品牌
    集射极击穿电压(Vceo)
    40V
    功率
    40W
    直流增益(hFE@Ic,Vce)
    集射极击穿电压(Vceo): 40V
    功率: 40W
    直流增益(hFE@Ic,Vce): 750@3V,2A
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    onsemi 达林顿管 2N6034G 起订数1000个
    onsemi 达林顿管 2N6034G 起订数1000个

    品牌:ON SEMI

    分类:达林顿管

    销售单位:

    集射极击穿电压(Vceo):40V

    集电极电流(Ic):4A

    功率:40W

    集电集截止电流(Icbo):100μA

    工作温度:-65℃~+150℃

    集电极-发射极饱和电压(VCE(sat):3V@4A,40mA

    晶体管类型:PNP

    直流增益(hFE@Ic,Vce):750@3V,2A

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    3月31日前
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