功率: 270mW
    漏源电压: 20V
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    WILLSEMI Mosfet场效应管 WNM2046C-3/TR
    WILLSEMI Mosfet场效应管 WNM2046C-3/TR

    品牌:WILLSEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):WNM2046C-3/TR

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:270mW

    阈值电压:700mV@250μA

    栅极电荷:1.07nC@4.5V

    输入电容:30pF@10V

    连续漏极电流:550mA

    类型:1个N沟道

    反向传输电容:5pF@10V

    导通电阻:420mΩ@4.5V,350mA

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    7月19日前
    - +
    起购:38
    WILLSEMI Mosfet场效应管 WNM2046C-3/TR
    WILLSEMI Mosfet场效应管 WNM2046C-3/TR

    品牌:WILLSEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):WNM2046C-3/TR

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:270mW

    阈值电压:700mV@250μA

    栅极电荷:1.07nC@4.5V

    输入电容:30pF@10V

    连续漏极电流:550mA

    类型:1个N沟道

    反向传输电容:5pF@10V

    导通电阻:420mΩ@4.5V,350mA

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    7月4日前
    - +
    起购:47
    DIODES Mosfet场效应管 DMG1013TQ-7 起订9个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMG1013TQ-7 起订9个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMG1013TQ-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:270mW

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:0.58nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:59.76pF@16V

    连续漏极电流:460mA

    类型:P沟道

    导通电阻:700mΩ@350mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    7月4日前
    - +
    起购:9
    WILLSEMI Mosfet场效应管 WNM2046C-3/TR
    WILLSEMI Mosfet场效应管 WNM2046C-3/TR

    品牌:WILLSEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):WNM2046C-3/TR

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:270mW

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    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    7月19日前
    - +
    起购:100
    WILLSEMI Mosfet场效应管 WNM2046C-3/TR
    WILLSEMI Mosfet场效应管 WNM2046C-3/TR

    品牌:WILLSEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):WNM2046C-3/TR

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:270mW

    阈值电压:700mV@250μA

    栅极电荷:1.07nC@4.5V

    输入电容:30pF@10V

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    类型:1个N沟道

    反向传输电容:5pF@10V

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    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    7月19日前
    - +
    起购:55
    WILLSEMI Mosfet场效应管 WNM2072-3/TR
    WILLSEMI Mosfet场效应管 WNM2072-3/TR

    品牌:WILLSEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:2年内

    销售单位:

    规格型号(MPN):WNM2072-3/TR

    功率:270mW

    阈值电压:580mV@250μA

    栅极电荷:870pC@4.5V

    输入电容:50.6pF@10V

    连续漏极电流:660mA

    类型:1个N沟道

    反向传输电容:8.3pF@10V

    导通电阻:220mΩ@4.5V,550mA

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    7月19日前
    - +
    起购:32
    WILLSEMI Mosfet场效应管 WNM2072-3/TR
    WILLSEMI Mosfet场效应管 WNM2072-3/TR

    品牌:WILLSEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:2年内

    销售单位:

    规格型号(MPN):WNM2072-3/TR

    功率:270mW

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    反向传输电容:8.3pF@10V

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    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    7月4日前
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    起购:500
    WILLSEMI Mosfet场效应管 WNM2072-3/TR
    WILLSEMI Mosfet场效应管 WNM2072-3/TR

    品牌:WILLSEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:2年内

    销售单位:

    规格型号(MPN):WNM2072-3/TR

    栅极电荷:870pC@4.5V

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    功率:270mW

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    包装清单:商品主体 * 1

    库存:无货

    6月21日前
    - +
    WILLSEMI Mosfet场效应管 WNM2072-3/TR
    WILLSEMI Mosfet场效应管 WNM2072-3/TR

    品牌:WILLSEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:2年内

    销售单位:

    规格型号(MPN):WNM2072-3/TR

    功率:270mW

    阈值电压:580mV@250μA

    栅极电荷:870pC@4.5V

    输入电容:50.6pF@10V

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    类型:1个N沟道

    反向传输电容:8.3pF@10V

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    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    7月4日前
    - +
    起购:10000
    DIODES Mosfet场效应管 DMG1013T-7
    DIODES Mosfet场效应管 DMG1013T-7

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMG1013T-7

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    功率:270mW

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:0.622nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:59.76pF@16V

    连续漏极电流:0.46A

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    导通电阻:700mΩ@350mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:无货

    7月4日前
    - +
    起购:14
    DIODES Mosfet场效应管 DMG1013T-7 起订3000个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMG1013T-7 起订3000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMG1013T-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:270mW

    阈值电压:1V@250µA

    栅极电荷:0.622nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:59.76pF@16V

    连续漏极电流:460mA

    类型:P沟道

    导通电阻:700mΩ@350mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:无货

    7月4日前
    - +
    起购:3000
    加购:3000
    onsemi Mosfet场效应管 NTJD4401NT1G
    onsemi Mosfet场效应管 NTJD4401NT1G

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTJD4401NT1G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:270mW

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    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:46pF@20V

    连续漏极电流:630mA

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:375mΩ@630mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:无货

    7月4日前
    - +
    起购:3000
    加购:3000
    onsemi Mosfet场效应管 NTJD4401NT1G 起订3000个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTJD4401NT1G 起订3000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTJD4401NT1G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:270mW

    阈值电压:1.5V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:46pF@20V

    连续漏极电流:630mA

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:375mΩ@630mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:无货

    7月4日前
    - +
    起购:3000
    VISHAY Mosfet场效应管 SI1902DL-T1-BE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SI1902DL-T1-BE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI1902DL-T1-BE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:270mW

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    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:660mA

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:385mΩ@660mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:无货

