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    品牌: ON SEMI
    当前匹配商品:6000+
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    onsemi 数字晶体管 MUN2111T1G 起订1个装
    onsemi 数字晶体管 MUN2111T1G 起订1个装

    品牌:ON SEMI

    分类:数字晶体管

    行业应用:工业,其它

    销售单位:

    集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):250mV@300µA,10mA

    集电集截止电流(Icbo):500nA

    包装方式:卷带(TR)

    直流增益(hFE@Ic,Vce):35@5mA,10V

    集电极电流(Ic):100mA

    输入电阻:10kΩ

    集射极击穿电压(Vceo):50V

    功率:230mW

    晶体管类型:PNP-预偏压

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi 数字晶体管 SMMUN2111LT3G 起订1个装
    onsemi 数字晶体管 SMMUN2111LT3G 起订1个装

    品牌:ON SEMI

    分类:数字晶体管

    行业应用:工业,其它

    销售单位:

    集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):250mV@300µA,10mA

    集电集截止电流(Icbo):500nA

    包装方式:卷带(TR)

    ECCN:EAR99

    直流增益(hFE@Ic,Vce):35@5mA,10V

    集电极电流(Ic):100mA

    输入电阻:10kΩ

    集射极击穿电压(Vceo):50V

    功率:246mW

    晶体管类型:PNP-预偏压

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi 数字晶体管 NSBC114EF3T5G 起订7123个装
    onsemi 数字晶体管 NSBC114EF3T5G 起订7123个装

    品牌:ON SEMI

    分类:数字晶体管

    行业应用:工业,其它

    生产批次:{"21+":24000}

    销售单位:

    集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):250mV@300µA,10mA

    集电集截止电流(Icbo):500nA

    包装方式:卷带(TR)

    ECCN:EAR99

    直流增益(hFE@Ic,Vce):35@5mA,10V

    集电极电流(Ic):100mA

    输入电阻:10kΩ

    集射极击穿电压(Vceo):50V

    功率:254mW

    晶体管类型:NPN-预偏压

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi 数字晶体管 NSBC123JDXV6T5G 起订6511个装
    onsemi 数字晶体管 NSBC123JDXV6T5G 起订6511个装

    品牌:ON SEMI

    分类:数字晶体管

    行业应用:工业,其它

    生产批次:{"22+":8000}

    销售单位:

    ECCN:EAR99

    直流增益(hFE@Ic,Vce):80@5mA,10V

    集电极电流(Ic):100mA

    集射极击穿电压(Vceo):50V

    功率:500mW

    晶体管类型:2个NPN-预偏置

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi 数字晶体管 MUN2132T1 起订13889个装
    onsemi 数字晶体管 MUN2132T1 起订13889个装

    品牌:ON SEMI

    分类:数字晶体管

    行业应用:工业,其它

    生产批次:{"04+":18000,"06+":21000}

    销售单位:

    集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):250mV@1mA,10mA

    集电集截止电流(Icbo):500nA

    包装方式:卷带(TR)

    ECCN:EAR99

    直流增益(hFE@Ic,Vce):15@5mA,10V

    集电极电流(Ic):100mA

    输入电阻:4.7kΩ

    集射极击穿电压(Vceo):50V

    功率:230mW

    晶体管类型:PNP-预偏压

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi 数字晶体管 MUN5215T1G 起订3000个装
    onsemi 数字晶体管 MUN5215T1G 起订3000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:数字晶体管

    行业应用:工业,其它

    销售单位:

    集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):250mV@1mA,10mA

    集电集截止电流(Icbo):500nA

    包装方式:卷带(TR)

    直流增益(hFE@Ic,Vce):160@5mA,10V

    集电极电流(Ic):100mA

    输入电阻:10kΩ

    集射极击穿电压(Vceo):50V

    功率:202mW

    晶体管类型:NPN-预偏压

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi 数字晶体管 MMUN2131LT1G 起订5个装
    onsemi 数字晶体管 MMUN2131LT1G 起订5个装

    品牌:ON SEMI

    分类:数字晶体管

    行业应用:工业,其它

    销售单位:

    集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):250mV@5mA,10mA

    集电集截止电流(Icbo):500nA

    包装方式:卷带(TR)

    直流增益(hFE@Ic,Vce):8@5mA,10V

    集电极电流(Ic):100mA

    输入电阻:2.2kΩ

    集射极击穿电压(Vceo):50V

    功率:246mW

    晶体管类型:PNP-预偏压

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi 数字晶体管 MMUN2217LT1G 起订1个装
    onsemi 数字晶体管 MMUN2217LT1G 起订1个装

    品牌:ON SEMI

    分类:数字晶体管

    行业应用:工业,其它

    销售单位:

