A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    6月24日前
    - +
    起购:10
    强茂 Mosfet场效应管 PJW4N06A-AU_R2_000A1
    强茂 Mosfet场效应管 PJW4N06A-AU_R2_000A1

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PJW4N06A-AU_R2_000A1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.7W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:5.1nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:509pF@15V

    连续漏极电流:4A

    类型:N沟道

    导通电阻:100mΩ@3A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    6月24日前
    - +
    起购:5000
    强茂 Mosfet场效应管 PJW4N06A-AU_R2_000A1
    强茂 Mosfet场效应管 PJW4N06A-AU_R2_000A1

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PJW4N06A-AU_R2_000A1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.7W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:5.1nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:509pF@15V

    连续漏极电流:4A

    类型:N沟道

    导通电阻:100mΩ@3A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    6月24日前
    - +
    起购:100
    强茂 Mosfet场效应管 PJW4N06A-AU_R2_000A1
    强茂 Mosfet场效应管 PJW4N06A-AU_R2_000A1

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PJW4N06A-AU_R2_000A1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.7W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:5.1nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:509pF@15V

    连续漏极电流:4A

    类型:N沟道

    导通电阻:100mΩ@3A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    6月24日前
    - +
    起购:500
    强茂 Mosfet场效应管 PJW4N06A-AU_R2_000A1
    强茂 Mosfet场效应管 PJW4N06A-AU_R2_000A1

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PJW4N06A-AU_R2_000A1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.7W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:5.1nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:509pF@15V

    连续漏极电流:4A

    类型:N沟道

    导通电阻:100mΩ@3A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    6月24日前
    - +
    起购:1000
    强茂 Mosfet场效应管 PJW4N06A-AU_R2_000A1
    强茂 Mosfet场效应管 PJW4N06A-AU_R2_000A1

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PJW4N06A-AU_R2_000A1

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:4A

    导通电阻:100mΩ@3A,10V

    阈值电压:2.5V@250µA

    类型:N沟道

    漏源电压:60V

    工作温度:-55℃~175℃

    栅极电荷:5.1nC@4.5V

    输入电容:509pF@15V

    ECCN:EAR99

    功率:3.7W

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:无货

    6月9日前
    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMV48XPA2R 起订7个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMV48XPA2R 起订7个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMV48XPA2R

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:610mW€8.3W

    阈值电压:1.3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:10nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:679pF@10V

    连续漏极电流:4A

    类型:P沟道

    导通电阻:49mΩ@4A,8V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:无货

    6月24日前
    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 IRF9510STRLPBF
    VISHAY Mosfet场效应管 IRF9510STRLPBF

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRF9510STRLPBF

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.7W€43W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:8.7nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:200pF@25V

    连续漏极电流:4A

    类型:P沟道

    导通电阻:1.2Ω@2.4A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:无货

    6月24日前
    - +
    起购:2
    ST Mosfet场效应管 STL12P6F6
    ST Mosfet场效应管 STL12P6F6

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):STL12P6F6

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:75W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:6.4nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:340pF@48V

    连续漏极电流:4A

    类型:P沟道

    导通电阻:160mΩ@1.5A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:无货

    6月24日前
    - +
    起购:3
    ST Mosfet场效应管 STL12P6F6 起订3000个装
    ST Mosfet场效应管 STL12P6F6 起订3000个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):STL12P6F6

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:75W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:6.4nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:340pF@48V

    连续漏极电流:4A

    类型:P沟道

    导通电阻:160mΩ@1.5A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:无货

    6月24日前
    - +
    起购:3000
    VISHAY Mosfet场效应管 IRF9510STRLPBF 起订800个装
    VISHAY Mosfet场效应管 IRF9510STRLPBF 起订800个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRF9510STRLPBF

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.7W€43W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:8.7nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:200pF@25V

    连续漏极电流:4A

    类型:P沟道

    导通电阻:1.2Ω@2.4A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:无货

    6月24日前
    - +
    起购:800
    VISHAY Mosfet场效应管 IRF9510PBF
    VISHAY Mosfet场效应管 IRF9510PBF

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRF9510PBF

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:43W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:8.7nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:200pF@25V

    连续漏极电流:4A

    类型:P沟道

    导通电阻:1.2Ω@2.4A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:无货

    6月24日前
    - +
    起购:3
    onsemi Mosfet场效应管 NVC6S5A354PLZT1G
    onsemi Mosfet场效应管 NVC6S5A354PLZT1G

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"17+":2292,"18+":32950,"19+":2}

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVC6S5A354PLZT1G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:1.9W

    阈值电压:2.6V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:14nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:600pF@20V

    连续漏极电流:4A

    类型:P沟道

    导通电阻:100mΩ@2A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:无货

    6月24日前
    - +
    起购:1625
    VISHAY Mosfet场效应管 IRF9510STRLPBF
    VISHAY Mosfet场效应管 IRF9510STRLPBF

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRF9510STRLPBF

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.7W€43W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:8.7nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:200pF@25V

    连续漏极电流:4A

    类型:P沟道

    导通电阻:1.2Ω@2.4A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:无货

    6月24日前
    - +
    起购:2
    VISHAY Mosfet场效应管 IRF9510PBF
    VISHAY Mosfet场效应管 IRF9510PBF

