功率: 135W
    包装方式: 卷带(TR)
    当前匹配商品:100+
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    onsemi Mosfet场效应管 FDD10AN06A0 起订2个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDD10AN06A0 起订2个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDD10AN06A0

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:135W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:37nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1840pF@25V

    连续漏极电流:11A€50A

    类型:N沟道

    导通电阻:10.5mΩ@50A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    5月11日前
    - +
    起购:2
    onsemi Mosfet场效应管 FDD10AN06A0
    onsemi Mosfet场效应管 FDD10AN06A0

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDD10AN06A0

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:135W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:37nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1840pF@25V

    连续漏极电流:11A€50A

    类型:N沟道

    导通电阻:10.5mΩ@50A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    5月11日前
    - +
    起购:2
    onsemi Mosfet场效应管 FDD3672
    onsemi Mosfet场效应管 FDD3672

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDD3672

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:135W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:36nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1710pF@25V

    连续漏极电流:6.5A€44A

    类型:N沟道

    导通电阻:28mΩ@44A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    5月11日前
    - +
    起购:500
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJQ900E-T1_GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJQ900E-T1_GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJQ900E-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:135W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:120nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5900pF@20V

    连续漏极电流:100A

    类型:N-Channel

    导通电阻:3.9mΩ@20A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    5月11日前
    - +
    起购:100
    onsemi Mosfet场效应管 FDD16AN08A0
    onsemi Mosfet场效应管 FDD16AN08A0

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDD16AN08A0

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:135W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:47nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1874pF@25V

    连续漏极电流:9A€50A

    类型:N沟道

    导通电阻:16mΩ@50A,10V

    漏源电压:75V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    5月11日前
    - +
    起购:25
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BUK7S2R5-40HJ 起订2个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BUK7S2R5-40HJ 起订2个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BUK7S2R5-40HJ

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:135W

    阈值电压:3.6V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:54nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3793pF@25V

    连续漏极电流:140A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.51mΩ@25A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    5月11日前
    - +
    起购:2
    onsemi Mosfet场效应管 FDD16AN08A0
    onsemi Mosfet场效应管 FDD16AN08A0

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDD16AN08A0

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:135W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:47nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1874pF@25V

    连续漏极电流:9A€50A

    类型:N沟道

    导通电阻:16mΩ@50A,10V

    漏源电压:75V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    5月11日前
    - +
    起购:5000
    onsemi Mosfet场效应管 FDD16AN08A0
    onsemi Mosfet场效应管 FDD16AN08A0

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDD16AN08A0

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:135W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:47nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1874pF@25V

    连续漏极电流:9A€50A

    类型:N沟道

    导通电阻:16mΩ@50A,10V

    漏源电压:75V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    5月11日前
    - +
    起购:10
    onsemi Mosfet场效应管 FDD16AN08A0
    onsemi Mosfet场效应管 FDD16AN08A0

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDD16AN08A0

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:135W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:47nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1874pF@25V

    连续漏极电流:9A€50A

    类型:N沟道

    导通电阻:16mΩ@50A,10V

    漏源电压:75V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    5月11日前
    - +
    起购:500
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN1R7-25YLDX
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN1R7-25YLDX

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PSMN1R7-25YLDX

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:135W

    阈值电压:2.2V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:46.7nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3415pF@12V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.7mΩ@25A,10V

    漏源电压:25V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    5月11日前
    - +
    起购:500
    onsemi Mosfet场效应管 FDD3672
    onsemi Mosfet场效应管 FDD3672

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDD3672

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:135W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:36nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1710pF@25V

    连续漏极电流:6.5A€44A

    类型:N沟道

    导通电阻:28mΩ@44A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    5月11日前
    - +
    起购:100
    INFINEON Mosfet场效应管 IRLR8743TRPBF
    INFINEON Mosfet场效应管 IRLR8743TRPBF

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRLR8743TRPBF

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:135W

    阈值电压:2.35V@100µA

    栅极电荷:59nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4880pF@15V

    连续漏极电流:160A

    类型:N-Channel

    导通电阻:3.1mΩ@25A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    5月11日前
    - +
    起购:1000
    onsemi Mosfet场效应管 FDD16AN08A0
    onsemi Mosfet场效应管 FDD16AN08A0

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDD16AN08A0

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:135W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:47nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1874pF@25V

    连续漏极电流:9A€50A

    类型:N沟道

    导通电阻:16mΩ@50A,10V

    漏源电压:75V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    5月11日前
    - +
    起购:100
    onsemi Mosfet场效应管 FDD3672
    onsemi Mosfet场效应管 FDD3672

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDD3672

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:135W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:36nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1710pF@25V

    连续漏极电流:6.5A€44A

    类型:N沟道

    导通电阻:28mΩ@44A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    5月11日前
    - +
    起购:1000
    onsemi Mosfet场效应管 FDD16AN08A0
    onsemi Mosfet场效应管 FDD16AN08A0

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDD16AN08A0

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:135W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:47nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1874pF@25V

