品牌
    连续漏极电流
    83A
    漏源电压
    60V
    功率
    栅极电荷
    连续漏极电流: 83A
    漏源电压: 60V
    当前匹配商品:6
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    NEC Mosfet场效应管 2SJ606-ZK-E1-AY
    NEC Mosfet场效应管 2SJ606-ZK-E1-AY

    品牌:NEC

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"10+":750}

    销售单位:

    规格型号(MPN):2SJ606-ZK-E1-AY

    功率:120W

    阈值电压:2.5V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:120nC@10V

    输入电容:4.8nF@10V

    连续漏极电流:83A

    类型:1个P沟道

    导通电阻:15mΩ@42A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    5月15日前
    - +
    起购:100
    RENESAS Mosfet场效应管 NP83P06PDG-E1-AY
    RENESAS Mosfet场效应管 NP83P06PDG-E1-AY

    品牌:RENESAS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):NP83P06PDG-E1-AY

    工作温度:175℃

    功率:1.8W€150W

    阈值电压:2.5V@1mA

    栅极电荷:190nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:10100pF@10V

    连续漏极电流:83A

    类型:P沟道

    导通电阻:8.8mΩ@41.5A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    5月30日前
    - +
    起购:10
    RENESAS Mosfet场效应管 NP83P06PDG-E1-AY
    RENESAS Mosfet场效应管 NP83P06PDG-E1-AY

    品牌:RENESAS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):NP83P06PDG-E1-AY

    工作温度:175℃

    功率:1.8W€150W

    阈值电压:2.5V@1mA

    栅极电荷:190nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:10100pF@10V

    连续漏极电流:83A

    类型:P沟道

    导通电阻:8.8mΩ@41.5A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    5月15日前
    - +
    起购:100
    NEC Mosfet场效应管 2SJ606-ZK-E1-AY
    NEC Mosfet场效应管 2SJ606-ZK-E1-AY

    品牌:NEC

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"10+":750}

    销售单位:

    规格型号(MPN):2SJ606-ZK-E1-AY

    功率:120W

    阈值电压:2.5V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:120nC@10V

    输入电容:4.8nF@10V

    连续漏极电流:83A

    类型:1个P沟道

    导通电阻:15mΩ@42A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    5月15日前
    - +
    起购:500
    RENESAS Mosfet场效应管 NP83P06PDG-E1-AY
    RENESAS Mosfet场效应管 NP83P06PDG-E1-AY

    品牌:RENESAS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):NP83P06PDG-E1-AY

    工作温度:175℃

    功率:1.8W€150W

    阈值电压:2.5V@1mA

    栅极电荷:190nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:10100pF@10V

    连续漏极电流:83A

    类型:P沟道

    导通电阻:8.8mΩ@41.5A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    5月30日前
    - +
    起购:10
    RENESAS Mosfet场效应管 NP83P06PDG-E1-AY 起订1个装
    RENESAS Mosfet场效应管 NP83P06PDG-E1-AY 起订1个装

    品牌:RENESAS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):NP83P06PDG-E1-AY

    工作温度:175℃

    功率:1.8W€150W

    阈值电压:2.5V@1mA

    栅极电荷:190nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:10100pF@10V

    连续漏极电流:83A

    类型:P沟道

    导通电阻:8.8mΩ@41.5A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    5月2日前
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