品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：G23N06K
工作温度：-55℃~150℃
功率：38W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：25nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：590pF@15V
连续漏极电流：23A
类型：N沟道
导通电阻：35mΩ@20A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM120N06LCS RLG
工作温度：-55℃~150℃
功率：12.5W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：37nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2193pF@30V
连续漏极电流：23A
类型：N沟道
导通电阻：12mΩ@10A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：G23N06K
工作温度：-55℃~150℃
功率：38W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：25nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：590pF@15V
连续漏极电流：23A
类型：N沟道
导通电阻：35mΩ@20A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：EPC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：500psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：EPC2102
工作温度：-40℃~150℃
阈值电压：2.5V@7mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：830pF@30V
连续漏极电流：23A
类型：2个N通道（半桥）
导通电阻：4.4mΩ@20A，5V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：G23N06K
工作温度：-55℃~150℃
功率：38W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：25nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：590pF@15V
连续漏极电流：23A
类型：N沟道
导通电阻：35mΩ@20A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：G23N06K
工作温度：-55℃~150℃
功率：38W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：25nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：590pF@15V
连续漏极电流：23A
类型：N沟道
导通电阻：35mΩ@20A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：G700P06J
阈值电压：3V
连续漏极电流：23A
类型：1个P沟道
导通电阻：60mΩ@10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：G23N06K
工作温度：-55℃~150℃
功率：38W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：25nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：590pF@15V
连续漏极电流：23A
类型：N沟道
导通电阻：35mΩ@20A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM120N06LCS RLG
工作温度：-55℃~150℃
功率：12.5W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：37nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2193pF@30V
连续漏极电流：23A
类型：N沟道
导通电阻：12mΩ@10A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM120N06LCS RLG
工作温度：-55℃~150℃
功率：12.5W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：37nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2193pF@30V
连续漏极电流：23A
类型：N沟道
导通电阻：12mΩ@10A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：G23N06K
工作温度：-55℃~150℃
功率：38W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：25nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：590pF@15V
连续漏极电流：23A
类型：N沟道
导通电阻：35mΩ@20A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM120N06LCS RLG
工作温度：-55℃~150℃
功率：12.5W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：37nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2193pF@30V
连续漏极电流：23A
类型：N沟道
导通电阻：12mΩ@10A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：G23N06K
工作温度：-55℃~150℃
功率：38W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：25nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：590pF@15V
连续漏极电流：23A
类型：N沟道
导通电阻：35mΩ@20A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：G23N06K
工作温度：-55℃~150℃
功率：38W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：25nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：590pF@15V
连续漏极电流：23A
类型：N沟道
导通电阻：35mΩ@20A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM120N06LCS RLG
工作温度：-55℃~150℃
功率：12.5W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：37nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2193pF@30V
连续漏极电流：23A
类型：N沟道
导通电阻：12mΩ@10A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：G23N06K
工作温度：-55℃~150℃
功率：38W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：25nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：590pF@15V
连续漏极电流：23A
类型：N沟道
导通电阻：35mΩ@20A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：G23N06K
工作温度：-55℃~150℃
功率：38W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：25nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：590pF@15V
连续漏极电流：23A
类型：N沟道
导通电阻：35mΩ@20A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM120N06LCS RLG
工作温度：-55℃~150℃
功率：12.5W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：37nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2193pF@30V
连续漏极电流：23A
类型：N沟道
导通电阻：12mΩ@10A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：G23N06K
工作温度：-55℃~150℃
功率：38W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：25nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：590pF@15V
连续漏极电流：23A
类型：N沟道
导通电阻：35mΩ@20A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM120N06LCS RLG
工作温度：-55℃~150℃
功率：12.5W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：37nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2193pF@30V
连续漏极电流：23A
类型：N沟道
导通电阻：12mΩ@10A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM120N06LCS RLG
工作温度：-55℃~150℃
功率：12.5W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：37nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2193pF@30V
连续漏极电流：23A
类型：N沟道
导通电阻：12mΩ@10A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：G23N06K
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
阈值电压：2.5V@250µA
类型：N沟道
连续漏极电流：23A
漏源电压：60V
栅极电荷：25nC@10V
导通电阻：35mΩ@20A，10V
功率：38W
输入电容：590pF@15V
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：G23N06K
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
阈值电压：2.5V@250µA
类型：N沟道
连续漏极电流：23A
漏源电压：60V
栅极电荷：25nC@10V
导通电阻：35mΩ@20A，10V
功率：38W
输入电容：590pF@15V
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJ952EP-T1_BE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：25W
阈值电压：2.5V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1800pF@30V
连续漏极电流：23A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：20mΩ@10.3A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJ952EP-T1_BE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：25W
阈值电压：2.5V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1800pF@30V
连续漏极电流：23A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：20mΩ@10.3A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQD23N06-31L_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：37W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：24nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：845pF@25V
连续漏极电流：23A
类型：N沟道
导通电阻：31mΩ@15A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMT6004SPS-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：95.4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4556pF@30V
连续漏极电流：23A
类型：N沟道
导通电阻：3.1mΩ@50A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQD23N06-31L_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：37W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：24nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：845pF@25V
连续漏极电流：23A
类型：N沟道
导通电阻：31mΩ@15A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJ158EP-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：45W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：30nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1100pF@25V
连续漏极电流：23A
类型：N沟道
导通电阻：33mΩ@7A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJ158EP-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：45W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：30nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1100pF@25V
连续漏极电流：23A
类型：N沟道
导通电阻：33mΩ@7A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
