品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"21+"：257，"22+"：154}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQD5N50CTM-WS
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：24nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：625pF@25V
连续漏极电流：4A
类型：N沟道
导通电阻：1.4Ω@2A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS3512
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.5W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：18nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：634pF@40V
连续漏极电流：4A
类型：N沟道
导通电阻：70mΩ@4A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS3512
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.5W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：18nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：634pF@40V
连续漏极电流：4A
类型：N沟道
导通电阻：70mΩ@4A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS3512
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.5W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：18nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：634pF@40V
连续漏极电流：4A
类型：N沟道
导通电阻：70mΩ@4A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS3512
栅极电荷：18nC@10V
输入电容：634pF@40V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：4A
类型：N沟道
导通电阻：70mΩ@4A，10V
漏源电压：80V
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.5W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQD5N50CTM-WS
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：24nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：625pF@25V
连续漏极电流：4A
类型：N沟道
导通电阻：1.4Ω@2A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQD5N50CTM-WS
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：24nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：625pF@25V
连续漏极电流：4A
类型：N沟道
导通电阻：1.4Ω@2A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQD5N50CTM-WS
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：24nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：625pF@25V
连续漏极电流：4A
类型：N沟道
导通电阻：1.4Ω@2A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"21+"：257，"22+"：154}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQD5N50CTM-WS
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：24nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：625pF@25V
连续漏极电流：4A
类型：N沟道
导通电阻：1.4Ω@2A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"21+"：257，"22+"：154}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQD5N50CTM-WS
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：24nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：625pF@25V
连续漏极电流：4A
类型：N沟道
导通电阻：1.4Ω@2A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"21+"：257，"22+"：154}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQD5N50CTM-WS
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：24nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：625pF@25V
连续漏极电流：4A
类型：N沟道
导通电阻：1.4Ω@2A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS3512
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.5W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：18nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：634pF@40V
连续漏极电流：4A
类型：N沟道
导通电阻：70mΩ@4A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQD5N50CTM-WS
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：24nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：625pF@25V
连续漏极电流：4A
类型：N沟道
导通电阻：1.4Ω@2A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
