销售单位：个

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：150mV @ 500µA，10mA / 350mV @ 50mA，500mA

集电集截止电流(Icbo)：1µA

包装方式：卷带（TR）

电阻比：2.2千欧

ECCN：EAR99

直流增益(hFE@Ic，Vce)：30 @ 20mA，5V / 150 @ 100mA，2V

集电极电流(Ic)：100mA，500mA

输入电阻：2.2千欧

集射极击穿电压(Vceo)：50V，40V

特征频率：300MHz

功率：300mW

晶体管类型：1 NPN 预偏压式，1 PNP

包装清单：商品主体 * 1

生产批次：{"05+"：45000，"14+"：15000，"15+"：6000，"16+"：9000，"17+"：15000}

销售单位：个

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：250mV @ 5mA，10mA

集电集截止电流(Icbo)：500nA

包装方式：卷带（TR）

电阻比：2.2千欧

ECCN：EAR99

直流增益(hFE@Ic，Vce)：8 @ 5mA，10V

集电极电流(Ic)：100mA

输入电阻：2.2千欧

集射极击穿电压(Vceo)：50V

功率：250mW

晶体管类型：2 个 PNP 预偏压式（双）

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：150mV @ 500µA，10mA / 350mV @ 50mA，500mA

集电集截止电流(Icbo)：1µA

包装方式：卷带（TR）

电阻比：2.2千欧

ECCN：EAR99

直流增益(hFE@Ic，Vce)：30 @ 20mA，5V / 150 @ 100mA，2V

集电极电流(Ic)：100mA，500mA

输入电阻：2.2千欧

集射极击穿电压(Vceo)：50V，40V

特征频率：300MHz

功率：300mW

晶体管类型：1 NPN 预偏压式，1 PNP

包装清单：商品主体 * 1

生产批次：{"18+"：60000}

销售单位：个

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：150mV @ 500µA，10mA / 350mV @ 50mA，500mA

集电集截止电流(Icbo)：1µA

包装方式：卷带（TR）

电阻比：2.2千欧

ECCN：EAR99

直流增益(hFE@Ic，Vce)：30 @ 20mA，5V / 150 @ 100mA，2V

集电极电流(Ic)：100mA，500mA

输入电阻：2.2千欧

集射极击穿电压(Vceo)：50V，40V

特征频率：300MHz

功率：300mW

晶体管类型：1 NPN 预偏压式，1 PNP

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：250mV @ 5mA，10mA

集电集截止电流(Icbo)：500nA

包装方式：卷带（TR）

电阻比：2.2千欧

直流增益(hFE@Ic，Vce)：8 @ 5mA，10V

集电极电流(Ic)：100mA

输入电阻：2.2千欧

集射极击穿电压(Vceo)：50V

功率：250mW

晶体管类型：2 个 PNP 预偏压式（双）

包装清单：商品主体 * 1

生产批次：{"17+"：160000，"19+"：3998，"20+"：120000}

销售单位：个

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：150mV @ 500µA，10mA / 250mV @ 50mA，500mA

集电集截止电流(Icbo)：1µA，100nA

包装方式：卷带（TR）

电阻比：2.2千欧

ECCN：EAR99

直流增益(hFE@Ic，Vce)：30 @ 20mA，5V / 150 @ 100mA，2V

集电极电流(Ic)：100mA，500mA

输入电阻：2.2千欧

集射极击穿电压(Vceo)：50V，15V

特征频率：280MHz

功率：300mW

晶体管类型：1 NPN 预偏压式，1 PNP

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：250mV @ 5mA，10mA

集电集截止电流(Icbo)：500nA

包装方式：卷带（TR）

电阻比：2.2千欧

直流增益(hFE@Ic，Vce)：8 @ 5mA，10V

集电极电流(Ic)：100mA

输入电阻：2.2千欧

集射极击穿电压(Vceo)：50V

功率：250mW

晶体管类型：2 个 PNP 预偏压式（双）

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：150mV @ 500µA，10mA / 350mV @ 50mA，500mA

