ECCN: EAR99
    行业应用: 汽车
    连续漏极电流: 15A
    漏源电压: 60V
    当前匹配商品:100+
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    FAIRCHILD Mosfet场效应管 FDMD8260L 起订181个装
    FAIRCHILD Mosfet场效应管 FDMD8260L 起订181个装

    品牌:FAIRCHILD

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):181psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMD8260L

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:散装

    输入电容:5245pF@30V

    连续漏极电流:15A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:5.8mΩ@15A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    4月17日前
    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJA64EP-T1_GE3 起订3个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJA64EP-T1_GE3 起订3个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJA64EP-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:45W

    阈值电压:3.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:12nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:670pF@25V

    连续漏极电流:15A

    类型:N沟道

    导通电阻:32mΩ@4A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    4月17日前
    - +
    RENESAS Mosfet场效应管 2SK2933-E 起订222个装
    RENESAS Mosfet场效应管 2SK2933-E 起订222个装

    品牌:RENESAS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"17+":261}

    销售单位:

    规格型号(MPN):2SK2933-E

    功率:25W

    阈值电压:2.5V@1mA

    ECCN:EAR99

    输入电容:500pF@10V

    连续漏极电流:15A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:52mΩ@8A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    4月17日前
    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTP18N06LG 起订916个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTP18N06LG 起订916个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"07+":35172,"MI+":33000}

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTP18N06LG

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:48.4W

    阈值电压:2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:20nC@5V

    包装方式:管件

    输入电容:440pF@25V

    连续漏极电流:15A

    类型:N沟道

    导通电阻:100mΩ@7.5A,5V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    4月17日前
    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTP18N06LG 起订5000个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTP18N06LG 起订5000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"07+":35172,"MI+":33000}

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTP18N06LG

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:48.4W

    阈值电压:2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:20nC@5V

    包装方式:管件

    输入电容:440pF@25V

    连续漏极电流:15A

    类型:N沟道

    导通电阻:100mΩ@7.5A,5V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    4月17日前
    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ992EP-T1_GE3 起订1000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ992EP-T1_GE3 起订1000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJ992EP-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:34W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:446pF@30V

    连续漏极电流:15A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:56.2mΩ@3.7A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    4月17日前
    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD88537NDT 起订100个装
    TI Mosfet场效应管 CSD88537NDT 起订100个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):250psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD88537NDT

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.1W

    阈值电压:3.6V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1400pF@30V

    连续漏极电流:15A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:15mΩ@8A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    4月17日前
    - +
    ROHM Mosfet场效应管 RD3L150SNTL1 起订1000个装
    ROHM Mosfet场效应管 RD3L150SNTL1 起订1000个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RD3L150SNTL1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:20W

    阈值电压:3V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:18nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:930pF@10V

    连续漏极电流:15A

    类型:N沟道

    导通电阻:40mΩ@15A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    4月17日前
    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD88539NDT 起订10个装
    TI Mosfet场效应管 CSD88539NDT 起订10个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):250psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD88539NDT

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.1W

    阈值电压:3.6V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:741pF@30V

    连续漏极电流:15A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:28mΩ@5A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    4月17日前
    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD88539NDT 起订10个装
    TI Mosfet场效应管 CSD88539NDT 起订10个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):250psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD88539NDT

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.1W

    阈值电压:3.6V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:741pF@30V

    连续漏极电流:15A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:28mΩ@5A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    4月17日前
    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD88539NDT 起订100个装
    TI Mosfet场效应管 CSD88539NDT 起订100个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):250psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD88539NDT

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.1W

    阈值电压:3.6V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:741pF@30V

    连续漏极电流:15A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:28mΩ@5A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    4月17日前
    - +
    RENESAS Mosfet场效应管 NP15P06SLG-E1-AY 起订100个装
    RENESAS Mosfet场效应管 NP15P06SLG-E1-AY 起订100个装

    品牌:RENESAS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NP15P06SLG-E1-AY

    工作温度:175℃

    功率:1.2W€30W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:23nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1100pF@10V

    连续漏极电流:15A

    类型:P沟道

    导通电阻:70mΩ@7.5A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    4月17日前
    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ992EP-T1_GE3 起订500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ992EP-T1_GE3 起订500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJ992EP-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:34W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:446pF@30V

    连续漏极电流:15A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:56.2mΩ@3.7A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    4月17日前
    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD88537NDT 起订100个装
    TI Mosfet场效应管 CSD88537NDT 起订100个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):250psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD88537NDT

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.1W

    阈值电压:3.6V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1400pF@30V

    连续漏极电流:15A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:15mΩ@8A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    4月17日前
    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTB18N06G 起订1000个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTB18N06G 起订1000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"08+":1600}

