销售单位：个

规格型号(MPN)：FZT603QTA

集射极击穿电压(Vceo)：80V

集电极电流(Ic)：2A

功率：1.2W

集电集截止电流(Icbo)：10µA

特征频率：150MHz

工作温度：55℃~150℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：1.13V@20mA，2A

ECCN：EAR99

包装方式：卷带（TR）

晶体管类型：NPN

直流增益(hFE@Ic，Vce)：5000@500mA，5V

包装清单：商品主体 * 1

生产批次：{"21+"：10453，"22+"：6623，"23+"：2905}

销售单位：个

规格型号(MPN)：NZT7053

集射极击穿电压(Vceo)：100V

集电极电流(Ic)：1.5A

功率：1W

集电集截止电流(Icbo)：200nA

特征频率：200MHz

工作温度：55℃~150℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：1.5V@100µA，100mA

ECCN：EAR99

包装方式：卷带（TR）

晶体管类型：NPN

直流增益(hFE@Ic，Vce)：1000@1A，5V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：MMBTA28-7-F

集射极击穿电压(Vceo)：80V

集电极电流(Ic)：500mA

功率：300mW

集电集截止电流(Icbo)：500nA

特征频率：125MHz

工作温度：55℃~150℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：1.5V@100µA，100mA

包装方式：卷带（TR）

晶体管类型：NPN

直流增益(hFE@Ic，Vce)：10000@100mA，5V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：NJVMJD44E3T4G

集射极击穿电压(Vceo)：80V

集电极电流(Ic)：10A

功率：1.75W

集电集截止电流(Icbo)：10µA

工作温度：55℃~150℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：2V@20mA，10A

ECCN：EAR99

包装方式：卷带（TR）

晶体管类型：NPN

直流增益(hFE@Ic，Vce)：1000@5A，5V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：NZT7053

集射极击穿电压(Vceo)：100V

集电极电流(Ic)：1.5A

功率：1W

集电集截止电流(Icbo)：200nA

特征频率：200MHz

工作温度：55℃~150℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：1.5V@100µA，100mA

ECCN：EAR99

包装方式：卷带（TR）

晶体管类型：NPN

直流增益(hFE@Ic，Vce)：1000@1A，5V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：NZT605

集射极击穿电压(Vceo)：110V

集电极电流(Ic)：1.5A

功率：1W

集电集截止电流(Icbo)：10nA

特征频率：150MHz

工作温度：55℃~150℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：1.5V@1mA，1A

包装方式：卷带（TR）

晶体管类型：NPN

直流增益(hFE@Ic，Vce)：2000@1A，5V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：FZT605TA

集射极击穿电压(Vceo)：120V

集电极电流(Ic)：1.5A

功率：2W

集电集截止电流(Icbo)：10µA

特征频率：150MHz

工作温度：55℃~150℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：1.5V@1mA，1A

ECCN：EAR99

包装方式：卷带（TR）

晶体管类型：NPN

直流增益(hFE@Ic，Vce)：2000@1A，5V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：BCV47QTC

集射极击穿电压(Vceo)：60V

集电极电流(Ic)：500mA

功率：310mW

集电集截止电流(Icbo)：100nA

特征频率：170MHz

工作温度：55℃~150℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：1V@100µA，100mA

ECCN：EAR99

包装方式：卷带（TR）

晶体管类型：NPN

直流增益(hFE@Ic，Vce)：10000@100mA，5V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：BCV27

集射极击穿电压(Vceo)：30V

集电极电流(Ic)：1.2A

功率：350mW

集电集截止电流(Icbo)：100nA

特征频率：220MHz

工作温度：55℃~150℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：1V@100µA，100mA

包装方式：卷带（TR）

晶体管类型：NPN

直流增益(hFE@Ic，Vce)：20000@100mA，5V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：BST52TA

集射极击穿电压(Vceo)：80V

集电极电流(Ic)：500mA

功率：1W

集电集截止电流(Icbo)：10µA

工作温度：55℃~150℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：1.3V@500µA，500mA