    集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):250mV@1mA,10mA

    集电集截止电流(Icbo):500nA

    包装方式:卷带(TR)

    直流增益(hFE@Ic,Vce):35@5mA,10V

    集电极电流(Ic):100mA

    输入电阻:4.7kΩ

    集射极击穿电压(Vceo):50V

    功率:246mW

    晶体管类型:NPN-预偏压

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi 数字晶体管 MMUN2211LT1G 起订13889个装
    onsemi 数字晶体管 MMUN2211LT1G 起订13889个装

    品牌:ON SEMI

    分类:数字晶体管

    行业应用:工业,其它

    生产批次:{"10+":1643,"12+":10277,"13+":3397,"15+":2000,"17+":2439,"19+":13}

    销售单位:

    集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):250mV@300µA,10mA

    集电集截止电流(Icbo):500nA

    包装方式:卷带(TR)

    ECCN:EAR99

    直流增益(hFE@Ic,Vce):35@5mA,10V

    集电极电流(Ic):100mA

    输入电阻:10kΩ

    集射极击穿电压(Vceo):50V

    功率:246mW

    晶体管类型:NPN-预偏压

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi 数字晶体管 MUN5216T1G 起订1个装
    onsemi 数字晶体管 MUN5216T1G 起订1个装

    品牌:ON SEMI

    分类:数字晶体管

    行业应用:工业,其它

    销售单位:

    集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):250mV@1mA,10mA

    集电集截止电流(Icbo):500nA

    包装方式:卷带(TR)

    ECCN:EAR99

    直流增益(hFE@Ic,Vce):160@5mA,10V

    集电极电流(Ic):100mA

    输入电阻:4.7kΩ

    集射极击穿电压(Vceo):50V

    功率:202mW

    晶体管类型:NPN-预偏压

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi 数字晶体管 NSVDTA144WET1G 起订1个装
    onsemi 数字晶体管 NSVDTA144WET1G 起订1个装

    品牌:ON SEMI

    分类:数字晶体管

    行业应用:工业,其它

    销售单位:

    集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):250mV@300µA,10mA

    集电集截止电流(Icbo):500nA

    包装方式:卷带(TR)

    ECCN:EAR99

    直流增益(hFE@Ic,Vce):80@5mA,10V

    集电极电流(Ic):100mA

    输入电阻:47kΩ

    集射极击穿电压(Vceo):50V

    功率:200mW

    晶体管类型:PNP-预偏压

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi 数字晶体管 MUN2215T1G 起订13889个装
    onsemi 数字晶体管 MUN2215T1G 起订13889个装

    品牌:ON SEMI

    分类:数字晶体管

    行业应用:工业,其它

    生产批次:{"06+":52320,"07+":18000,"08+":3000,"10+":72000,"13+":186000,"15+":108000,"16+":108000,"MI+":18000}

    销售单位:

    集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):250mV@1mA,10mA

    集电集截止电流(Icbo):500nA

    包装方式:卷带(TR)

    ECCN:EAR99

    直流增益(hFE@Ic,Vce):160@5mA,10V

    集电极电流(Ic):100mA

    输入电阻:10kΩ

    集射极击穿电压(Vceo):50V

    功率:338mW

    晶体管类型:NPN-预偏压

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi 数字晶体管 NSVMUN531335DW1T3G 起订1个装
    onsemi 数字晶体管 NSVMUN531335DW1T3G 起订1个装

    品牌:ON SEMI

    分类:数字晶体管

    行业应用:工业,其它

    销售单位:

    集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):250mV @ 300µA,10mA

    集电集截止电流(Icbo):500nA

    包装方式:卷带(TR)

    电阻比:47千欧,47千欧

    ECCN:EAR99

    直流增益(hFE@Ic,Vce):80 @ 5mA,10V

    集电极电流(Ic):100mA

    输入电阻:47千欧,2.2千欧

    集射极击穿电压(Vceo):50V

    功率:385mW

    晶体管类型:1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双)

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi 数字晶体管 DTA114EM3T5G 起订200个装
    onsemi 数字晶体管 DTA114EM3T5G 起订200个装

    品牌:ON SEMI

    分类:数字晶体管

    行业应用:工业,其它

    销售单位:

    集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):250mV@300µA,10mA

    集电集截止电流(Icbo):500nA

    包装方式:卷带(TR)

    直流增益(hFE@Ic,Vce):35@5mA,10V

    集电极电流(Ic):100mA

    输入电阻:10kΩ

    集射极击穿电压(Vceo):50V

    功率:260mW

    晶体管类型:PNP-预偏压

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi 数字晶体管 MUN5112T1 起订3366个装
    onsemi 数字晶体管 MUN5112T1 起订3366个装