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRF9510PBF

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:43W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:8.7nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:200pF@25V

    连续漏极电流:4A

    类型:P沟道

    导通电阻:1.2Ω@2.4A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:无货

    6月24日前
    - +
    起购:1250
    加购:50
    INFINEON Mosfet场效应管 SPD04P10PGBTMA1
    INFINEON Mosfet场效应管 SPD04P10PGBTMA1

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SPD04P10PGBTMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:38W

    阈值电压:4V@380µA

    栅极电荷:12nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:319pF@25V

    连续漏极电流:4A

    类型:P沟道

    导通电阻:1Ω@2.8A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:无货

    6月24日前
    - +
    起购:1000
    GeneSiC Mosfet场效应管 G2R1000MT33J
    GeneSiC Mosfet场效应管 G2R1000MT33J

    品牌:GeneSiC

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):G2R1000MT33J

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:74W

    阈值电压:3.5V@2mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:21nC@20V

    包装方式:管件

    输入电容:238pF@1000V

    连续漏极电流:4A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.2Ω@2A,20V

    漏源电压:3300V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:无货

    6月24日前
    - +
    起购:100
    VISHAY Mosfet场效应管 IRF9510PBF
    VISHAY Mosfet场效应管 IRF9510PBF

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRF9510PBF

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:43W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:8.7nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:200pF@25V

    连续漏极电流:4A

    类型:P沟道

    导通电阻:1.2Ω@2.4A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:无货

    6月24日前
    - +
    起购:100
    VISHAY Mosfet场效应管 IRF9510SPBF 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 IRF9510SPBF 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRF9510SPBF

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:43W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:8.7nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:200pF@25V

    连续漏极电流:4A

    类型:P沟道

    导通电阻:1.2Ω@2.4A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:无货

    6月24日前
    - +
    起购:100
    ST Mosfet场效应管 STL12P6F6
    ST Mosfet场效应管 STL12P6F6

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):STL12P6F6

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:75W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:6.4nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:340pF@48V

    连续漏极电流:4A

    类型:P沟道

    导通电阻:160mΩ@1.5A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:无货

    6月24日前
    - +
    起购:1000
    ST Mosfet场效应管 STL12P6F6
    ST Mosfet场效应管 STL12P6F6

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):STL12P6F6

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:75W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:6.4nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:340pF@48V

    连续漏极电流:4A

    类型:P沟道

    导通电阻:160mΩ@1.5A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:无货

    6月24日前
    - +
    起购:100
    VISHAY Mosfet场效应管 IRF9510PBF
    VISHAY Mosfet场效应管 IRF9510PBF

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRF9510PBF

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:43W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:8.7nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:200pF@25V

    连续漏极电流:4A

    类型:P沟道

    导通电阻:1.2Ω@2.4A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:无货

    6月24日前
    - +
    起购:50
    VISHAY Mosfet场效应管 IRF9510STRLPBF
    VISHAY Mosfet场效应管 IRF9510STRLPBF

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRF9510STRLPBF

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.7W€43W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:8.7nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:200pF@25V

    连续漏极电流:4A

    类型:P沟道

    导通电阻:1.2Ω@2.4A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:无货

    6月24日前
    - +
    起购:10
    VISHAY Mosfet场效应管 IRF9510SPBF
    VISHAY Mosfet场效应管 IRF9510SPBF

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRF9510SPBF

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:43W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:8.7nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:200pF@25V

    连续漏极电流:4A

    类型:P沟道

    导通电阻:1.2Ω@2.4A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:无货

    6月24日前
    - +
    起购:4
    VISHAY Mosfet场效应管 IRF9510SPBF
    VISHAY Mosfet场效应管 IRF9510SPBF

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRF9510SPBF

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:43W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:8.7nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:200pF@25V

    连续漏极电流:4A

    类型:P沟道

    导通电阻:1.2Ω@2.4A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:无货

    6月24日前
    - +
    起购:10
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMV48XPA2R
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMV48XPA2R

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMV48XPA2R

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:610mW€8.3W

    阈值电压:1.3V@250µA

    栅极电荷:10nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:679pF@10V

    连续漏极电流:4A

    类型:P沟道

    导通电阻:49mΩ@4A,8V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:无货

    6月24日前
    - +
    起购:1500
    加购:5
    VISHAY Mosfet场效应管 IRF9510PBF
    VISHAY Mosfet场效应管 IRF9510PBF

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRF9510PBF

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:43W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:8.7nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:200pF@25V

    连续漏极电流:4A

    类型:P沟道

    导通电阻:1.2Ω@2.4A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:无货

    6月24日前
    - +
    起购:300
    加购:50
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMV48XPA2R
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMV48XPA2R

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMV48XPA2R

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:610mW€8.3W

    阈值电压:1.3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:10nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:679pF@10V

    连续漏极电流:4A

    类型:P沟道

    导通电阻:49mΩ@4A,8V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:无货

    6月24日前
    - +
    起购:500
    VISHAY Mosfet场效应管 IRF9510SPBF 起订500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 IRF9510SPBF 起订500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRF9510SPBF

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:43W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:8.7nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:200pF@25V

    连续漏极电流:4A

    类型:P沟道

    导通电阻:1.2Ω@2.4A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:无货

    6月24日前
    - +
    起购:500
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