包装方式：卷带（TR）

晶体管类型：NPN

直流增益(hFE@Ic，Vce)：1000@150mA，10V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：MMBT6427LT1G

集射极击穿电压(Vceo)：40V

集电极电流(Ic)：500mA

功率：225mW

集电集截止电流(Icbo)：1µA

工作温度：55℃~150℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：1.5V@500µA，500mA

ECCN：EAR99

包装方式：卷带（TR）

晶体管类型：NPN

直流增益(hFE@Ic，Vce)：20000@100mA，5V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：FZTA14TA

集射极击穿电压(Vceo)：30V

集电极电流(Ic)：1A

功率：2W

集电集截止电流(Icbo)：100nA

特征频率：170MHz

工作温度：55℃~150℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：1.6V@1mA，1A

包装方式：卷带（TR）

晶体管类型：NPN

直流增益(hFE@Ic，Vce)：20000@100mA，5V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：MPSA29

集射极击穿电压(Vceo)：100V

集电极电流(Ic)：800mA

功率：625mW

集电集截止电流(Icbo)：500nA

特征频率：125MHz

工作温度：55℃~150℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：1.5V@100µA，100mA

ECCN：EAR99

包装方式：散装

晶体管类型：NPN

直流增益(hFE@Ic，Vce)：10000@100mA，5V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：MMST6427-7-F

集射极击穿电压(Vceo)：40V

集电极电流(Ic)：500mA

功率：200mW

集电集截止电流(Icbo)：1µA

工作温度：55℃~150℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：1.5V@500µA，500mA

包装方式：卷带（TR）

晶体管类型：NPN

直流增益(hFE@Ic，Vce)：20000@100mA，5V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：MMBTA13LT1G

集射极击穿电压(Vceo)：30V

集电极电流(Ic)：300mA

功率：225mW

集电集截止电流(Icbo)：100nA

特征频率：125MHz

工作温度：55℃~150℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：1.5V@100µA，100mA

包装方式：卷带（TR）

晶体管类型：NPN

直流增益(hFE@Ic，Vce)：10000@100mA，5V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：BCV47TA

集射极击穿电压(Vceo)：60V

集电极电流(Ic)：500mA

功率：330mW

集电集截止电流(Icbo)：100nA

特征频率：170MHz

工作温度：55℃~150℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：1V@100µA，100mA

包装方式：卷带（TR）

晶体管类型：NPN

直流增益(hFE@Ic，Vce)：10000@100mA，5V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：BCV47TA

集射极击穿电压(Vceo)：60V

集电极电流(Ic)：500mA

功率：330mW

集电集截止电流(Icbo)：100nA

特征频率：170MHz

工作温度：55℃~150℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：1V@100µA，100mA

包装方式：卷带（TR）

晶体管类型：NPN

直流增益(hFE@Ic，Vce)：10000@100mA，5V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：MMBT6427LT1G

集射极击穿电压(Vceo)：40V

集电极电流(Ic)：500mA

功率：225mW

集电集截止电流(Icbo)：1µA

工作温度：55℃~150℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：1.5V@500µA，500mA

ECCN：EAR99

包装方式：卷带（TR）

晶体管类型：NPN

直流增益(hFE@Ic，Vce)：20000@100mA，5V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：MMBTA28

集射极击穿电压(Vceo)：80V

集电极电流(Ic)：800mA

功率：350mW

集电集截止电流(Icbo)：500nA

特征频率：125MHz

工作温度：55℃~150℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：1.5V@100µA，100mA

包装方式：卷带（TR）

晶体管类型：NPN

直流增益(hFE@Ic，Vce)：10000@100mA，5V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：MMBTA28

集射极击穿电压(Vceo)：80V

集电极电流(Ic)：800mA

功率：350mW

集电集截止电流(Icbo)：500nA

特征频率：125MHz

工作温度：55℃~150℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：1.5V@100µA，100mA