    7月4日前
    - +
    起购:10
    onsemi Mosfet场效应管 NTJD4401NT1G
    onsemi Mosfet场效应管 NTJD4401NT1G

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTJD4401NT1G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:270mW

    阈值电压:1.5V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:46pF@20V

    连续漏极电流:630mA

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:375mΩ@630mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:无货

    7月4日前
    - +
    起购:52
    DIODES Mosfet场效应管 DMG1013T-7
    DIODES Mosfet场效应管 DMG1013T-7

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMG1013T-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:270mW

    阈值电压:1V@250µA

    栅极电荷:0.622nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:59.76pF@16V

    连续漏极电流:0.46A

    类型:P-Channel

    导通电阻:700mΩ@350mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:无货

    7月4日前
    - +
    起购:50
    加购:5
    DIODES Mosfet场效应管 DMG1013T-7
    DIODES Mosfet场效应管 DMG1013T-7

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMG1013T-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:270mW

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:0.622nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:59.76pF@16V

    连续漏极电流:0.46A

    类型:P-Channel

    导通电阻:700mΩ@350mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:无货

    7月4日前
    - +
    起购:9000
    DIODES Mosfet场效应管 DMG1013TQ-7
    DIODES Mosfet场效应管 DMG1013TQ-7

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMG1013TQ-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:270mW

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:0.58nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:59.76pF@16V

    连续漏极电流:460mA

    类型:P沟道

    导通电阻:700mΩ@350mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:无货

    7月4日前
    - +
    起购:100
    VISHAY Mosfet场效应管 SI1902DL-T1-BE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SI1902DL-T1-BE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI1902DL-T1-BE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:270mW

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    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:660mA

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:385mΩ@660mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:无货

    7月4日前
    - +
    起购:1000
    DIODES Mosfet场效应管 DMG1013T-7
    DIODES Mosfet场效应管 DMG1013T-7

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMG1013T-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:270mW

    阈值电压:1V@250µA

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    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:59.76pF@16V

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    类型:P-Channel

    导通电阻:700mΩ@350mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:无货

    7月4日前
    - +
    起购:3000
    DIODES Mosfet场效应管 DMG1013T-7 起订500个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMG1013T-7 起订500个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMG1013T-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:270mW

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:0.622nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:59.76pF@16V

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    导通电阻:700mΩ@350mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:无货

    7月4日前
    - +
    起购:500
    DIODES Mosfet场效应管 DMG1013T-7 起订1500个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMG1013T-7 起订1500个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMG1013T-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:270mW

    阈值电压:1V@250µA

    栅极电荷:0.622nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:59.76pF@16V

    连续漏极电流:460mA

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    导通电阻:700mΩ@350mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:无货

    7月4日前
    - +
    起购:1500
    DIODES Mosfet场效应管 DMG1013T-7
    DIODES Mosfet场效应管 DMG1013T-7

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMG1013T-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:270mW

    阈值电压:1V@250µA

    栅极电荷:0.622nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:59.76pF@16V

    连续漏极电流:0.46A

    类型:P-Channel

    导通电阻:700mΩ@350mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:无货

    7月4日前
    - +
    起购:18
    DIODES Mosfet场效应管 DMG1013T-7
    DIODES Mosfet场效应管 DMG1013T-7

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMG1013T-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:270mW

    阈值电压:1V@250µA

    栅极电荷:0.622nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:59.76pF@16V

    连续漏极电流:0.46A

    类型:P-Channel

    导通电阻:700mΩ@350mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:无货

    7月4日前
    - +
    起购:15
    VISHAY Mosfet场效应管 SI1902DL-T1-BE3 起订500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI1902DL-T1-BE3 起订500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI1902DL-T1-BE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:270mW

    阈值电压:1.5V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:660mA

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:385mΩ@660mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:无货

    7月4日前
    - +
    起购:500
    DIODES Mosfet场效应管 DMG1013TQ-7
    DIODES Mosfet场效应管 DMG1013TQ-7

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMG1013TQ-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:270mW

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:0.58nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:59.76pF@16V

    连续漏极电流:460mA

    类型:P沟道

    导通电阻:700mΩ@350mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:无货

    7月4日前
    - +
    起购:500
    DIODES Mosfet场效应管 DMG1013T-7
    DIODES Mosfet场效应管 DMG1013T-7

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMG1013T-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:270mW

    阈值电压:1V@250µA

    栅极电荷:0.622nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:59.76pF@16V

    连续漏极电流:0.46A

    类型:P-Channel

    导通电阻:700mΩ@350mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:无货

    7月4日前
    - +
    起购:104
    DIODES Mosfet场效应管 DMG1013T-7 起订3000个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMG1013T-7 起订3000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMG1013T-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:270mW

    阈值电压:1V@250µA

    栅极电荷:0.622nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:59.76pF@16V

    连续漏极电流:460mA

    类型:P沟道

    导通电阻:700mΩ@350mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:无货

    7月4日前
    - +
    起购:3000
    DIODES Mosfet场效应管 DMG1013TQ-7
    DIODES Mosfet场效应管 DMG1013TQ-7

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:22+

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMG1013TQ-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:270mW

    阈值电压:1V@250µA

    栅极电荷:0.58nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:59.76pF@16V

    连续漏极电流:460mA

    类型:P沟道

    导通电阻:700mΩ@350mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:无货

    7月4日前
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    起购:200
    DIODES Mosfet场效应管 DMG1013TQ-7 起订20个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMG1013TQ-7 起订20个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMG1013TQ-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:270mW

    阈值电压:1V@250µA

    栅极电荷:0.58nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:59.76pF@16V

    连续漏极电流:460mA

    类型:P沟道

    导通电阻:700mΩ@350mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:无货

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