包装规格(MPQ)：50psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：STA302A

集射极击穿电压(Vceo)：50V

集电极电流(Ic)：4A

功率：3W

集电集截止电流(Icbo)：100µA

工作温度：150℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：2V@10mA，3A

包装方式：管件

晶体管类型：3 PNP 达林顿管（发射极耦合）

直流增益(hFE@Ic，Vce)：1000@3A，4V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：STD01N

集射极击穿电压(Vceo)：150V

集电极电流(Ic)：10A

功率：100W

集电集截止电流(Icbo)：100µA

工作温度：150℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：2V@6mA，6A

包装方式：散装

晶体管类型：NPN

直流增益(hFE@Ic，Vce)：5000@6A，4V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：30psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：BU931P

集射极击穿电压(Vceo)：400V

集电极电流(Ic)：15A

功率：135W

集电集截止电流(Icbo)：100µA

工作温度：175℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：1.8V@250mA，10A

包装方式：管件

晶体管类型：NPN

直流增益(hFE@Ic，Vce)：300@5A，10V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：800psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：BUB323ZT4G

集射极击穿电压(Vceo)：350V

集电极电流(Ic)：10A

功率：150W

集电集截止电流(Icbo)：100µA

特征频率：2MHz

工作温度：65℃~175℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：1.7V@250mA，10A

ECCN：EAR99

包装方式：卷带（TR）

晶体管类型：NPN

直流增益(hFE@Ic，Vce)：500@5A，4.6V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：2STBN15D100

集射极击穿电压(Vceo)：100V

集电极电流(Ic)：12A

功率：70W

集电集截止电流(Icbo)：100µA

工作温度：150℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：1.3V@4mA，4A

包装方式：卷带（TR）

晶体管类型：NPN

直流增益(hFE@Ic，Vce)：750@3A，3V

包装清单：商品主体 * 1

生产批次：{"08+"：872，"09+"：1001，"11+"：2373，"12+"：500，"14+"：2492，"18+"：1}

包装规格(MPQ)：500psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：MJE703G

集射极击穿电压(Vceo)：80V

集电极电流(Ic)：4A

功率：40W

集电集截止电流(Icbo)：100µA

工作温度：55℃~150℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：2.8V@40mA，2A

ECCN：EAR99

包装方式：散装

晶体管类型：PNP

直流增益(hFE@Ic，Vce)：750@2A，3V

包装清单：商品主体 * 1

生产批次：{"20+"：10412，"23+"：2500}

销售单位：个

规格型号(MPN)：2N6034G

集射极击穿电压(Vceo)：40V

集电极电流(Ic)：4A

功率：40W

集电集截止电流(Icbo)：100µA

工作温度：65℃~150℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：3V@40mA，4A

ECCN：EAR99

包装方式：散装

晶体管类型：PNP

直流增益(hFE@Ic，Vce)：750@2A，3V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：50psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：ST901T

集射极击穿电压(Vceo)：350V

集电极电流(Ic)：4A

功率：100W

集电集截止电流(Icbo)：100µA

工作温度：150℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：2V@20mA，2A

包装方式：管件

晶体管类型：NPN

直流增益(hFE@Ic，Vce)：1800@2A，2V

包装清单：商品主体 * 1

生产批次：{"08+"：872，"09+"：1001，"11+"：2373，"12+"：500，"14+"：2492，"18+"：1}

包装规格(MPQ)：500psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：MJE703G

集射极击穿电压(Vceo)：80V

集电极电流(Ic)：4A

功率：40W

集电集截止电流(Icbo)：100µA

工作温度：55℃~150℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：2.8V@40mA，2A

ECCN：EAR99

包装方式：散装

晶体管类型：PNP

直流增益(hFE@Ic，Vce)：750@2A，3V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：STD01N

集射极击穿电压(Vceo)：150V

集电极电流(Ic)：10A

功率：100W

集电集截止电流(Icbo)：100µA

工作温度：150℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：2V@6mA，6A

包装方式：散装

晶体管类型：NPN

直流增益(hFE@Ic，Vce)：5000@6A，4V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：STD01N

