品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR632DP-T1-RE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：69.5W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：17nC@7.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：740pF@75V
连续漏极电流：29A
类型：N沟道
导通电阻：34.5mΩ@10A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR632DP-T1-RE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：69.5W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：17nC@7.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：740pF@75V
连续漏极电流：29A
类型：N沟道
导通电阻：34.5mΩ@10A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR632DP-T1-RE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：69.5W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：17nC@7.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：740pF@75V
连续漏极电流：29A
类型：N沟道
导通电阻：34.5mΩ@10A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR632DP-T1-RE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：69.5W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：17nC@7.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：740pF@75V
连续漏极电流：29A
类型：N沟道
导通电阻：34.5mΩ@10A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SIR632DP-T1-RE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：69.5W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：17nC@7.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：740pF@75V
连续漏极电流：29A
类型：N沟道
导通电阻：34.5mΩ@10A，10V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SIR632DP-T1-RE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：69.5W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：17nC@7.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：740pF@75V
连续漏极电流：29A
类型：N沟道
导通电阻：34.5mΩ@10A，10V
漏源电压：150V
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR632DP-T1-RE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：69.5W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：17nC@7.5V
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输入电容：740pF@75V
连续漏极电流：29A
类型：N沟道
导通电阻：34.5mΩ@10A，10V
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品牌：VISHAY
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SIR632DP-T1-RE3
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功率：69.5W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
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输入电容：740pF@75V
连续漏极电流：29A
类型：N沟道
导通电阻：34.5mΩ@10A，10V
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规格型号(MPN)：SIR632DP-T1-RE3
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功率：69.5W
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ECCN：EAR99
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导通电阻：34.5mΩ@10A，10V
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规格型号(MPN)：SIR632DP-T1-RE3
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功率：69.5W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：17nC@7.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：740pF@75V
连续漏极电流：29A
类型：N沟道
导通电阻：34.5mΩ@10A，10V
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规格型号(MPN)：SIR632DP-T1-RE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：69.5W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
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连续漏极电流：29A
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品牌：VISHAY
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行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR632DP-T1-RE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：69.5W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：17nC@7.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：740pF@75V
连续漏极电流：29A
类型：N沟道
导通电阻：34.5mΩ@10A，10V
漏源电压：150V
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
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销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR632DP-T1-RE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：69.5W
阈值电压：4V@250µA
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连续漏极电流：29A
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR632DP-T1-RE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：69.5W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：17nC@7.5V
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输入电容：740pF@75V
连续漏极电流：29A
类型：N沟道
导通电阻：34.5mΩ@10A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR632DP-T1-RE3
工作温度：-55℃~150℃
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阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：17nC@7.5V
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连续漏极电流：29A
类型：N沟道
导通电阻：34.5mΩ@10A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR632DP-T1-RE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：69.5W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：17nC@7.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：740pF@75V
连续漏极电流：29A
类型：N沟道
导通电阻：34.5mΩ@10A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR632DP-T1-RE3
栅极电荷：17nC@7.5V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：29A
工作温度：-55℃~150℃
类型：N沟道
功率：69.5W
漏源电压：150V
导通电阻：34.5mΩ@10A，10V
阈值电压：4V@250µA
输入电容：740pF@75V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR632DP-T1-RE3
栅极电荷：17nC@7.5V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：29A
工作温度：-55℃~150℃
类型：N沟道
功率：69.5W
漏源电压：150V
导通电阻：34.5mΩ@10A，10V
阈值电压：4V@250µA
输入电容：740pF@75V
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行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR632DP-T1-RE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：69.5W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：17nC@7.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：740pF@75V
连续漏极电流：29A
类型：N沟道
导通电阻：34.5mΩ@10A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR632DP-T1-RE3
栅极电荷：17nC@7.5V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：29A
工作温度：-55℃~150℃
类型：N沟道
功率：69.5W
漏源电压：150V
导通电阻：34.5mΩ@10A，10V
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
输入电容：740pF@75V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR632DP-T1-RE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：69.5W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：17nC@7.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：740pF@75V
连续漏极电流：29A
类型：N沟道
导通电阻：34.5mΩ@10A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR632DP-T1-RE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：69.5W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：17nC@7.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：740pF@75V
连续漏极电流：29A
类型：N沟道
导通电阻：34.5mΩ@10A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
