品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：3000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS86183
工作温度：-55℃~150℃
功率：63W
阈值电压：4V@90µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：14nC@6V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1515pF@50V
连续漏极电流：51A
类型：N沟道
导通电阻：12.8mΩ@16A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS86183
工作温度：-55℃~150℃
功率：63W
阈值电压：4V@90µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：14nC@6V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1515pF@50V
连续漏极电流：51A
类型：N沟道
导通电阻：12.8mΩ@16A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDP51N25
工作温度：-55℃~150℃
功率：320W
阈值电压：5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：70nC@10V
包装方式：管件
输入电容：3410pF@25V
连续漏极电流：51A
类型：N沟道
导通电阻：60mΩ@25.5A，10V
漏源电压：250V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：HUF76639S3ST
工作温度：-55℃~175℃
功率：180W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：86nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2400pF@25V
连续漏极电流：51A
类型：N沟道
导通电阻：26mΩ@51A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS86183
工作温度：-55℃~150℃
功率：63W
阈值电压：4V@90µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：14nC@6V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1515pF@50V
连续漏极电流：51A
类型：N沟道
导通电阻：12.8mΩ@16A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTBG040N120M3S
工作温度：-55℃~+175℃
功率：329W
阈值电压：4.4V
ECCN：EAR99
栅极电荷：70nC
包装方式：Reel
连续漏极电流：51A
类型：MOSFET
导通电阻：52mΩ
漏源电压：1.2kV
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTBG040N120M3S
工作温度：-55℃~+175℃
功率：329W
阈值电压：4.4V
ECCN：EAR99
栅极电荷：70nC
包装方式：Reel
连续漏极电流：51A
类型：MOSFET
导通电阻：52mΩ
漏源电压：1.2kV
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS86183
工作温度：-55℃~150℃
功率：63W
阈值电压：4V@90µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：14nC@6V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1515pF@50V
连续漏极电流：51A
类型：N沟道
导通电阻：12.8mΩ@16A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS86183
工作温度：-55℃~150℃
功率：63W
阈值电压：4V@90µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：14nC@6V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1515pF@50V
连续漏极电流：51A
类型：N沟道
导通电阻：12.8mΩ@16A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"12+"：2500，"16+"：12038}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTDV5805NT4G
阈值电压：3.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：80nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1725pF@25V
连续漏极电流：51A
类型：N沟道
导通电阻：9.5mΩ@15A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS86183
工作温度：-55℃~150℃
功率：63W
阈值电压：4V@90µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：14nC@6V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1515pF@50V
连续漏极电流：51A
类型：N沟道
导通电阻：12.8mΩ@16A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：3000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS86183
工作温度：-55℃~150℃
功率：63W
阈值电压：4V@90µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：14nC@6V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1515pF@50V
连续漏极电流：51A
类型：N沟道
导通电阻：12.8mΩ@16A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：HUF76639S3ST
工作温度：-55℃~175℃
功率：180W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：86nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2400pF@25V
连续漏极电流：51A
类型：N沟道
导通电阻：26mΩ@51A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：HUF76639S3ST
工作温度：-55℃~175℃
功率：180W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：86nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2400pF@25V
连续漏极电流：51A
类型：N沟道
导通电阻：26mΩ@51A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：HUF76639S3ST
工作温度：-55℃~175℃
功率：180W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：86nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2400pF@25V
连续漏极电流：51A
类型：N沟道
导通电阻：26mΩ@51A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS86183
工作温度：-55℃~150℃
功率：63W
阈值电压：4V@90µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：14nC@6V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1515pF@50V
连续漏极电流：51A
类型：N沟道
导通电阻：12.8mΩ@16A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS86183
工作温度：-55℃~150℃
功率：63W
阈值电压：4V@90µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：14nC@6V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1515pF@50V
连续漏极电流：51A
类型：N沟道
导通电阻：12.8mΩ@16A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS86183
工作温度：-55℃~150℃
功率：63W
阈值电压：4V@90µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：14nC@6V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1515pF@50V
连续漏极电流：51A
类型：N沟道
导通电阻：12.8mΩ@16A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDP51N25
工作温度：-55℃~150℃
功率：320W
阈值电压：5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：70nC@10V
包装方式：管件
输入电容：3410pF@25V
连续漏极电流：51A
类型：N沟道
导通电阻：60mΩ@25.5A，10V
漏源电压：250V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"21+"：329}
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDPF51N25RDTU
工作温度：-55℃~150℃
功率：38W
阈值电压：5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：70nC@10V
包装方式：管件
输入电容：3410pF@25V
连续漏极电流：51A
类型：N沟道
导通电阻：60mΩ@25.5A，10V
漏源电压：250V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS86183
工作温度：-55℃~150℃
功率：63W
阈值电压：4V@90µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：14nC@6V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1515pF@50V
连续漏极电流：51A
类型：N沟道
导通电阻：12.8mΩ@16A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTBG040N120M3S
工作温度：-55℃~+175℃
功率：329W
阈值电压：4.4V
ECCN：EAR99
栅极电荷：70nC
包装方式：Reel
连续漏极电流：51A
类型：MOSFET
导通电阻：52mΩ
漏源电压：1.2kV
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTBG040N120M3S
工作温度：-55℃~+175℃
功率：329W
阈值电压：4.4V
ECCN：EAR99
栅极电荷：70nC
包装方式：Reel
连续漏极电流：51A
类型：MOSFET
导通电阻：52mΩ
漏源电压：1.2kV
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTBG040N120M3S
工作温度：-55℃~+175℃
功率：329W
阈值电压：4.4V
ECCN：EAR99
栅极电荷：70nC
包装方式：Reel
连续漏极电流：51A
类型：MOSFET
导通电阻：52mΩ
漏源电压：1.2kV
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS86183
工作温度：-55℃~150℃
功率：63W
阈值电压：4V@90µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：14nC@6V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1515pF@50V
连续漏极电流：51A
类型：N沟道
导通电阻：12.8mΩ@16A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
生产批次：{"22+"：3000}
规格型号(MPN)：FDMS86183
栅极电荷：14nC@6V
导通电阻：12.8mΩ@16A，10V
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
类型：N沟道
输入电容：1515pF@50V
功率：63W
阈值电压：4V@90µA
ECCN：EAR99
连续漏极电流：51A
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS86183
工作温度：-55℃~150℃
功率：63W
阈值电压：4V@90µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：14nC@6V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1515pF@50V
连续漏极电流：51A
类型：N沟道
导通电阻：12.8mΩ@16A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
生产批次：{"21+"：329}
包装规格(MPQ)：50psc
规格型号(MPN)：FDPF51N25RDTU
栅极电荷：70nC@10V
工作温度：-55℃~150℃
导通电阻：60mΩ@25.5A，10V
阈值电压：5V@250µA
类型：N沟道
漏源电压：250V
包装方式：管件
功率：38W
输入电容：3410pF@25V
ECCN：EAR99
连续漏极电流：51A
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
包装规格(MPQ)：800psc
规格型号(MPN)：NTBG040N120M3S
包装方式：Reel
功率：329W
栅极电荷：70nC
工作温度：-55℃~+175℃
阈值电压：4.4V
漏源电压：1.2kV
导通电阻：52mΩ
ECCN：EAR99
连续漏极电流：51A
类型：MOSFET
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：HUF76639S3ST
工作温度：-55℃~175℃
功率：180W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：86nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2400pF@25V
连续漏极电流：51A
类型：N沟道
导通电阻：26mΩ@51A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