    品牌:ON SEMI

    分类:数字晶体管

    行业应用:工业,其它

    生产批次:{"05+":774000}

    销售单位:

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi 数字晶体管 DTA114EM3T5G 起订8651个装
    onsemi 数字晶体管 DTA114EM3T5G 起订8651个装

    品牌:ON SEMI

    分类:数字晶体管

    行业应用:工业,其它

    生产批次:{"04+":1030490,"05+":184000,"10+":8000,"11+":15550,"12+":55575,"13+":16000,"14+":6850,"15+":8000,"16+":5777,"21+":32000}

    销售单位:

    集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):250mV@300µA,10mA

    集电集截止电流(Icbo):500nA

    包装方式:卷带(TR)

    ECCN:EAR99

    直流增益(hFE@Ic,Vce):35@5mA,10V

    集电极电流(Ic):100mA

    输入电阻:10kΩ

    集射极击穿电压(Vceo):50V

    功率:260mW

    晶体管类型:PNP-预偏压

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi 数字晶体管 SMUN5335DW1T1G 起订3000个装
    onsemi 数字晶体管 SMUN5335DW1T1G 起订3000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:数字晶体管

    行业应用:工业,其它

    销售单位:

    集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):250mV @ 300µA,10mA

    集电集截止电流(Icbo):500nA

    包装方式:卷带(TR)

    电阻比:47千欧

    直流增益(hFE@Ic,Vce):80 @ 5mA,10V

    集电极电流(Ic):100mA

    输入电阻:2.2千欧

    集射极击穿电压(Vceo):50V

    功率:187mW

    晶体管类型:1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双)

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi 数字晶体管 MUN5211T1G 起订3000个装
    onsemi 数字晶体管 MUN5211T1G 起订3000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:数字晶体管

    行业应用:工业,其它

    销售单位:

    集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):250mV@300µA,10mA

    集电集截止电流(Icbo):500nA

    包装方式:卷带(TR)

    直流增益(hFE@Ic,Vce):35@5mA,10V

    集电极电流(Ic):100mA

    输入电阻:10kΩ

    集射极击穿电压(Vceo):50V

    功率:202mW

    晶体管类型:NPN-预偏压

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi 数字晶体管 MMUN2132LT1 起订13889个装
    onsemi 数字晶体管 MMUN2132LT1 起订13889个装

    品牌:ON SEMI

    分类:数字晶体管

    行业应用:工业,其它

    生产批次:{"04+":225000}

    销售单位:

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi 数字晶体管 NSBA113EDXV6T1 起订13889个装
    onsemi 数字晶体管 NSBA113EDXV6T1 起订13889个装

    品牌:ON SEMI

    分类:数字晶体管

    行业应用:工业,其它

    生产批次:{"04+":44000}

    销售单位:

    集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):250mV @ 5mA,10mA

    集电集截止电流(Icbo):500nA

    包装方式:卷带(TR)

    电阻比:1千欧

    ECCN:EAR99

    直流增益(hFE@Ic,Vce):3 @ 5mA,10V

    集电极电流(Ic):100mA

    输入电阻:1千欧

    集射极击穿电压(Vceo):50V

    功率:500mW

    晶体管类型:2 个 PNP 预偏压式(双)

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi 数字晶体管 NSM21356DW6T1G 起订13889个装
    onsemi 数字晶体管 NSM21356DW6T1G 起订13889个装

    品牌:ON SEMI

    分类:数字晶体管

    行业应用:工业,其它

    生产批次:{"08+":321000}

    销售单位:

    集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):250mV @ 300µA,10mA / 650mV @ 5mA,100mA

    集电集截止电流(Icbo):500nA

    包装方式:卷带(TR)

    电阻比:47千欧

    ECCN:EAR99

    直流增益(hFE@Ic,Vce):80 @ 5mA,10V / 220 @ 2mA,5V

    集电极电流(Ic):100mA

    输入电阻:47千欧

    集射极击穿电压(Vceo):50V,65V

    功率:230mW

    晶体管类型:1 NPN 预偏压式,1 PNP

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi 数字晶体管 MMUN2213LT1G 起订1个装
    onsemi 数字晶体管 MMUN2213LT1G 起订1个装

    品牌:ON SEMI

    分类:数字晶体管

    行业应用:工业,其它

    销售单位:

    集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):250mV@300µA,10mA

    集电集截止电流(Icbo):500nA

    包装方式:卷带(TR)

