品牌
    包装方式
    行业应用
    栅极电荷
    功率
    包装方式: Reel
    行业应用: 汽车
    栅极电荷: 29nC
    功率: 132W
    当前匹配商品:6
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    VISHAY Mosfet场效应管 SIHK125N60E-T1-GE3 起订1000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHK125N60E-T1-GE3 起订1000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):2000psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIHK125N60E-T1-GE3

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:132W

    阈值电压:5V

    栅极电荷:29nC

    包装方式:Reel

    连续漏极电流:21A

    类型:MOSFET

    导通电阻:125mΩ

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    4月15日前
    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHK125N60E-T1-GE3 起订1个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHK125N60E-T1-GE3 起订1个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):2000psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIHK125N60E-T1-GE3

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:132W

    阈值电压:5V

    栅极电荷:29nC

    包装方式:Reel

    连续漏极电流:21A

    类型:MOSFET

    导通电阻:125mΩ

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    4月15日前
    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHK125N60E-T1-GE3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHK125N60E-T1-GE3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):2000psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIHK125N60E-T1-GE3

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:132W

    阈值电压:5V

    栅极电荷:29nC

    包装方式:Reel

    连续漏极电流:21A

    类型:MOSFET

    导通电阻:125mΩ

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    4月15日前
    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHK125N60E-T1-GE3 起订500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHK125N60E-T1-GE3 起订500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):2000psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIHK125N60E-T1-GE3

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:132W

    阈值电压:5V

    栅极电荷:29nC

    包装方式:Reel

    连续漏极电流:21A

    类型:MOSFET

    导通电阻:125mΩ

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    4月15日前
    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHK125N60E-T1-GE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHK125N60E-T1-GE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):2000psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIHK125N60E-T1-GE3

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:132W

    阈值电压:5V

    栅极电荷:29nC

    包装方式:Reel

    连续漏极电流:21A

    类型:MOSFET

    导通电阻:125mΩ

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    3月31日前
    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHK125N60E-T1-GE3 起订500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHK125N60E-T1-GE3 起订500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):2000psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIHK125N60E-T1-GE3

    功率:132W

    包装方式:Reel

    连续漏极电流:21A

    工作温度:-55℃~+150℃

    阈值电压:5V

    漏源电压:600V

    导通电阻:125mΩ

    栅极电荷:29nC

    类型:MOSFET

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    3月17日前
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