品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RS1G180MNTB
工作温度：150℃
功率：3W€30W
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：19.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1293pF@20V
连续漏极电流：18A€80A
类型：N沟道
导通电阻：7mΩ@18A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVD5C478NT4G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3W€30W
阈值电压：4V@30µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：14nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：840pF@25V
连续漏极电流：14A€43A
类型：N沟道
导通电阻：8.4mΩ@15A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
销售单位：个
规格型号(MPN)：RS1E240BNTB
工作温度：150℃
功率：3W€30W
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：24A
类型：N-Channel
导通电阻：3.2mΩ@24A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVD5C478NLT4G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3W€30W
阈值电压：2.2V@30µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：20nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1100pF@25V
连续漏极电流：14A€45A
类型：N沟道
导通电阻：7.7mΩ@15A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVD5C478NLT4G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3W€30W
阈值电压：2.2V@30µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：20nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1100pF@25V
连续漏极电流：14A€45A
类型：N沟道
导通电阻：7.7mΩ@15A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
销售单位：个
规格型号(MPN)：RS1E240BNTB
工作温度：150℃
功率：3W€30W
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：24A
类型：N-Channel
导通电阻：3.2mΩ@24A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
销售单位：个
规格型号(MPN)：RS1E240BNTB
工作温度：150℃
功率：3W€30W
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：24A
类型：N-Channel
导通电阻：3.2mΩ@24A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RS1E280BNTB
工作温度：-55℃~150℃
功率：3W€30W
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：28A
类型：N-Channel
导通电阻：2.3mΩ@28A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
销售单位：个
规格型号(MPN)：RS1G180MNTB
工作温度：150℃
功率：3W€30W
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：19.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1293pF@20V
连续漏极电流：18A€80A
类型：N沟道
导通电阻：7mΩ@18A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RS1E280BNTB
工作温度：-55℃~150℃
功率：3W€30W
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：28A
类型：N-Channel
导通电阻：2.3mΩ@28A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
销售单位：个
规格型号(MPN)：RS1E240BNTB
工作温度：150℃
功率：3W€30W
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：24A
类型：N-Channel
导通电阻：3.2mΩ@24A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RS1E280BNTB
工作温度：-55℃~150℃
功率：3W€30W
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：28A
类型：N-Channel
导通电阻：2.3mΩ@28A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVD5C478NLT4G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3W€30W
阈值电压：2.2V@30µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：20nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1100pF@25V
连续漏极电流：14A€45A
类型：N沟道
导通电阻：7.7mΩ@15A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RS1E280BNTB
工作温度：-55℃~150℃
功率：3W€30W
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：28A
类型：N-Channel
导通电阻：2.3mΩ@28A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RS1E280BNTB
工作温度：-55℃~150℃
功率：3W€30W
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：28A
类型：N-Channel
导通电阻：2.3mΩ@28A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
销售单位：个
规格型号(MPN)：RS1G180MNTB
工作温度：150℃
功率：3W€30W
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：19.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1293pF@20V
连续漏极电流：18A€80A
类型：N沟道
导通电阻：7mΩ@18A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVD5C478NT4G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3W€30W
阈值电压：4V@30µA
栅极电荷：14nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：840pF@25V
连续漏极电流：14A€43A
类型：N沟道
导通电阻：8.4mΩ@15A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVD5C478NLT4G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3W€30W
阈值电压：2.2V@30µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：20nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1100pF@25V
连续漏极电流：14A€45A
类型：N沟道
导通电阻：7.7mΩ@15A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVD5C478NT4G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3W€30W
阈值电压：4V@30µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：14nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：840pF@25V
连续漏极电流：14A€43A
类型：N沟道
导通电阻：8.4mΩ@15A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVD5C478NT4G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3W€30W
阈值电压：4V@30µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：14nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：840pF@25V
连续漏极电流：14A€43A
类型：N沟道
导通电阻：8.4mΩ@15A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVD5C478NT4G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3W€30W
阈值电压：4V@30µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：14nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：840pF@25V
连续漏极电流：14A€43A
类型：N沟道
导通电阻：8.4mΩ@15A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
销售单位：个
规格型号(MPN)：RS1E240BNTB
工作温度：150℃
功率：3W€30W
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：24A
类型：N-Channel
导通电阻：3.2mΩ@24A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
销售单位：个
规格型号(MPN)：RS1G180MNTB
工作温度：150℃
功率：3W€30W
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：19.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1293pF@20V
连续漏极电流：18A€80A
类型：N沟道
导通电阻：7mΩ@18A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVD5C478NLT4G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3W€30W
阈值电压：2.2V@30µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：20nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1100pF@25V
连续漏极电流：14A€45A
类型：N沟道
导通电阻：7.7mΩ@15A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVD5C478NT4G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3W€30W
阈值电压：4V@30µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：14nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：840pF@25V
连续漏极电流：14A€43A
类型：N沟道
导通电阻：8.4mΩ@15A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RS1E280BNTB
工作温度：-55℃~150℃
功率：3W€30W
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：28A
类型：N-Channel
导通电阻：2.3mΩ@28A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVD5C478NLT4G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3W€30W
阈值电压：2.2V@30µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：20nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1100pF@25V
连续漏极电流：14A€45A
类型：N沟道
导通电阻：7.7mΩ@15A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
销售单位：个
规格型号(MPN)：RS1E240BNTB
工作温度：150℃
功率：3W€30W
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：24A
类型：N-Channel
导通电阻：3.2mΩ@24A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
销售单位：个
规格型号(MPN)：RS1E240BNTB
工作温度：150℃
功率：3W€30W
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：24A
类型：N-Channel
导通电阻：3.2mΩ@24A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RS1E280BNTB
工作温度：-55℃~150℃
功率：3W€30W
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：28A
类型：N-Channel
导通电阻：2.3mΩ@28A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