集电集截止电流(Icbo)：1µA

包装方式：卷带（TR）

电阻比：2.2千欧

ECCN：EAR99

直流增益(hFE@Ic，Vce)：30 @ 20mA，5V / 150 @ 100mA，2V

集电极电流(Ic)：100mA，500mA

输入电阻：2.2千欧

集射极击穿电压(Vceo)：50V，40V

特征频率：300MHz

功率：300mW

晶体管类型：1 NPN 预偏压式，1 PNP

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：250mV @ 5mA，10mA

集电集截止电流(Icbo)：500nA

包装方式：卷带（TR）

电阻比：2.2千欧

直流增益(hFE@Ic，Vce)：8 @ 5mA，10V

集电极电流(Ic)：100mA

输入电阻：2.2千欧

集射极击穿电压(Vceo)：50V

功率：500mW

晶体管类型：1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双）

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：150mV @ 500µA，10mA / 350mV @ 50mA，500mA

集电集截止电流(Icbo)：1µA

包装方式：卷带（TR）

电阻比：2.2千欧

直流增益(hFE@Ic，Vce)：30 @ 20mA，5V / 150 @ 100mA，2V

集电极电流(Ic)：100mA，500mA

输入电阻：2.2千欧

集射极击穿电压(Vceo)：50V，40V

特征频率：300MHz

功率：300mW

晶体管类型：1 NPN 预偏压式，1 PNP

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：250mV @ 5mA，10mA

集电集截止电流(Icbo)：500nA

包装方式：卷带（TR）

电阻比：2.2千欧

直流增益(hFE@Ic，Vce)：8 @ 5mA，10V

集电极电流(Ic)：100mA

输入电阻：2.2千欧

集射极击穿电压(Vceo)：50V

功率：500mW

晶体管类型：1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双）

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：250mV @ 5mA，10mA

集电集截止电流(Icbo)：500nA

包装方式：卷带（TR）

电阻比：2.2千欧

直流增益(hFE@Ic，Vce)：8 @ 5mA，10V

集电极电流(Ic)：100mA

输入电阻：2.2千欧

集射极击穿电压(Vceo)：50V

功率：250mW

晶体管类型：2 个 NPN 预偏压式（双）

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：150mV @ 500µA，10mA / 350mV @ 50mA，500mA

集电集截止电流(Icbo)：1µA

包装方式：卷带（TR）

电阻比：2.2千欧

ECCN：EAR99

直流增益(hFE@Ic，Vce)：30 @ 20mA，5V / 150 @ 100mA，2V

集电极电流(Ic)：100mA，500mA

输入电阻：2.2千欧

集射极击穿电压(Vceo)：50V，40V

特征频率：300MHz

功率：300mW

晶体管类型：1 NPN 预偏压式，1 PNP

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：150mV @ 500µA，10mA / 350mV @ 50mA，500mA

集电集截止电流(Icbo)：1µA

包装方式：卷带（TR）

电阻比：2.2千欧

ECCN：EAR99

直流增益(hFE@Ic，Vce)：30 @ 20mA，5V / 150 @ 100mA，2V

集电极电流(Ic)：100mA，500mA

输入电阻：2.2千欧

集射极击穿电压(Vceo)：50V，40V

特征频率：300MHz

功率：300mW

晶体管类型：1 NPN 预偏压式，1 PNP

包装清单：商品主体 * 1

生产批次：{"22+"：67898}

销售单位：个

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：250mV @ 5mA，10mA

集电集截止电流(Icbo)：500nA

包装方式：卷带（TR）

电阻比：2.2千欧

ECCN：EAR99

直流增益(hFE@Ic，Vce)：8 @ 5mA，10V

集电极电流(Ic)：100mA

输入电阻：2.2千欧

集射极击穿电压(Vceo)：50V

功率：500mW

晶体管类型：1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双）

包装清单：商品主体 * 1

生产批次：{"22+"：15000}

销售单位：个

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：250mV @ 5mA，10mA

集电集截止电流(Icbo)：500nA

包装方式：卷带（TR）

电阻比：2.2千欧

ECCN：EAR99

直流增益(hFE@Ic，Vce)：8 @ 5mA，10V

集电极电流(Ic)：100mA

输入电阻：2.2千欧

集射极击穿电压(Vceo)：50V

功率：250mW

晶体管类型：2 个 PNP 预偏压式（双）

包装清单：商品主体 * 1

生产批次：{"10+"：11920}

销售单位：个

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：150mV @ 500µA，10mA / 350mV @ 50mA，500mA

