行业应用
    类型
    功率
    61W
    包装方式
    漏源电压
    连续漏极电流
    行业应用: 汽车
    类型: N沟道
    功率: 61W
    包装方式: 卷带(TR)
    当前匹配商品:80+
    商品信息
    参数
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    onsemi Mosfet场效应管 NVMFS5C670NLAFT1G 起订2个装
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    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVMFS5C670NLAFT1G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:61W

    阈值电压:2V@53µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:20nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1400pF@25V

    连续漏极电流:17A

    类型:N沟道

    导通电阻:6.1mΩ@35A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    4月1日前
    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN4R5-30YLC,115 起订4个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN4R5-30YLC,115 起订4个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PSMN4R5-30YLC,115

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:61W

    阈值电压:1.95V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:20.5nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1324pF@15V

    连续漏极电流:84A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.8mΩ@20A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    4月1日前
    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN5R0-30YL,115 起订5个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN5R0-30YL,115 起订5个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PSMN5R0-30YL,115

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:61W

    阈值电压:2.15V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:29nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1760pF@12V

    连续漏极电流:91A

    类型:N沟道

    导通电阻:5mΩ@15A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    4月1日前
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    onsemi Mosfet场效应管 NVMFS5C670NLAFT1G 起订2个装
    onsemi Mosfet场效应管 NVMFS5C670NLAFT1G 起订2个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVMFS5C670NLAFT1G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:61W

    阈值电压:2V@53µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:20nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1400pF@25V

    连续漏极电流:17A

    类型:N沟道

    导通电阻:6.1mΩ@35A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    4月1日前
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    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN5R0-30YL,115 起订5个装
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    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PSMN5R0-30YL,115

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:61W

    阈值电压:2.15V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:29nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1760pF@12V

    连续漏极电流:91A

    类型:N沟道

    导通电阻:5mΩ@15A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    4月1日前
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    onsemi Mosfet场效应管 NDD04N50ZT4G 起订916个装
    onsemi Mosfet场效应管 NDD04N50ZT4G 起订916个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"11+":1246,"13+":9250,"14+":68500,"17+":74065}

    销售单位:

    规格型号(MPN):NDD04N50ZT4G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:61W

    阈值电压:4.5V@50µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:12nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:308pF@25V

    连续漏极电流:3A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.7Ω@1.5A,10V

    漏源电压:500V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    4月1日前
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    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN5R0-30YL,115 起订4个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN5R0-30YL,115 起订4个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PSMN5R0-30YL,115

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:61W

    阈值电压:2.15V@1mA

    栅极电荷:29nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1760pF@12V

    连续漏极电流:91A

    类型:N沟道

    导通电阻:5mΩ@15A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    4月1日前
    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD60R1K0CEAUMA1 起订1384个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD60R1K0CEAUMA1 起订1384个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"22+":2500,"MI+":2400}

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPD60R1K0CEAUMA1

    工作温度:-40℃~150℃

    功率:61W

    阈值电压:3.5V@130µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:13nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:280pF@100V

    连续漏极电流:6.8A

    类型:N沟道

    导通电阻:1Ω@1.5A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    4月1日前
    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN5R0-30YL,115 起订10个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN5R0-30YL,115 起订10个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PSMN5R0-30YL,115

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:61W

    阈值电压:2.15V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:29nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1760pF@12V

    连续漏极电流:91A

    类型:N沟道

    导通电阻:5mΩ@15A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    4月1日前
    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD60R1K0CEAUMA1 起订1000个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD60R1K0CEAUMA1 起订1000个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPD60R1K0CEAUMA1

    工作温度:-40℃~150℃

    功率:61W

    阈值电压:3.5V@130µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:13nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:280pF@100V

    连续漏极电流:6.8A

    类型:N沟道

    导通电阻:1Ω@1.5A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    4月1日前
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    INFINEON Mosfet场效应管 IPD60R1K0CEAUMA1 起订1000个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD60R1K0CEAUMA1 起订1000个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPD60R1K0CEAUMA1

    工作温度:-40℃~150℃

    功率:61W

    阈值电压:3.5V@130µA

    栅极电荷:13nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:280pF@100V

    连续漏极电流:6.8A

    类型:N沟道

    导通电阻:1Ω@1.5A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    4月1日前
    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD60R1K0CEAUMA1 起订100个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD60R1K0CEAUMA1 起订100个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPD60R1K0CEAUMA1

    工作温度:-40℃~150℃

    功率:61W

    阈值电压:3.5V@130µA

    栅极电荷:13nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:280pF@100V

    连续漏极电流:6.8A

    类型:N沟道

    导通电阻:1Ω@1.5A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    4月1日前
    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NVMFS5C670NLAFT1G 起订500个装
    onsemi Mosfet场效应管 NVMFS5C670NLAFT1G 起订500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVMFS5C670NLAFT1G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:61W

    阈值电压:2V@53µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:20nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1400pF@25V

    连续漏极电流:17A

    类型:N沟道

    导通电阻:6.1mΩ@35A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    4月1日前
    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD60R1K0CEAUMA1 起订500个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD60R1K0CEAUMA1 起订500个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPD60R1K0CEAUMA1

    工作温度:-40℃~150℃

    功率:61W

    阈值电压:3.5V@130µA

    栅极电荷:13nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:280pF@100V

    连续漏极电流:6.8A

    类型:N沟道

    导通电阻:1Ω@1.5A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    4月1日前
    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NVMFS5C670NLWFAFT1G 起订10个装
    onsemi Mosfet场效应管 NVMFS5C670NLWFAFT1G 起订10个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVMFS5C670NLWFAFT1G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:61W

