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    功率
    类型
    栅极电荷
    漏源电压
    连续漏极电流
    阈值电压: 4V@250µA
    行业应用: 工业
    功率: 1.9W
    类型: P沟道
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    VISHAY Mosfet场效应管 SI7431DP-T1-GE3 起订1个装
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    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7431DP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.9W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:135nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:2.2A

    类型:P沟道

    导通电阻:174mΩ@3.8A,10V

    漏源电压:200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

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    VISHAY Mosfet场效应管 SI7439DP-T1-GE3 起订3000个装
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    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7439DP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.9W

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    连续漏极电流:3A

    类型:P沟道

    导通电阻:90mΩ@5.2A,10V

    漏源电压:150V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

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    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7431DP-T1-GE3

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    连续漏极电流:2.2A

    类型:P沟道

    导通电阻:174mΩ@3.8A,10V

    漏源电压:200V

    包装清单:商品主体 * 1

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    VISHAY Mosfet场效应管 SI7439DP-T1-GE3 起订1个装
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    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7439DP-T1-GE3

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    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7431DP-T1-GE3

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    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

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    规格型号(MPN):SI7431DP-T1-GE3

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    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

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    规格型号(MPN):SI7431DP-T1-E3

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    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

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    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

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    规格型号(MPN):SI7431DP-T1-E3

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    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7439DP-T1-E3

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    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7439DP-T1-E3

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    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7439DP-T1-E3

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    功率:1.9W

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    栅极电荷:135nC@10V

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    导通电阻:90mΩ@5.2A,10V

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    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7431DP-T1-GE3

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    栅极电荷:135nC@10V

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    类型:P沟道

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    库存:有货

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    VISHAY Mosfet场效应管 SI7439DP-T1-GE3 起订1000个装
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    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7439DP-T1-GE3

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    连续漏极电流:3A

    类型:P沟道

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    包装清单:商品主体 * 1

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    VISHAY Mosfet场效应管 SI7431DP-T1-GE3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7431DP-T1-GE3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7431DP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.9W

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    栅极电荷:135nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:2.2A

    类型:P沟道

    导通电阻:174mΩ@3.8A,10V

    漏源电压:200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

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    VISHAY Mosfet场效应管 SI7439DP-T1-E3 起订1000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7439DP-T1-E3 起订1000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7439DP-T1-E3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.9W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:135nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:3A

    类型:P沟道

    导通电阻:90mΩ@5.2A,10V

    漏源电压:150V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

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    VISHAY Mosfet场效应管 SI7431DP-T1-GE3 起订1000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7431DP-T1-GE3 起订1000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7431DP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.9W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:135nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:2.2A

    类型:P沟道

    导通电阻:174mΩ@3.8A,10V

    漏源电压:200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

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    VISHAY Mosfet场效应管 SI7431DP-T1-E3 起订1000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7431DP-T1-E3 起订1000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7431DP-T1-E3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.9W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:135nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:2.2A

    类型:P沟道

    导通电阻:174mΩ@3.8A,10V

    漏源电压:200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    3月31日前
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    VISHAY Mosfet场效应管 SI7431DP-T1-E3 起订500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7431DP-T1-E3 起订500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7431DP-T1-E3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.9W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:135nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:2.2A

    类型:P沟道

    导通电阻:174mΩ@3.8A,10V

    漏源电压:200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    3月31日前
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    VISHAY Mosfet场效应管 SI7439DP-T1-E3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7439DP-T1-E3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7439DP-T1-E3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.9W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:135nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:3A

    类型:P沟道

    导通电阻:90mΩ@5.2A,10V

    漏源电压:150V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

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    DIODES Mosfet场效应管 DMP65H20D0HSS-13 起订500个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMP65H20D0HSS-13 起订500个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP65H20D0HSS-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.9W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:9.7nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:400pF@25V

    连续漏极电流:200mA

    类型:P沟道

    导通电阻:20Ω@200mA,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    3月31日前
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    VISHAY Mosfet场效应管 SI7431DP-T1-GE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7431DP-T1-GE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7431DP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.9W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:135nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:2.2A

    类型:P沟道

    导通电阻:174mΩ@3.8A,10V

    漏源电压:200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    3月31日前
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    VISHAY Mosfet场效应管 SI7439DP-T1-E3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7439DP-T1-E3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7439DP-T1-E3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.9W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:135nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:3A

    类型:P沟道

    导通电阻:90mΩ@5.2A,10V

    漏源电压:150V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    4月15日前
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    VISHAY Mosfet场效应管 SI7431DP-T1-E3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7431DP-T1-E3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7431DP-T1-E3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.9W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:135nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:2.2A

    类型:P沟道

    导通电阻:174mΩ@3.8A,10V

    漏源电压:200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

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    VISHAY Mosfet场效应管 SI7431DP-T1-GE3 起订1500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7431DP-T1-GE3 起订1500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7431DP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.9W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:135nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:2.2A

    类型:P沟道

    导通电阻:174mΩ@3.8A,10V

    漏源电压:200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

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    VISHAY Mosfet场效应管 SI7439DP-T1-E3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7439DP-T1-E3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7439DP-T1-E3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.9W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:135nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:3A

    类型:P沟道

    导通电阻:90mΩ@5.2A,10V

    漏源电压:150V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    4月15日前
    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7439DP-T1-GE3 起订1000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7439DP-T1-GE3 起订1000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7439DP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.9W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:135nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:3A

    类型:P沟道

    导通电阻:90mΩ@5.2A,10V

    漏源电压:150V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    4月15日前
    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMP65H20D0HSS-13 起订10个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMP65H20D0HSS-13 起订10个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP65H20D0HSS-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.9W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:9.7nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:400pF@25V

    连续漏极电流:200mA

    类型:P沟道

    导通电阻:20Ω@200mA,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    3月31日前
    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMP65H20D0HSS-13 起订100个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMP65H20D0HSS-13 起订100个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP65H20D0HSS-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.9W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:9.7nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:400pF@25V

    连续漏极电流:200mA

    类型:P沟道

    导通电阻:20Ω@200mA,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    3月31日前
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    VISHAY Mosfet场效应管 SI7439DP-T1-GE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7439DP-T1-GE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7439DP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.9W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:135nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:3A

    类型:P沟道

    导通电阻:90mΩ@5.2A,10V

    漏源电压:150V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    3月18日前
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