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    包装方式: 卷带(TR)
    类型: N沟道
    行业应用: 汽车
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    INFINEON Mosfet场效应管 IPD60R2K1CEAUMA1 起订6个装
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    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPD60R2K1CEAUMA1

    工作温度:-40℃~150℃

    功率:38W

    阈值电压:3.5V@60µA

    栅极电荷:6.7nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:140pF@100V

    连续漏极电流:2.3A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.1Ω@760mA,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    3月31日前
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    INFINEON Mosfet场效应管 IPD70R900P7SAUMA1 起订6个装
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    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPD70R900P7SAUMA1

    工作温度:-40℃~150℃

    功率:30.5W

    阈值电压:3.5V@60µA

    栅极电荷:6.8nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:211pF@400V

    连续漏极电流:6A

    类型:N沟道

    导通电阻:900mΩ@1.1A,10V

    漏源电压:700V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    3月31日前
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    INFINEON Mosfet场效应管 IPD70R900P7SAUMA1 起订100个装
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    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPD70R900P7SAUMA1

    工作温度:-40℃~150℃

    功率:30.5W

    阈值电压:3.5V@60µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:6.8nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:211pF@400V

    连续漏极电流:6A

    类型:N沟道

    导通电阻:900mΩ@1.1A,10V

    漏源电压:700V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    3月31日前
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    onsemi Mosfet场效应管 NVTFS003N04CTAG 起订100个装
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    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVTFS003N04CTAG

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.2W€69W

    阈值电压:3.5V@60µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:23nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1600pF@25V

    连续漏极电流:22A€103A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.5mΩ@50A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    3月31日前
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    onsemi Mosfet场效应管 NVTFS003N04CTAG 起订10个装
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    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVTFS003N04CTAG

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.2W€69W

    阈值电压:3.5V@60µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:23nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1600pF@25V

    连续漏极电流:22A€103A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.5mΩ@50A,10V

    漏源电压:40V

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    INFINEON Mosfet场效应管 IPD70R900P7SAUMA1 起订100个装
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    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPD70R900P7SAUMA1

    工作温度:-40℃~150℃

    功率:30.5W

    阈值电压:3.5V@60µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:6.8nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:211pF@400V

    连续漏极电流:6A

    类型:N沟道

    导通电阻:900mΩ@1.1A,10V

    漏源电压:700V

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    库存:有货

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    INFINEON Mosfet场效应管 IPN60R2K1CEATMA1 起订100个装
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    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPN60R2K1CEATMA1

    工作温度:-40℃~150℃

    功率:5W

    阈值电压:3.5V@60µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:6.7nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:140pF@100V

    连续漏极电流:3.7A

    类型:N沟道

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    INFINEON Mosfet场效应管 IPN70R900P7SATMA1 起订100个装
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    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPN70R900P7SATMA1

    工作温度:-40℃~150℃

    功率:6.5W

    阈值电压:3.5V@60µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:6.8nC@10V

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    连续漏极电流:6A

    类型:N沟道

    导通电阻:900mΩ@1.1A,10V

    漏源电压:700V

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    INFINEON Mosfet场效应管 IPD70R900P7SAUMA1 起订1000个装
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    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPD70R900P7SAUMA1

    工作温度:-40℃~150℃

    功率:30.5W

    阈值电压:3.5V@60µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:6.8nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:211pF@400V

    连续漏极电流:6A

    类型:N沟道

    导通电阻:900mΩ@1.1A,10V

    漏源电压:700V

    包装清单:商品主体 * 1

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    INFINEON Mosfet场效应管 IPN60R2K1CEATMA1 起订500个装
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    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPN60R2K1CEATMA1

    工作温度:-40℃~150℃

    功率:5W

    阈值电压:3.5V@60µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:6.7nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:140pF@100V

    连续漏极电流:3.7A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.1Ω@800mA,10V

    漏源电压:600V

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    INFINEON Mosfet场效应管 IPN70R900P7SATMA1 起订1000个装
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    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPN70R900P7SATMA1

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    功率:6.5W

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    ECCN:EAR99

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    导通电阻:900mΩ@1.1A,10V

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    库存:有货

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    INFINEON Mosfet场效应管 IPN70R900P7SATMA1 起订10个装
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    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPN70R900P7SATMA1

    工作温度:-40℃~150℃

    功率:6.5W

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    ECCN:EAR99

    栅极电荷:6.8nC@10V

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    导通电阻:900mΩ@1.1A,10V

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    INFINEON Mosfet场效应管 IPD60R2K1CEAUMA1 起订7500个装
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    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPD60R2K1CEAUMA1

    工作温度:-40℃~150℃

    功率:38W

    阈值电压:3.5V@60µA

    栅极电荷:6.7nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:140pF@100V

    连续漏极电流:2.3A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.1Ω@760mA,10V

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    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

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    INFINEON Mosfet场效应管 IPD70R900P7SAUMA1 起订1000个装
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    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPD70R900P7SAUMA1

    工作温度:-40℃~150℃

    功率:30.5W

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    ECCN:EAR99

    栅极电荷:6.8nC@10V

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    输入电容:211pF@400V

    连续漏极电流:6A

    类型:N沟道

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    包装清单:商品主体 * 1

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    onsemi Mosfet场效应管 NVTFS003N04CTAG 起订100个装
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    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVTFS003N04CTAG

