品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDBL0150N80
工作温度：-55℃~175℃
功率：429W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：188nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：12800pF@25V
连续漏极电流：300A
类型：N沟道
导通电阻：1.4mΩ@80A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDBL0090N40
工作温度：-55℃~175℃
功率：357W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：188nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：12000pF@25V
连续漏极电流：240A
类型：N沟道
导通电阻：0.9mΩ@80A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"21+"：4739，"22+"：26828}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDBL9403-F085
工作温度：-55℃~175℃
功率：357W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：188nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：12000pF@25V
连续漏极电流：240A
类型：N沟道
导通电阻：0.9mΩ@80A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDBL0150N80
工作温度：-55℃~175℃
功率：429W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：188nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：12800pF@25V
连续漏极电流：300A
类型：N沟道
导通电阻：1.4mΩ@80A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDBL0150N80
工作温度：-55℃~175℃
功率：429W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：188nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：12800pF@25V
连续漏极电流：300A
类型：N沟道
导通电阻：1.4mΩ@80A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDBL86361-F085
工作温度：-55℃~175℃
功率：429W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：188nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：12800pF@25V
连续漏极电流：300A
类型：N沟道
导通电阻：1.4mΩ@80A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDBL0150N80
工作温度：-55℃~175℃
功率：429W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：188nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：12800pF@25V
连续漏极电流：300A
类型：N沟道
导通电阻：1.4mΩ@80A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"21+"：4739，"22+"：26828}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDBL9403-F085
工作温度：-55℃~175℃
功率：357W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：188nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：12000pF@25V
连续漏极电流：240A
类型：N沟道
导通电阻：0.9mΩ@80A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDBL86361-F085
工作温度：-55℃~175℃
功率：429W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：188nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：12800pF@25V
连续漏极电流：300A
类型：N沟道
导通电阻：1.4mΩ@80A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDBL9403-F085
工作温度：-55℃~175℃
功率：357W
阈值电压：4V@250µA
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包装方式：卷带（TR）
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连续漏极电流：240A
类型：N沟道
导通电阻：0.9mΩ@80A，10V
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包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDBL9403-F085
工作温度：-55℃~175℃
功率：357W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：188nC@10V
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类型：N沟道
导通电阻：0.9mΩ@80A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDBL9403-F085
工作温度：-55℃~175℃
功率：357W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：188nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：12000pF@25V
连续漏极电流：240A
类型：N沟道
导通电阻：0.9mΩ@80A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDBL0090N40
工作温度：-55℃~175℃
功率：357W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：188nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：12000pF@25V
连续漏极电流：240A
类型：N沟道
导通电阻：0.9mΩ@80A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"21+"：4739，"22+"：26828}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDBL9403-F085
工作温度：-55℃~175℃
功率：357W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：188nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：12000pF@25V
连续漏极电流：240A
类型：N沟道
导通电阻：0.9mΩ@80A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDBL0090N40
工作温度：-55℃~175℃
功率：357W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：188nC@10V
包装方式：卷带（TR）
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连续漏极电流：240A
类型：N沟道
导通电阻：0.9mΩ@80A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDBL0090N40
工作温度：-55℃~175℃
功率：357W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：188nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：12000pF@25V
连续漏极电流：240A
类型：N沟道
导通电阻：0.9mΩ@80A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDBL0090N40
工作温度：-55℃~175℃
功率：357W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：188nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：12000pF@25V
连续漏极电流：240A
类型：N沟道
导通电阻：0.9mΩ@80A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"21+"：1068}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDBL0090N40
工作温度：-55℃~175℃
功率：357W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：188nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：12000pF@25V
连续漏极电流：240A
类型：N沟道
导通电阻：0.9mΩ@80A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDBL0090N40
工作温度：-55℃~175℃
功率：357W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：188nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：12000pF@25V
连续漏极电流：240A
类型：N沟道
导通电阻：0.9mΩ@80A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDBL0090N40
工作温度：-55℃~175℃
功率：357W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：188nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：12000pF@25V
连续漏极电流：240A
类型：N沟道
导通电阻：0.9mΩ@80A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDBL86361-F085
工作温度：-55℃~175℃
功率：429W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：188nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：12800pF@25V
连续漏极电流：300A
类型：N沟道
导通电阻：1.4mΩ@80A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"21+"：4739，"22+"：26828}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDBL9403-F085
工作温度：-55℃~175℃
功率：357W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：188nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：12000pF@25V
连续漏极电流：240A
类型：N沟道
导通电阻：0.9mΩ@80A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDBL0090N40
工作温度：-55℃~175℃
功率：357W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：188nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：12000pF@25V
连续漏极电流：240A
类型：N沟道
导通电阻：0.9mΩ@80A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"21+"：4739，"22+"：26828}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDBL9403-F085
工作温度：-55℃~175℃
功率：357W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：188nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：12000pF@25V
连续漏极电流：240A
类型：N沟道
导通电阻：0.9mΩ@80A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDBL9403-F085
工作温度：-55℃~175℃
功率：357W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：188nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：12000pF@25V
连续漏极电流：240A
类型：N沟道
导通电阻：0.9mΩ@80A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDBL0150N80
工作温度：-55℃~175℃
功率：429W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：188nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：12800pF@25V
连续漏极电流：300A
类型：N沟道
导通电阻：1.4mΩ@80A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDBL0150N80
工作温度：-55℃~175℃
功率：429W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：188nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：12800pF@25V
连续漏极电流：300A
类型：N沟道
导通电阻：1.4mΩ@80A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDBL86361-F085
工作温度：-55℃~175℃
功率：429W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：188nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：12800pF@25V
连续漏极电流：300A
类型：N沟道
导通电阻：1.4mΩ@80A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDBL0150N80
栅极电荷：188nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：12800pF@25V
功率：429W
连续漏极电流：300A
类型：N沟道
漏源电压：80V
工作温度：-55℃~175℃
阈值电压：4V@250µA
导通电阻：1.4mΩ@80A，10V
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDBL9403-F085
栅极电荷：188nC@10V
包装方式：卷带（TR）
功率：357W
漏源电压：40V
类型：N沟道
工作温度：-55℃~175℃
输入电容：12000pF@25V
导通电阻：0.9mΩ@80A，10V
阈值电压：4V@250µA
连续漏极电流：240A
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
