行业应用: 汽车
    漏源电压: 100V
    包装方式: 散装
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    VISHAY Mosfet场效应管 SUP70060E-GE3 起订1个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SUP70060E-GE3 起订1个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):SUP70060E-GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:200W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:81nC@10V

    包装方式:散装

    输入电容:3330pF@50V

    连续漏极电流:131A

    类型:N沟道

    导通电阻:5.8mΩ@30A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    4月1日前
    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFD120PBF 起订7个装
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFD120PBF 起订7个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRFD120PBF

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:1.3W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:16nC@10V

    包装方式:散装

    输入电容:360pF@25V

    连续漏极电流:1.3A

    类型:N沟道

    导通电阻:270mΩ@780mA,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    4月1日前
    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SUD70090E-GE3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SUD70090E-GE3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SUD70090E-GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:125W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:50nC@10V

    包装方式:散装

    输入电容:1950pF@50V

    连续漏极电流:50A

    类型:N沟道

    导通电阻:8.9mΩ@20A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    4月1日前
    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SUP70040E-GE3 起订1个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SUP70040E-GE3 起订1个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):500psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):SUP70040E-GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:375W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:120nC@10V

    包装方式:散装

    输入电容:5100pF@50V

    连续漏极电流:120A

    类型:N沟道

    导通电阻:4mΩ@20A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    4月1日前
    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SUP70090E-GE3 起订1个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SUP70090E-GE3 起订1个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):500psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):SUP70090E-GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:125W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:50nC@10V

    包装方式:散装

    输入电容:1950pF@50V

    连续漏极电流:50A

    类型:N沟道

    导通电阻:8.9mΩ@20A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    4月1日前
    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SUD70090E-GE3 起订1000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SUD70090E-GE3 起订1000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SUD70090E-GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:125W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:50nC@10V

    包装方式:散装

    输入电容:1950pF@50V

    连续漏极电流:50A

    类型:N沟道

    导通电阻:8.9mΩ@20A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    4月1日前
    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN8R5-100ESQ 起订584个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN8R5-100ESQ 起订584个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"17+":30282,"MI+":6000}

    包装规格(MPQ):486psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):PSMN8R5-100ESQ

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:263W

    阈值电压:4V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:111nC@10V

    包装方式:散装

    输入电容:5512pF@50V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:8.5mΩ@25A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    4月1日前
    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SUD70090E-GE3 起订500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SUD70090E-GE3 起订500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SUD70090E-GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:125W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:50nC@10V

    包装方式:散装

    输入电容:1950pF@50V

    连续漏极电流:50A

    类型:N沟道

    导通电阻:8.9mΩ@20A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    4月1日前
    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTP6413ANG 起订1000个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTP6413ANG 起订1000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"15+":1085}

    包装规格(MPQ):268psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTP6413ANG

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:136W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:51nC@10V

    包装方式:散装

    输入电容:1800pF@25V

    连续漏极电流:42A

    类型:N沟道

    导通电阻:28mΩ@42A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    4月1日前
    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN8R5-100ESQ 起订5000个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN8R5-100ESQ 起订5000个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"17+":30282,"MI+":6000}

    包装规格(MPQ):486psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):PSMN8R5-100ESQ

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:263W

    阈值电压:4V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:111nC@10V

    包装方式:散装

    输入电容:5512pF@50V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:8.5mΩ@25A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    4月1日前
    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BUK9K29-100E/1X 起订1000个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BUK9K29-100E/1X 起订1000个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"23+":15000}

    销售单位:

    规格型号(MPN):BUK9K29-100E/1X

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:68W

    阈值电压:2.1V@1mA

    ECCN:EAR99

    包装方式:散装

    输入电容:3637pF@25V

    连续漏极电流:30A

    导通电阻:27mΩ@5A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    4月1日前
    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFD9110PBF 起订25个装
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFD9110PBF 起订25个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRFD9110PBF

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:1.3W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:8.7nC@10V

    包装方式:散装

    输入电容:200pF@25V

    连续漏极电流:700mA

    类型:P沟道

    导通电阻:1.2Ω@420mA,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    4月1日前
    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SUP70040E-GE3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SUP70040E-GE3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):500psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):SUP70040E-GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:375W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:120nC@10V

    包装方式:散装

    输入电容:5100pF@50V

    连续漏极电流:120A

    类型:N沟道

    导通电阻:4mΩ@20A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    4月1日前
    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFD120PBF 起订3个装
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFD120PBF 起订3个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRFD120PBF

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:1.3W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:16nC@10V

    包装方式:散装

    输入电容:360pF@25V

    连续漏极电流:1.3A

    类型:N沟道

    导通电阻:270mΩ@780mA,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    4月1日前
    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFD9110PBF 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFD9110PBF 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRFD9110PBF

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:1.3W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:8.7nC@10V