集电集截止电流(Icbo)：1µA

包装方式：卷带（TR）

电阻比：2.2千欧

ECCN：EAR99

直流增益(hFE@Ic，Vce)：30 @ 20mA，5V / 150 @ 100mA，2V

集电极电流(Ic)：100mA，500mA

输入电阻：2.2千欧

集射极击穿电压(Vceo)：50V，40V

特征频率：300MHz

功率：300mW

晶体管类型：1 NPN 预偏压式，1 PNP

包装清单：商品主体 * 1

生产批次：{"05+"：68000}

销售单位：个

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：250mV @ 5mA，10mA

集电集截止电流(Icbo)：500nA

包装方式：卷带（TR）

电阻比：2.2千欧

ECCN：EAR99

直流增益(hFE@Ic，Vce)：8 @ 5mA，10V

集电极电流(Ic)：100mA

输入电阻：2.2千欧

集射极击穿电压(Vceo)：50V

功率：500mW

晶体管类型：1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双）

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：150mV @ 500µA，10mA / 350mV @ 50mA，500mA

集电集截止电流(Icbo)：1µA

包装方式：卷带（TR）

电阻比：2.2千欧

ECCN：EAR99

直流增益(hFE@Ic，Vce)：30 @ 20mA，5V / 150 @ 100mA，2V

集电极电流(Ic)：100mA，500mA

输入电阻：2.2千欧

集射极击穿电压(Vceo)：50V，40V

特征频率：300MHz

功率：300mW

晶体管类型：1 NPN 预偏压式，1 PNP

包装清单：商品主体 * 1

生产批次：{"10+"：1000，"11+"：990，"12+"：2000}

销售单位：个

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：150mV @ 500µA，10mA / 355mV @ 300mA，3A

集电集截止电流(Icbo)：1µA，100nA

包装方式：卷带（TR）

电阻比：2.2千欧

ECCN：EAR99

直流增益(hFE@Ic，Vce)：30 @ 20mA，5V / 150 @ 2A，2V

集电极电流(Ic)：100mA，3A

输入电阻：2.2千欧

集射极击穿电压(Vceo)：50V，20V

特征频率：100MHz

功率：1.5W

晶体管类型：1 NPN 预偏压式，1 PNP

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：250mV @ 5mA，10mA

集电集截止电流(Icbo)：500nA

包装方式：卷带（TR）

电阻比：2.2千欧

直流增益(hFE@Ic，Vce)：8 @ 5mA，10V

集电极电流(Ic)：100mA

输入电阻：2.2千欧

集射极击穿电压(Vceo)：50V

功率：250mW

晶体管类型：2 个 PNP 预偏压式（双）

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：150mV @ 500µA，10mA / 350mV @ 50mA，500mA

集电集截止电流(Icbo)：1µA

包装方式：卷带（TR）

电阻比：2.2千欧

ECCN：EAR99

直流增益(hFE@Ic，Vce)：30 @ 20mA，5V / 150 @ 100mA，2V

集电极电流(Ic)：100mA，500mA

输入电阻：2.2千欧

集射极击穿电压(Vceo)：50V，40V

特征频率：300MHz

功率：300mW

晶体管类型：1 NPN 预偏压式，1 PNP

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：150mV @ 500µA，10mA / 350mV @ 50mA，500mA