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTB18N06G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:48.4W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:22nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:450pF@25V

    连续漏极电流:15A

    类型:N沟道

    导通电阻:90mΩ@7.5A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    4月17日前
    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJA64EP-T1_GE3 起订9000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJA64EP-T1_GE3 起订9000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJA64EP-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:45W

    阈值电压:3.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:12nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:670pF@25V

    连续漏极电流:15A

    类型:N沟道

    导通电阻:32mΩ@4A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    4月17日前
    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDMD8260L 起订5000个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDMD8260L 起订5000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"17+":117113,"22+":852}

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMD8260L

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5245pF@30V

    连续漏极电流:15A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:5.8mΩ@15A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    4月17日前
    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJA64EP-T1_GE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJA64EP-T1_GE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJA64EP-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:45W

    阈值电压:3.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:12nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:670pF@25V

    连续漏极电流:15A

    类型:N沟道

    导通电阻:32mΩ@4A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    4月17日前
    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD88539ND 起订1000个装
    TI Mosfet场效应管 CSD88539ND 起订1000个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD88539ND

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.1W

    阈值电压:3.6V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:741pF@30V

    连续漏极电流:15A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:28mΩ@5A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    4月17日前
    - +
    ROHM Mosfet场效应管 RD3L150SNTL1 起订500个装
    ROHM Mosfet场效应管 RD3L150SNTL1 起订500个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RD3L150SNTL1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:20W

    阈值电压:3V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:18nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:930pF@10V

    连续漏极电流:15A

    类型:N沟道

    导通电阻:40mΩ@15A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    4月17日前
    - +
    ROHM Mosfet场效应管 RD3L150SNTL1 起订10个装
    ROHM Mosfet场效应管 RD3L150SNTL1 起订10个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RD3L150SNTL1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:20W

    阈值电压:3V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:18nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:930pF@10V

    连续漏极电流:15A

    类型:N沟道

    导通电阻:40mΩ@15A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    4月17日前
    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDMD8260L 起订500个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDMD8260L 起订500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"17+":117113,"22+":852}

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMD8260L

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5245pF@30V

    连续漏极电流:15A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:5.8mΩ@15A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    4月17日前
    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD88539ND 起订10个装
    TI Mosfet场效应管 CSD88539ND 起订10个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD88539ND

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.1W

    阈值电压:3.6V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:741pF@30V

    连续漏极电流:15A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:28mΩ@5A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    4月17日前
    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQD15N06-42L_GE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQD15N06-42L_GE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQD15N06-42L_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:37W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:15nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:535pF@25V

    连续漏极电流:15A

    类型:N沟道

    导通电阻:42mΩ@10A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    4月17日前
    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD88537ND 起订500个装
    TI Mosfet场效应管 CSD88537ND 起订500个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD88537ND

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.1W

    阈值电压:3.6V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1400pF@30V

    连续漏极电流:15A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:15mΩ@8A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    4月17日前
    - +
    RENESAS Mosfet场效应管 NP15P06SLG-E1-AY 起订1000个装
    RENESAS Mosfet场效应管 NP15P06SLG-E1-AY 起订1000个装

    品牌:RENESAS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NP15P06SLG-E1-AY

    工作温度:175℃

    功率:1.2W€30W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:23nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1100pF@10V

    连续漏极电流:15A

    类型:P沟道

    导通电阻:70mΩ@7.5A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    4月17日前
    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDMD8260L 起订500个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDMD8260L 起订500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"22+":750}

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMD8260L

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5245pF@30V

    连续漏极电流:15A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:5.8mΩ@15A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    5月2日前
    - +
    RENESAS Mosfet场效应管 NP15P06SLG-E1-AY 起订500个装
    RENESAS Mosfet场效应管 NP15P06SLG-E1-AY 起订500个装

    品牌:RENESAS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NP15P06SLG-E1-AY

    工作温度:175℃

    功率:1.2W€30W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:23nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1100pF@10V

    连续漏极电流:15A

    类型:P沟道

    导通电阻:70mΩ@7.5A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    5月2日前
    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD88537ND 起订1000个装
    TI Mosfet场效应管 CSD88537ND 起订1000个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD88537ND

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.1W

    阈值电压:3.6V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1400pF@30V

    连续漏极电流:15A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:15mΩ@8A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    5月2日前
    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDMD8260L 起订1000个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDMD8260L 起订1000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"17+":117113,"22+":852}

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMD8260L

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5245pF@30V

    连续漏极电流:15A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:5.8mΩ@15A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    5月2日前
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