    包装方式:散装

    输入电容:200pF@25V

    连续漏极电流:700mA

    类型:P沟道

    导通电阻:1.2Ω@420mA,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    4月1日前
    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SUD70090E-GE3 起订1000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SUD70090E-GE3 起订1000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SUD70090E-GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:125W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:50nC@10V

    包装方式:散装

    输入电容:1950pF@50V

    连续漏极电流:50A

    类型:N沟道

    导通电阻:8.9mΩ@20A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    4月1日前
    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFD123PBF 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFD123PBF 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRFD123PBF

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:1.3W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:16nC@10V

    包装方式:散装

    输入电容:360pF@25V

    连续漏极电流:1.3A

    类型:N沟道

    导通电阻:270mΩ@780mA,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    4月1日前
    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFD9110PBF 起订500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFD9110PBF 起订500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRFD9110PBF

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:1.3W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:8.7nC@10V

    包装方式:散装

    输入电容:200pF@25V

    连续漏极电流:700mA

    类型:P沟道

    导通电阻:1.2Ω@420mA,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    4月1日前
    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFD123PBF 起订2500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFD123PBF 起订2500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRFD123PBF

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:1.3W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:16nC@10V

    包装方式:散装

    输入电容:360pF@25V

    连续漏极电流:1.3A

    类型:N沟道

    导通电阻:270mΩ@780mA,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    4月1日前
    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SUD70090E-GE3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SUD70090E-GE3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SUD70090E-GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:125W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:50nC@10V

    包装方式:散装

    输入电容:1950pF@50V

    连续漏极电流:50A

    类型:N沟道

    导通电阻:8.9mΩ@20A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    4月1日前
    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SUP70040E-GE3 起订500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SUP70040E-GE3 起订500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):500psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):SUP70040E-GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:375W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:120nC@10V

    包装方式:散装

    输入电容:5100pF@50V

    连续漏极电流:120A

    类型:N沟道

    导通电阻:4mΩ@20A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    4月1日前
    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFD123PBF 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFD123PBF 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRFD123PBF

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:1.3W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:16nC@10V

    包装方式:散装

    输入电容:360pF@25V

    连续漏极电流:1.3A

    类型:N沟道

    导通电阻:270mΩ@780mA,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    4月1日前
    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFD120PBF 起订300个装
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFD120PBF 起订300个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRFD120PBF

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:1.3W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:16nC@10V

    包装方式:散装

    输入电容:360pF@25V

    连续漏极电流:1.3A

    类型:N沟道

    导通电阻:270mΩ@780mA,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    4月16日前
    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFD120PBF 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFD120PBF 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRFD120PBF

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:1.3W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:16nC@10V

    包装方式:散装

    输入电容:360pF@25V

    连续漏极电流:1.3A

    类型:N沟道

    导通电阻:270mΩ@780mA,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    4月16日前
    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFD120PBF 起订40个装
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFD120PBF 起订40个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRFD120PBF

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:1.3W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:16nC@10V

    包装方式:散装

    输入电容:360pF@25V

    连续漏极电流:1.3A

    类型:N沟道

    导通电阻:270mΩ@780mA,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    4月16日前
    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FQPF19N10 起订589个装
    onsemi Mosfet场效应管 FQPF19N10 起订589个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):489psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FQPF19N10

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:38W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:25nC@10V

    包装方式:散装

    输入电容:780pF@25V

    连续漏极电流:13.6A

    类型:N沟道

    导通电阻:100mΩ@6.8A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    4月1日前
    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFD9110PBF 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFD9110PBF 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRFD9110PBF

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:1.3W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:8.7nC@10V

    包装方式:散装

    输入电容:200pF@25V

    连续漏极电流:700mA

    类型:P沟道

    导通电阻:1.2Ω@420mA,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    3月19日前
    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BUK9K29-100E/1X 起订568个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BUK9K29-100E/1X 起订568个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"23+":15000}

    销售单位:

    规格型号(MPN):BUK9K29-100E/1X

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:68W

    阈值电压:2.1V@1mA

    ECCN:EAR99

    包装方式:散装

    输入电容:3637pF@25V

    连续漏极电流:30A

    导通电阻:27mΩ@5A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    4月1日前
    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SUP70040E-GE3 起订1个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SUP70040E-GE3 起订1个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):500psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):SUP70040E-GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:375W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:120nC@10V

    包装方式:散装

    输入电容:5100pF@50V

    连续漏极电流:120A

    类型:N沟道

    导通电阻:4mΩ@20A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    4月1日前
    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SUD70090E-GE3 起订2000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SUD70090E-GE3 起订2000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SUD70090E-GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:125W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:50nC@10V

    包装方式:散装

    输入电容:1950pF@50V

    连续漏极电流:50A

    类型:N沟道

    导通电阻:8.9mΩ@20A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    4月1日前
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