集电集截止电流(Icbo)：1µA

包装方式：卷带（TR）

电阻比：2.2千欧

ECCN：EAR99

直流增益(hFE@Ic，Vce)：30 @ 20mA，5V / 150 @ 100mA，2V

集电极电流(Ic)：100mA，500mA

输入电阻：2.2千欧

集射极击穿电压(Vceo)：50V，40V

特征频率：300MHz

功率：300mW

晶体管类型：1 NPN 预偏压式，1 PNP

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：150mV @ 500µA，10mA / 350mV @ 50mA，500mA

集电集截止电流(Icbo)：1µA

包装方式：卷带（TR）

电阻比：2.2千欧

ECCN：EAR99

直流增益(hFE@Ic，Vce)：30 @ 20mA，5V / 150 @ 100mA，2V

集电极电流(Ic)：100mA，500mA

输入电阻：2.2千欧

集射极击穿电压(Vceo)：50V，40V

特征频率：300MHz

功率：300mW

晶体管类型：1 NPN 预偏压式，1 PNP

包装清单：商品主体 * 1

生产批次：{"17+"：160000，"19+"：3998，"20+"：120000}

销售单位：个

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：150mV @ 500µA，10mA / 250mV @ 50mA，500mA

集电集截止电流(Icbo)：1µA，100nA

包装方式：卷带（TR）

电阻比：2.2千欧

ECCN：EAR99

直流增益(hFE@Ic，Vce)：30 @ 20mA，5V / 150 @ 100mA，2V

集电极电流(Ic)：100mA，500mA

输入电阻：2.2千欧

集射极击穿电压(Vceo)：50V，15V

特征频率：280MHz

功率：300mW

晶体管类型：1 NPN 预偏压式，1 PNP

包装清单：商品主体 * 1

生产批次：{"10+"：11920}

销售单位：个

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：150mV @ 500µA，10mA / 350mV @ 50mA，500mA

集电集截止电流(Icbo)：1µA

包装方式：卷带（TR）

电阻比：2.2千欧

ECCN：EAR99

直流增益(hFE@Ic，Vce)：30 @ 20mA，5V / 150 @ 100mA，2V

集电极电流(Ic)：100mA，500mA

输入电阻：2.2千欧

集射极击穿电压(Vceo)：50V，40V

特征频率：300MHz

功率：300mW

晶体管类型：1 NPN 预偏压式，1 PNP

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：150mV @ 500µA，10mA / 350mV @ 50mA，500mA

集电集截止电流(Icbo)：1µA

包装方式：卷带（TR）

电阻比：2.2千欧

直流增益(hFE@Ic，Vce)：30 @ 20mA，5V / 150 @ 100mA，2V

集电极电流(Ic)：100mA，500mA

输入电阻：2.2千欧

集射极击穿电压(Vceo)：50V，40V

特征频率：300MHz

功率：300mW

晶体管类型：1 NPN 预偏压式，1 PNP

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

生产批次：{"10+"：1000，"11+"：990，"12+"：2000}

特征频率：100MHz

集电极电流(Ic)：100mA，3A

直流增益(hFE@Ic，Vce)：30 @ 20mA，5V / 150 @ 2A，2V

集射极击穿电压(Vceo)：50V，20V

晶体管类型：1 NPN 预偏压式，1 PNP

包装方式：卷带（TR）

电阻比：2.2千欧

ECCN：EAR99

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：150mV @ 500µA，10mA / 355mV @ 300mA，3A

集电集截止电流(Icbo)：1µA，100nA

输入电阻：2.2千欧

功率：1.5W

包装清单：商品主体 * 1

生产批次：{"22+"：67898}

销售单位：个

晶体管类型：1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双）

功率：500mW

集电集截止电流(Icbo)：500nA

包装方式：卷带（TR）

电阻比：2.2千欧

ECCN：EAR99

直流增益(hFE@Ic，Vce)：8 @ 5mA，10V

输入电阻：2.2千欧

集射极击穿电压(Vceo)：50V

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：250mV @ 5mA，10mA

集电极电流(Ic)：100mA

包装清单：商品主体 * 1