包装方式：卷带（TR）

晶体管类型：NPN

直流增益(hFE@Ic，Vce)：10000@100mA，5V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：BST52TA

集射极击穿电压(Vceo)：80V

集电极电流(Ic)：500mA

功率：1W

集电集截止电流(Icbo)：10µA

工作温度：55℃~150℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：1.3V@500µA，500mA

包装方式：卷带（TR）

晶体管类型：NPN

直流增益(hFE@Ic，Vce)：1000@150mA，10V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：ZXTN04120HFFTA

集射极击穿电压(Vceo)：120V

集电极电流(Ic)：1A

功率：1.5W

集电集截止电流(Icbo)：10µA

特征频率：120MHz

工作温度：55℃~150℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：1.5V@5mA，2A

ECCN：EAR99

包装方式：卷带（TR）

晶体管类型：NPN

直流增益(hFE@Ic，Vce)：3000@1A，5V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：ZXTN04120HKTC

集射极击穿电压(Vceo)：120V

集电极电流(Ic)：1.5A

功率：1.5W

集电集截止电流(Icbo)：100nA

特征频率：150MHz

工作温度：55℃~150℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：1.5V@1mA，1A

ECCN：EAR99

包装方式：卷带（TR）

晶体管类型：NPN

直流增益(hFE@Ic，Vce)：2000@1A，5V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：BC517-D74Z

集射极击穿电压(Vceo)：30V

集电极电流(Ic)：1.2A

功率：625mW

集电集截止电流(Icbo)：100nA

工作温度：55℃~150℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：1V@100µA，100mA

包装方式：剪切带（CT）

晶体管类型：NPN

直流增益(hFE@Ic，Vce)：30000@20mA，2V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：500psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：BD681G

集射极击穿电压(Vceo)：100V

集电极电流(Ic)：4A

功率：40W

集电集截止电流(Icbo)：500µA

工作温度：55℃~150℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：2.5V@30mA，1.5A

ECCN：EAR99

包装方式：散装

晶体管类型：NPN

直流增益(hFE@Ic，Vce)：750@1.5A，3V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：NZT605

集射极击穿电压(Vceo)：110V

集电极电流(Ic)：1.5A

功率：1W

集电集截止电流(Icbo)：10nA

特征频率：150MHz

工作温度：55℃~150℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：1.5V@1mA，1A

包装方式：卷带（TR）

晶体管类型：NPN

直流增益(hFE@Ic，Vce)：2000@1A，5V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：FZTA14TA

集射极击穿电压(Vceo)：30V

集电极电流(Ic)：1A

功率：2W

集电集截止电流(Icbo)：100nA

特征频率：170MHz

工作温度：55℃~150℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：1.6V@1mA，1A

包装方式：卷带（TR）

晶体管类型：NPN

直流增益(hFE@Ic，Vce)：20000@100mA，5V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：BCV47TC

集射极击穿电压(Vceo)：60V

集电极电流(Ic)：500mA

功率：330mW

特征频率：170MHz

工作温度：55℃~150℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：1V@100µA，100mA

ECCN：EAR99

包装方式：卷带（TR）

晶体管类型：NPN

直流增益(hFE@Ic，Vce)：10000@100mA，5V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：500psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：BD681G

集射极击穿电压(Vceo)：100V

集电极电流(Ic)：4A

功率：40W

集电集截止电流(Icbo)：500µA

工作温度：55℃~150℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：2.5V@30mA，1.5A

ECCN：EAR99

包装方式：散装

晶体管类型：NPN

直流增益(hFE@Ic，Vce)：750@1.5A，3V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：MMST6427-7-F

集射极击穿电压(Vceo)：40V

集电极电流(Ic)：500mA

功率：200mW

集电集截止电流(Icbo)：1µA

工作温度：55℃~150℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：1.5V@500µA，500mA

包装方式：卷带（TR）

晶体管类型：NPN

直流增益(hFE@Ic，Vce)：20000@100mA，5V

包装清单：商品主体 * 1