销售单位：个
规格型号(MPN)：RD3L140SPTL1
工作温度：150℃
功率：20W
阈值电压：3V@1mA
栅极电荷：27nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1900pF@10V
连续漏极电流：14A
类型：P沟道
导通电阻：84mΩ@14A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：08+
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7483ADP-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.9W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：180nC@10V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：14A
类型：P沟道
导通电阻：5.7mΩ@24A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF9530NPBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：79W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：58nC@10V
包装方式：管件
输入电容：760pF@25V
连续漏极电流：14A
类型：P沟道
导通电阻：200mΩ@8.4A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF9530NPBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：79W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：58nC@10V
包装方式：管件
输入电容：760pF@25V
连续漏极电流：14A
类型：P沟道
导通电阻：200mΩ@8.4A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP4015SK3-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.5W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：47.5nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4234pF@20V
连续漏极电流：14A
类型：P沟道
导通电阻：11mΩ@9.8A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：08+
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7483ADP-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.9W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：180nC@10V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：14A
类型：P沟道
导通电阻：5.7mΩ@24A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF9530NPBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：79W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：58nC@10V
包装方式：管件
输入电容：760pF@25V
连续漏极电流：14A
类型：P沟道
导通电阻：200mΩ@8.4A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
销售单位：个
规格型号(MPN)：RD3L140SPTL1
工作温度：150℃
功率：20W
阈值电压：3V@1mA
栅极电荷：27nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1900pF@10V
连续漏极电流：14A
类型：P沟道
导通电阻：84mΩ@14A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：08+
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7483ADP-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.9W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：180nC@10V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：14A
类型：P沟道
导通电阻：5.7mΩ@24A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
销售单位：个
规格型号(MPN)：RD3L140SPTL1
工作温度：150℃
功率：20W
阈值电压：3V@1mA
栅极电荷：27nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1900pF@10V
连续漏极电流：14A
类型：P沟道
导通电阻：84mΩ@14A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF9530NPBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：79W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：58nC@10V
包装方式：管件
输入电容：760pF@25V
连续漏极电流：14A
类型：P沟道
导通电阻：200mΩ@8.4A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
销售单位：个
规格型号(MPN)：RSD140P06TL
工作温度：150℃
功率：20W
阈值电压：3V@1mA
栅极电荷：27nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1900pF@10V
连续漏极电流：14A
类型：P沟道
导通电阻：84mΩ@14A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RD3L140SPFRATL
工作温度：150℃
功率：20W
阈值电压：3V@1mA
栅极电荷：27nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1900pF@10V
连续漏极电流：14A
类型：P沟道
导通电阻：84mΩ@14A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
销售单位：个
规格型号(MPN)：RRH140P03TB1
工作温度：150℃
功率：650mW
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：80nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：8000pF@10V
连续漏极电流：14A
类型：P沟道
导通电阻：7mΩ@14A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RD3L140SPTL1
工作温度：150℃
功率：20W
阈值电压：3V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：27nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1900pF@10V
连续漏极电流：14A
类型：P沟道
导通电阻：84mΩ@14A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
销售单位：个
规格型号(MPN)：RRH140P03GZETB
工作温度：150℃
功率：650mW
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：150nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：8000pF@10V
连续漏极电流：14A
类型：P沟道
导通电阻：7mΩ@14A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF9530NPBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：79W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：58nC@10V
包装方式：管件
输入电容：760pF@25V
连续漏极电流：14A
类型：P沟道
导通电阻：200mΩ@8.4A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
销售单位：个
规格型号(MPN)：RRH140P03GZETB
工作温度：150℃
功率：650mW
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：150nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：8000pF@10V
连续漏极电流：14A
类型：P沟道
导通电阻：7mΩ@14A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
销售单位：个
规格型号(MPN)：RSD140P06TL
工作温度：150℃
功率：20W
阈值电压：3V@1mA
栅极电荷：27nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1900pF@10V
连续漏极电流：14A
类型：P沟道
导通电阻：84mΩ@14A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
销售单位：个
规格型号(MPN)：RSD140P06TL
工作温度：150℃
功率：20W
阈值电压：3V@1mA
栅极电荷：27nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1900pF@10V
连续漏极电流：14A
类型：P沟道
导通电阻：84mΩ@14A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RD3L140SPTL1
工作温度：150℃
功率：20W
阈值电压：3V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：27nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1900pF@10V
连续漏极电流：14A
类型：P沟道
导通电阻：84mΩ@14A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
销售单位：个
规格型号(MPN)：RRH140P03GZETB
工作温度：150℃
功率：650mW
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：150nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：8000pF@10V
连续漏极电流：14A
类型：P沟道
导通电阻：7mΩ@14A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF9530NPBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：79W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：58nC@10V
包装方式：管件
输入电容：760pF@25V
连续漏极电流：14A
类型：P沟道
导通电阻：200mΩ@8.4A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
销售单位：个
规格型号(MPN)：RSD140P06TL
工作温度：150℃
功率：20W
阈值电压：3V@1mA
栅极电荷：27nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1900pF@10V
连续漏极电流：14A
类型：P沟道
导通电阻：84mΩ@14A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM6J511NU，LF
工作温度：-55℃~150℃
阈值电压：1V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：47nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3350pF@6V
连续漏极电流：14A
类型：P沟道
导通电阻：9.1mΩ@4A，8V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP6180SK3Q-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.7W
阈值电压：2.7V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：17.1nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：984.7pF@30V
连续漏极电流：14A
类型：P沟道
导通电阻：110mΩ@12A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOSP21307
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W
阈值电压：2.3V@250µA
栅极电荷：50nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1995pF@15V
连续漏极电流：14A
类型：P沟道
导通电阻：11.5mΩ@14A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOSP21307
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W
阈值电压：2.3V@250µA
栅极电荷：50nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1995pF@15V
连续漏极电流：14A
类型：P沟道
导通电阻：11.5mΩ@14A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RRH140P03TB1
工作温度：150℃
功率：650mW
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：80nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：8000pF@10V
连续漏极电流：14A
类型：P沟道
导通电阻：7mΩ@14A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
销售单位：个
规格型号(MPN)：RRH140P03GZETB
工作温度：150℃
功率：650mW
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：150nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：8000pF@10V
连续漏极电流：14A
类型：P沟道
导通电阻：7mΩ@14A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