    直流增益(hFE@Ic,Vce):80@5mA,10V

    集电极电流(Ic):100mA

    输入电阻:47kΩ

    集射极击穿电压(Vceo):50V

    功率:246mW

    晶体管类型:NPN-预偏压

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi 数字晶体管 MUN2211T1G 起订1个装
    onsemi 数字晶体管 MUN2211T1G 起订1个装

    品牌:ON SEMI

    分类:数字晶体管

    行业应用:工业,其它

    销售单位:

    集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):250mV@300µA,10mA

    集电集截止电流(Icbo):500nA

    包装方式:卷带(TR)

    直流增益(hFE@Ic,Vce):35@5mA,10V

    集电极电流(Ic):100mA

    输入电阻:10kΩ

    集射极击穿电压(Vceo):50V

    功率:230mW

    晶体管类型:NPN-预偏压

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi 数字晶体管 NSBC114YF3T5G 起订7123个装
    onsemi 数字晶体管 NSBC114YF3T5G 起订7123个装

    品牌:ON SEMI

    分类:数字晶体管

    行业应用:工业,其它

    生产批次:{"09+":152000,"11+":98746}

    销售单位:

    集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):250mV@300µA,10mA

    集电集截止电流(Icbo):500nA

    包装方式:卷带(TR)

    ECCN:EAR99

    直流增益(hFE@Ic,Vce):80@5mA,10V

    集电极电流(Ic):100mA

    输入电阻:10kΩ

    集射极击穿电压(Vceo):50V

    功率:254mW

    晶体管类型:NPN-预偏压

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi 数字晶体管 MUN5314DW1T1G 起订3000个装
    onsemi 数字晶体管 MUN5314DW1T1G 起订3000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:数字晶体管

    行业应用:工业,其它

    销售单位:

    包装方式:卷带(TR)

    直流增益(hFE@Ic,Vce):80@5mA,10V

    集电极电流(Ic):100mA

    集射极击穿电压(Vceo):50V

    功率:250mW

    晶体管类型:1个NPN,1个PNP-预偏置

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi 数字晶体管 IMH20TR1G 起订3704个装
    onsemi 数字晶体管 IMH20TR1G 起订3704个装

    品牌:ON SEMI

    分类:数字晶体管

    行业应用:工业,其它

    生产批次:{"04+":2925,"07+":174000,"09+":3000,"16+":36000,"21+":27000}

    销售单位:

    集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):80mV @ 2.5mA,50mA

    包装方式:卷带(TR)

    ECCN:EAR99

    直流增益(hFE@Ic,Vce):100 @ 50mA,5V

    集电极电流(Ic):600mA

    输入电阻:2.2千欧

    集射极击穿电压(Vceo):15V

    功率:300mW

    晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式(双)

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi 数字晶体管 NSBC114YDP6T5G 起订7103个装
    onsemi 数字晶体管 NSBC114YDP6T5G 起订7103个装

    品牌:ON SEMI

    分类:数字晶体管

    行业应用:工业,其它

    生产批次:{"20+":7850}

    销售单位:

    包装方式:卷带(TR)

    ECCN:EAR99

    直流增益(hFE@Ic,Vce):80@5mA,10V

    集电极电流(Ic):100mA

    集射极击穿电压(Vceo):50V

    功率:339mW

    晶体管类型:2个NPN-预偏置

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi 数字晶体管 NSBA114YDXV6T1G 起订6460个装
    onsemi 数字晶体管 NSBA114YDXV6T1G 起订6460个装

    品牌:ON SEMI

    分类:数字晶体管

    行业应用:工业,其它

    生产批次:{"06+":31650,"08+":28000,"11+":76000,"13+":36000,"19+":56000,"20+":8000}

    销售单位:

    包装方式:卷带(TR)

    ECCN:EAR99

    直流增益(hFE@Ic,Vce):80@5mA,10V

    集电极电流(Ic):100mA

    集射极击穿电压(Vceo):50V

    功率:500mW

    晶体管类型:2个PNP-预偏置

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi 数字晶体管 NSVMMUN2231LT1G 起订13889个装
    onsemi 数字晶体管 NSVMMUN2231LT1G 起订13889个装

    品牌:ON SEMI

    分类:数字晶体管

    行业应用:工业,其它

    生产批次:{"22+":96000}

    销售单位:

    包装方式:卷带(TR)

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi 数字晶体管 MUN5215DW1T1G 起订1个装
    onsemi 数字晶体管 MUN5215DW1T1G 起订1个装

    品牌:ON SEMI

    分类:数字晶体管

    行业应用:工业,其它

    销售单位:

    包装方式:卷带(TR)

    直流增益(hFE@Ic,Vce):160@5mA,10V

    集电极电流(Ic):100mA

    集射极击穿电压(Vceo):50V

    功率:250mW

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
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