    阈值电压:2V@53µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:20nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1400pF@25V

    连续漏极电流:17A€71A

    类型:N沟道

    导通电阻:6.1mΩ@35A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    4月1日前
    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN4R5-30YLC,115 起订100个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN4R5-30YLC,115 起订100个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PSMN4R5-30YLC,115

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:61W

    阈值电压:1.95V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:20.5nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1324pF@15V

    连续漏极电流:84A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.8mΩ@20A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    4月1日前
    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN4R5-30YLC,115 起订500个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN4R5-30YLC,115 起订500个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PSMN4R5-30YLC,115

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:61W

    阈值电压:1.95V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:20.5nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1324pF@15V

    连续漏极电流:84A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.8mΩ@20A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    4月1日前
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    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN5R0-30YL,115 起订500个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN5R0-30YL,115 起订500个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PSMN5R0-30YL,115

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:61W

    阈值电压:2.15V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:29nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1760pF@12V

    连续漏极电流:91A

    类型:N沟道

    导通电阻:5mΩ@15A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    4月1日前
    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD60R1K0CEAUMA1 起订1000个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD60R1K0CEAUMA1 起订1000个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPD60R1K0CEAUMA1

    工作温度:-40℃~150℃

    功率:61W

    阈值电压:3.5V@130µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:13nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:280pF@100V

    连续漏极电流:6.8A

    类型:N沟道

    导通电阻:1Ω@1.5A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    4月1日前
    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD60R1K0CEAUMA1 起订10个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD60R1K0CEAUMA1 起订10个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPD60R1K0CEAUMA1

    工作温度:-40℃~150℃

    功率:61W

    阈值电压:3.5V@130µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:13nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:280pF@100V

    连续漏极电流:6.8A

    类型:N沟道

    导通电阻:1Ω@1.5A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    4月1日前
    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NVMFS5C670NLWFAFT1G 起订100个装
    onsemi Mosfet场效应管 NVMFS5C670NLWFAFT1G 起订100个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVMFS5C670NLWFAFT1G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:61W

    阈值电压:2V@53µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:20nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1400pF@25V

    连续漏极电流:17A€71A

    类型:N沟道

    导通电阻:6.1mΩ@35A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    4月16日前
    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN4R5-30YLC,115 起订500个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN4R5-30YLC,115 起订500个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PSMN4R5-30YLC,115

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:61W

    阈值电压:1.95V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:20.5nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1324pF@15V

    连续漏极电流:84A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.8mΩ@20A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    3月19日前
    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN4R5-30YLC,115 起订4个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN4R5-30YLC,115 起订4个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PSMN4R5-30YLC,115

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:61W

    阈值电压:1.95V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:20.5nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1324pF@15V

    连续漏极电流:84A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.8mΩ@20A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    4月1日前
    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD60R1K0CEAUMA1 起订7个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD60R1K0CEAUMA1 起订7个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPD60R1K0CEAUMA1

    工作温度:-40℃~150℃

    功率:61W

    阈值电压:3.5V@130µA

    栅极电荷:13nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:280pF@100V

    连续漏极电流:6.8A

    类型:N沟道

    导通电阻:1Ω@1.5A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    4月1日前
    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN5R0-30YL,115 起订1500个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN5R0-30YL,115 起订1500个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PSMN5R0-30YL,115

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:61W

    阈值电压:2.15V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:29nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1760pF@12V

    连续漏极电流:91A

    类型:N沟道

    导通电阻:5mΩ@15A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    4月1日前
    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN5R0-30YL,115 起订100个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN5R0-30YL,115 起订100个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PSMN5R0-30YL,115

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:61W

    阈值电压:2.15V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:29nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1760pF@12V

    连续漏极电流:91A

    类型:N沟道

    导通电阻:5mΩ@15A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    4月1日前
    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NVMFS5C670NLAFT1G 起订10个装
    onsemi Mosfet场效应管 NVMFS5C670NLAFT1G 起订10个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVMFS5C670NLAFT1G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:61W

    阈值电压:2V@53µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:20nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1400pF@25V

    连续漏极电流:17A

    类型:N沟道

    导通电阻:6.1mΩ@35A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    4月1日前
    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN5R0-30YL,115 起订500个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN5R0-30YL,115 起订500个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PSMN5R0-30YL,115

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:61W

    阈值电压:2.15V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:29nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1760pF@12V

    连续漏极电流:91A

    类型:N沟道

    导通电阻:5mΩ@15A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    4月1日前
    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD60R1K0CEAUMA1 起订500个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD60R1K0CEAUMA1 起订500个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPD60R1K0CEAUMA1

    工作温度:-40℃~150℃

    功率:61W

    阈值电压:3.5V@130µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:13nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:280pF@100V

    连续漏极电流:6.8A

    类型:N沟道

    导通电阻:1Ω@1.5A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    4月1日前
    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NDD04N50ZT4G 起订5000个装
    onsemi Mosfet场效应管 NDD04N50ZT4G 起订5000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"11+":1246,"13+":9250,"14+":68500,"17+":74065}

    销售单位:

    规格型号(MPN):NDD04N50ZT4G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:61W

    阈值电压:4.5V@50µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:12nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:308pF@25V

    连续漏极电流:3A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.7Ω@1.5A,10V

    漏源电压:500V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    4月1日前
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