集射极击穿电压(Vceo)：150V

集电极电流(Ic)：10A

功率：100W

集电集截止电流(Icbo)：100µA

工作温度：150℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：2V@6mA，6A

包装方式：散装

晶体管类型：NPN

直流增益(hFE@Ic，Vce)：5000@6A，4V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：18psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：SMA6010

集射极击穿电压(Vceo)：60V

集电极电流(Ic)：4A

功率：4W

集电集截止电流(Icbo)：100µA

特征频率：75MHz

工作温度：150℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：1.5V@6mA，3A

ECCN：EAR99

包装方式：管件

晶体管类型：3 NPN，3 PNP 达林顿管（3 相桥）

直流增益(hFE@Ic，Vce)：2000@3A，4V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：STD01P

集射极击穿电压(Vceo)：150V

集电极电流(Ic)：10A

功率：100W

集电集截止电流(Icbo)：100µA

工作温度：150℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：2V@6mA，6A

ECCN：EAR99

包装方式：散装

晶体管类型：PNP

直流增益(hFE@Ic，Vce)：5000@6A，4V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：50psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：STA302A

集射极击穿电压(Vceo)：50V

集电极电流(Ic)：4A

功率：3W

集电集截止电流(Icbo)：100µA

工作温度：150℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：2V@10mA，3A

包装方式：管件

晶体管类型：3 PNP 达林顿管（发射极耦合）

直流增益(hFE@Ic，Vce)：1000@3A，4V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：30psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：BU931P

集射极击穿电压(Vceo)：400V

集电极电流(Ic)：15A

功率：135W

集电集截止电流(Icbo)：100µA

工作温度：175℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：1.8V@250mA，10A

包装方式：管件

晶体管类型：NPN

直流增益(hFE@Ic，Vce)：300@5A，10V

包装清单：商品主体 * 1

生产批次：{"20+"：10412，"23+"：2500}

销售单位：个

规格型号(MPN)：2N6034G

集射极击穿电压(Vceo)：40V

集电极电流(Ic)：4A

功率：40W

集电集截止电流(Icbo)：100µA

工作温度：65℃~150℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：3V@40mA，4A

ECCN：EAR99

包装方式：散装

晶体管类型：PNP

直流增益(hFE@Ic，Vce)：750@2A，3V

包装清单：商品主体 * 1

生产批次：{"16+"：500，"18+"：2528，"19+"：277}

包装规格(MPQ)：500psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：2N6038G

集射极击穿电压(Vceo)：60V

集电极电流(Ic)：4A

功率：40W

集电集截止电流(Icbo)：100µA

工作温度：65℃~150℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：3V@40mA，4A

ECCN：EAR99

包装方式：散装

晶体管类型：NPN

直流增益(hFE@Ic，Vce)：750@2A，3V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：2SD2560

集射极击穿电压(Vceo)：150V

集电极电流(Ic)：15A

功率：130W

集电集截止电流(Icbo)：100µA

特征频率：70MHz

工作温度：150℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：2.5V@10mA，10A

包装方式：散装

晶体管类型：NPN

直流增益(hFE@Ic，Vce)：5000@10A，4V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：2SD2560

集射极击穿电压(Vceo)：150V

集电极电流(Ic)：15A

功率：130W

集电集截止电流(Icbo)：100µA

特征频率：70MHz

工作温度：150℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：2.5V@10mA，10A

包装方式：散装

晶体管类型：NPN

直流增益(hFE@Ic，Vce)：5000@10A，4V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：2STBN15D100

集射极击穿电压(Vceo)：100V

集电极电流(Ic)：12A

功率：70W

集电集截止电流(Icbo)：100µA

工作温度：150℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：1.3V@4mA，4A

包装方式：卷带（TR）

晶体管类型：NPN

直流增益(hFE@Ic，Vce)：750@3A，3V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：800psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：BUB323ZT4G

