品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：G23N06K
工作温度：-55℃~150℃
功率：38W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：25nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：590pF@15V
连续漏极电流：23A
类型：N沟道
导通电阻：35mΩ@20A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM120N06LCS RLG
工作温度：-55℃~150℃
功率：12.5W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：37nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2193pF@30V
连续漏极电流：23A
类型：N沟道
导通电阻：12mΩ@10A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：G23N06K
工作温度：-55℃~150℃
功率：38W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：25nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：590pF@15V
连续漏极电流：23A
类型：N沟道
导通电阻：35mΩ@20A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：EPC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：500psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：EPC2102
工作温度：-40℃~150℃
阈值电压：2.5V@7mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：830pF@30V
连续漏极电流：23A
类型：2个N通道（半桥）
导通电阻：4.4mΩ@20A，5V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：G23N06K
工作温度：-55℃~150℃
功率：38W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：25nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：590pF@15V
连续漏极电流：23A
类型：N沟道
导通电阻：35mΩ@20A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：G23N06K
工作温度：-55℃~150℃
功率：38W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：25nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：590pF@15V
连续漏极电流：23A
类型：N沟道
导通电阻：35mΩ@20A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：G23N06K
工作温度：-55℃~150℃
功率：38W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：25nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：590pF@15V
连续漏极电流：23A
类型：N沟道
导通电阻：35mΩ@20A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM120N06LCS RLG
工作温度：-55℃~150℃
功率：12.5W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：37nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2193pF@30V
连续漏极电流：23A
类型：N沟道
导通电阻：12mΩ@10A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM120N06LCS RLG
工作温度：-55℃~150℃
功率：12.5W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：37nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2193pF@30V
连续漏极电流：23A
类型：N沟道
导通电阻：12mΩ@10A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：G23N06K
工作温度：-55℃~150℃
功率：38W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：25nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：590pF@15V
连续漏极电流：23A
类型：N沟道
导通电阻：35mΩ@20A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM120N06LCS RLG
工作温度：-55℃~150℃
功率：12.5W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：37nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2193pF@30V
连续漏极电流：23A
类型：N沟道
导通电阻：12mΩ@10A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：G23N06K
工作温度：-55℃~150℃
功率：38W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：25nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：590pF@15V
连续漏极电流：23A
类型：N沟道
导通电阻：35mΩ@20A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：G23N06K
工作温度：-55℃~150℃
功率：38W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：25nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：590pF@15V
连续漏极电流：23A
类型：N沟道
导通电阻：35mΩ@20A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM120N06LCS RLG
工作温度：-55℃~150℃
功率：12.5W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：37nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2193pF@30V
连续漏极电流：23A
类型：N沟道
导通电阻：12mΩ@10A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：G23N06K
工作温度：-55℃~150℃
功率：38W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：25nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：590pF@15V
连续漏极电流：23A
类型：N沟道
导通电阻：35mΩ@20A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：G23N06K
工作温度：-55℃~150℃
功率：38W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：25nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：590pF@15V
连续漏极电流：23A
类型：N沟道
导通电阻：35mΩ@20A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM120N06LCS RLG
工作温度：-55℃~150℃
功率：12.5W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：37nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2193pF@30V
连续漏极电流：23A
类型：N沟道
导通电阻：12mΩ@10A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：G23N06K
工作温度：-55℃~150℃
功率：38W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：25nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：590pF@15V
连续漏极电流：23A
类型：N沟道
导通电阻：35mΩ@20A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM120N06LCS RLG
工作温度：-55℃~150℃
功率：12.5W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：37nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2193pF@30V
连续漏极电流：23A
类型：N沟道
导通电阻：12mΩ@10A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM120N06LCS RLG
工作温度：-55℃~150℃
功率：12.5W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：37nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2193pF@30V
连续漏极电流：23A
类型：N沟道
导通电阻：12mΩ@10A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：BUK9675-100A，118
工作温度：-55℃~175℃
功率：99W
阈值电压：2V@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1704pF@25V
连续漏极电流：23A
类型：N沟道
导通电阻：72mΩ@10A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：G23N06K
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
阈值电压：2.5V@250µA
类型：N沟道
连续漏极电流：23A
漏源电压：60V
栅极电荷：25nC@10V
导通电阻：35mΩ@20A，10V
功率：38W
输入电容：590pF@15V
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：G23N06K
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
阈值电压：2.5V@250µA
类型：N沟道
连续漏极电流：23A
漏源电压：60V
栅极电荷：25nC@10V
导通电阻：35mΩ@20A，10V
功率：38W
输入电容：590pF@15V
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPT60R022S7XTMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：390W
阈值电压：4.5V@1.44mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：150nC@12V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5639pF@300V
连续漏极电流：23A
类型：N沟道
导通电阻：22mΩ@23A，12V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"19+"：2000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPT60R102G7XTMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：141W
阈值电压：4V@390µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：34nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1320pF@400V
连续漏极电流：23A
类型：N沟道
导通电阻：102mΩ@7.8A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：EFC3J018NUZTDG
工作温度：150℃
功率：2.5W
阈值电压：1.3V@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：23A
类型：2N沟道（双）共漏
导通电阻：4.7mΩ@5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
销售单位：个
规格型号(MPN)：STB28NM60ND
工作温度：150℃
功率：190W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：62.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2090pF@100V
连续漏极电流：23A
类型：N沟道
导通电阻：150mΩ@11.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJ476EP-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：45W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：20nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：700pF@25V
连续漏极电流：23A
类型：N沟道
导通电阻：38mΩ@10A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJ476EP-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：45W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：20nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：700pF@25V
连续漏极电流：23A
类型：N沟道
导通电阻：38mΩ@10A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJ476EP-T1_BE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：45W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：20nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：700pF@25V
连续漏极电流：23A
类型：N沟道
导通电阻：38mΩ@10A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