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.2W€69W

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    ECCN:EAR99

    栅极电荷:23nC@10V

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    包装清单:商品主体 * 1

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    INFINEON Mosfet场效应管 IPD70R900P7SAUMA1 起订1000个装
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    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPD70R900P7SAUMA1

    工作温度:-40℃~150℃

    功率:30.5W

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    INFINEON Mosfet场效应管 IPN70R900P7SATMA1 起订100个装
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    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPN70R900P7SATMA1

    工作温度:-40℃~150℃

    功率:6.5W

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    ECCN:EAR99

    栅极电荷:6.8nC@10V

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    输入电容:211pF@400V

    连续漏极电流:6A

    类型:N沟道

    导通电阻:900mΩ@1.1A,10V

    漏源电压:700V

    包装清单:商品主体 * 1

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    onsemi Mosfet场效应管 NVTFS003N04CTAG 起订10个装
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    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVTFS003N04CTAG

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.2W€69W

    阈值电压:3.5V@60µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:23nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1600pF@25V

    连续漏极电流:22A€103A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.5mΩ@50A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

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    INFINEON Mosfet场效应管 IPD60R2K1CEAUMA1 起订100个装
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    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPD60R2K1CEAUMA1

    工作温度:-40℃~150℃

    功率:38W

    阈值电压:3.5V@60µA

    栅极电荷:6.7nC@10V

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    输入电容:140pF@100V

    连续漏极电流:2.3A

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    包装清单:商品主体 * 1

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    INFINEON Mosfet场效应管 IPD60R2K1CEAUMA1 起订1000个装
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    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPD60R2K1CEAUMA1

    工作温度:-40℃~150℃

    功率:38W

    阈值电压:3.5V@60µA

    栅极电荷:6.7nC@10V

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    输入电容:140pF@100V

    连续漏极电流:2.3A

    类型:N沟道

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    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

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    INFINEON Mosfet场效应管 IPN60R2K1CEATMA1 起订1000个装
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    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPN60R2K1CEATMA1

    工作温度:-40℃~150℃

    功率:5W

    阈值电压:3.5V@60µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:6.7nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:140pF@100V

    连续漏极电流:3.7A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.1Ω@800mA,10V

    漏源电压:600V

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    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPN70R900P7SATMA1

    工作温度:-40℃~150℃

    功率:6.5W

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    栅极电荷:6.8nC@10V

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    输入电容:211pF@400V

    连续漏极电流:6A

    类型:N沟道

    导通电阻:900mΩ@1.1A,10V

    漏源电压:700V

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    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPD60R2K1CEAUMA1

    工作温度:-40℃~150℃

    功率:38W

    阈值电压:3.5V@60µA

    栅极电荷:6.7nC@10V

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    输入电容:140pF@100V

    连续漏极电流:2.3A

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    导通电阻:2.1Ω@760mA,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

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    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPN60R2K1CEATMA1

    工作温度:-40℃~150℃

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    输入电容:140pF@100V

    连续漏极电流:3.7A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.1Ω@800mA,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    4月15日前
    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NVTFS003N04CTAG 起订30个装
    onsemi Mosfet场效应管 NVTFS003N04CTAG 起订30个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVTFS003N04CTAG

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.2W€69W

    阈值电压:3.5V@60µA

    栅极电荷:23nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1600pF@25V

    连续漏极电流:22A€103A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.5mΩ@50A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    3月31日前
    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NVTFS003N04CTAG 起订2个装
    onsemi Mosfet场效应管 NVTFS003N04CTAG 起订2个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVTFS003N04CTAG

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.2W€69W

    阈值电压:3.5V@60µA

    栅极电荷:23nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1600pF@25V

    连续漏极电流:22A€103A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.5mΩ@50A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    3月31日前
    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD60R2K1CEAUMA1 起订4个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD60R2K1CEAUMA1 起订4个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPD60R2K1CEAUMA1

    工作温度:-40℃~150℃

    功率:38W

    阈值电压:3.5V@60µA

    栅极电荷:6.7nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:140pF@100V

    连续漏极电流:2.3A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.1Ω@760mA,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    3月31日前
    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD60R2K1CEAUMA1 起订4个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD60R2K1CEAUMA1 起订4个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPD60R2K1CEAUMA1

    工作温度:-40℃~150℃

    功率:38W

    阈值电压:3.5V@60µA

    栅极电荷:6.7nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:140pF@100V

    连续漏极电流:2.3A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.1Ω@760mA,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    3月31日前
    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NVMYS3D5N04CTWG 起订645个装
    onsemi Mosfet场效应管 NVMYS3D5N04CTWG 起订645个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{}

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVMYS3D5N04CTWG

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.6W€68W

    阈值电压:3.5V@60µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:23nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1600pF@25V

    连续漏极电流:24A€102A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.3mΩ@50A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    3月31日前
    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPL60R2K1C6SATMA1 起订1106个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPL60R2K1C6SATMA1 起订1106个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"14+":2219,"16+":25000,"17+":5000,"18+":141342,"MI+":5000}

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPL60R2K1C6SATMA1

    工作温度:-40℃~150℃

    功率:21.6W

    阈值电压:3.5V@60µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:6.7nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:140pF@100V

    连续漏极电流:2.3A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.1Ω@760mA,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    3月31日前
    - +
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