    连续漏极电流:9A€50A

    类型:N沟道

    导通电阻:16mΩ@50A,10V

    漏源电压:75V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    5月11日前
    - +
    起购:500
    onsemi Mosfet场效应管 FDD10AN06A0
    onsemi Mosfet场效应管 FDD10AN06A0

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDD10AN06A0

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:135W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:37nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1840pF@25V

    连续漏极电流:11A€50A

    类型:N沟道

    导通电阻:10.5mΩ@50A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    5月11日前
    - +
    起购:10
    onsemi Mosfet场效应管 FDD16AN08A0
    onsemi Mosfet场效应管 FDD16AN08A0

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDD16AN08A0

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:135W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:47nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1874pF@25V

    连续漏极电流:9A€50A

    类型:N沟道

    导通电阻:16mΩ@50A,10V

    漏源电压:75V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    5月11日前
    - +
    起购:5
    onsemi Mosfet场效应管 FDD16AN08A0
    onsemi Mosfet场效应管 FDD16AN08A0

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDD16AN08A0

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:135W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:47nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1874pF@25V

    连续漏极电流:9A€50A

    类型:N沟道

    导通电阻:16mΩ@50A,10V

    漏源电压:75V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    5月11日前
    - +
    起购:100
    onsemi Mosfet场效应管 FDB2572
    onsemi Mosfet场效应管 FDB2572

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDB2572

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:135W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:34nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1770pF@25V

    连续漏极电流:4A€29A

    类型:N沟道

    导通电阻:54mΩ@9A,10V

    漏源电压:150V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    5月11日前
    - +
    起购:25
    INFINEON Mosfet场效应管 IRLR8743TRPBF
    INFINEON Mosfet场效应管 IRLR8743TRPBF

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRLR8743TRPBF

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:135W

    阈值电压:2.35V@100µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:59nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4880pF@15V

    连续漏极电流:160A

    类型:N-Channel

    导通电阻:3.1mΩ@25A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    5月11日前
    - +
    起购:1000
    onsemi Mosfet场效应管 FDD3672
    onsemi Mosfet场效应管 FDD3672

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDD3672

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:135W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:36nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1710pF@25V

    连续漏极电流:6.5A€44A

    类型:N沟道

    导通电阻:28mΩ@44A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    5月11日前
    - +
    起购:100
    onsemi Mosfet场效应管 FDD10AN06A0
    onsemi Mosfet场效应管 FDD10AN06A0

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDD10AN06A0

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:135W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:37nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1840pF@25V

    连续漏极电流:11A€50A

    类型:N沟道

    导通电阻:10.5mΩ@50A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    5月11日前
    - +
    起购:1000
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BUK7S2R5-40HJ 起订10个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BUK7S2R5-40HJ 起订10个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BUK7S2R5-40HJ

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:135W

    阈值电压:3.6V@1mA

    栅极电荷:54nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3793pF@25V

    连续漏极电流:140A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.51mΩ@25A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    5月11日前
    - +
    起购:10
    onsemi Mosfet场效应管 FDD3672
    onsemi Mosfet场效应管 FDD3672

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDD3672

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:135W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:36nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1710pF@25V

    连续漏极电流:6.5A€44A

    类型:N沟道

    导通电阻:28mΩ@44A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    5月11日前
    - +
    起购:10
    onsemi Mosfet场效应管 FDD10AN06A0 起订25个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDD10AN06A0 起订25个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDD10AN06A0

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:135W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:37nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1840pF@25V

    连续漏极电流:11A€50A

    类型:N沟道

    导通电阻:10.5mΩ@50A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    5月11日前
    - +
    起购:25
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BUK7S2R5-40HJ
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BUK7S2R5-40HJ

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BUK7S2R5-40HJ

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:135W

    阈值电压:3.6V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:54nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3793pF@25V

    连续漏极电流:140A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.51mΩ@25A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    5月11日前
    - +
    起购:100
    onsemi Mosfet场效应管 FDD10AN06A0
    onsemi Mosfet场效应管 FDD10AN06A0

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDD10AN06A0

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:135W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:37nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1840pF@25V

    连续漏极电流:11A€50A

    类型:N沟道

    导通电阻:10.5mΩ@50A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    5月11日前
    - +
    起购:100
    NXP Mosfet场效应管 MRF9135LR3 起订25个装
    NXP Mosfet场效应管 MRF9135LR3 起订25个装

    品牌:NXP

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"06+":250}

    销售单位:

    规格型号(MPN):MRF9135LR3

    功率:135W

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    5月11日前
    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDD3672
    onsemi Mosfet场效应管 FDD3672

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDD3672

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:135W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:36nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1710pF@25V

    连续漏极电流:6.5A€44A

    类型:N沟道

    导通电阻:28mΩ@44A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    5月11日前
    - +
    起购:500
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BUK7S2R5-40HJ
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BUK7S2R5-40HJ

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BUK7S2R5-40HJ

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:135W

    阈值电压:3.6V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:54nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3793pF@25V

    连续漏极电流:140A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.51mΩ@25A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    5月11日前
    - +
    起购:100
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