集射极击穿电压(Vceo)：350V

集电极电流(Ic)：10A

功率：150W

集电集截止电流(Icbo)：100µA

特征频率：2MHz

工作温度：65℃~175℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：1.7V@250mA，10A

ECCN：EAR99

包装方式：卷带（TR）

晶体管类型：NPN

直流增益(hFE@Ic，Vce)：500@5A，4.6V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：2SD2560

集射极击穿电压(Vceo)：150V

集电极电流(Ic)：15A

功率：130W

集电集截止电流(Icbo)：100µA

特征频率：70MHz

工作温度：150℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：2.5V@10mA，10A

包装方式：散装

晶体管类型：NPN

直流增益(hFE@Ic，Vce)：5000@10A，4V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：2N6034G

集射极击穿电压(Vceo)：40V

集电极电流(Ic)：4A

功率：40W

集电集截止电流(Icbo)：100µA

工作温度：65℃~150℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：3V@40mA，4A

包装方式：散装

晶体管类型：PNP

直流增益(hFE@Ic，Vce)：750@2A，3V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：2SD2560

集射极击穿电压(Vceo)：150V

集电极电流(Ic)：15A

功率：130W

集电集截止电流(Icbo)：100µA

特征频率：70MHz

工作温度：150℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：2.5V@10mA，10A

包装方式：散装

晶体管类型：NPN

直流增益(hFE@Ic，Vce)：5000@10A，4V

包装清单：商品主体 * 1

生产批次：{"21+"：1000，"22+"：7360}

包装规格(MPQ)：500psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：2N6038G

集射极击穿电压(Vceo)：60V

集电极电流(Ic)：4A

功率：40W

集电集截止电流(Icbo)：100µA

工作温度：65℃~150℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：3V@40mA，4A

ECCN：EAR99

包装方式：散装

晶体管类型：NPN

直流增益(hFE@Ic，Vce)：750@2A，3V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：50psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：STP03D200

集射极击穿电压(Vceo)：1200V

集电极电流(Ic)：100mA

功率：40W

集电集截止电流(Icbo)：100µA

工作温度：150℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：2V@500µA，50mA

包装方式：管件

晶体管类型：NPN

直流增益(hFE@Ic，Vce)：200@30mA，10V

包装清单：商品主体 * 1

生产批次：{"16+"：500，"18+"：2528，"19+"：277}

包装规格(MPQ)：500psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：2N6038G

集射极击穿电压(Vceo)：60V

集电极电流(Ic)：4A

功率：40W

集电集截止电流(Icbo)：100µA

工作温度：65℃~150℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：3V@40mA，4A

ECCN：EAR99

包装方式：散装

晶体管类型：NPN

直流增益(hFE@Ic，Vce)：750@2A，3V

包装清单：商品主体 * 1

生产批次：{"21+"：17301}

销售单位：个

规格型号(MPN)：KSE800STU

集射极击穿电压(Vceo)：60V

集电极电流(Ic)：4A

功率：40W

集电集截止电流(Icbo)：100µA

工作温度：150℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：2.5V@30mA，1.5A

ECCN：EAR99

包装方式：管件

晶体管类型：NPN

直流增益(hFE@Ic，Vce)：750@1.5A，3V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：2SD2560

集射极击穿电压(Vceo)：150V

集电极电流(Ic)：15A

功率：130W

集电集截止电流(Icbo)：100µA

特征频率：70MHz

工作温度：150℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：2.5V@10mA，10A

包装方式：散装

晶体管类型：NPN

直流增益(hFE@Ic，Vce)：5000@10A，4V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：2STBN15D100

集射极击穿电压(Vceo)：100V

集电极电流(Ic)：12A

功率：70W

集电集截止电流(Icbo)：100µA

工作温度：150℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：1.3V@4mA，4A

包装方式：卷带（TR）

晶体管类型：NPN

直流增益(hFE@Ic，Vce)：750@3A，3V

包装清单：商品主体 * 1