品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMG2305UX-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.4W
阈值电压:900mV@250µA
栅极电荷:10.2nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:808pF@15V
连续漏极电流:4.2A
类型:P沟道
导通电阻:52mΩ@4.2A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP2021UFDF-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:730mW
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:59nC@8V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2760pF@15V
连续漏极电流:9A
类型:P沟道
导通电阻:16mΩ@7A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN2040LTS-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:890mW
阈值电压:1.2V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:570pF@10V
连续漏极电流:6.7A
类型:2N沟道(双)共漏
导通电阻:26mΩ@6A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN2400UFB-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:470mW
阈值电压:900mV@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:0.5nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:36pF@16V
连续漏极电流:750mA
类型:N沟道
导通电阻:550mΩ@600mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP2104V-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:850mW
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:320pF@16V
连续漏极电流:2.1A
类型:P沟道
导通电阻:150mΩ@950mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMG3415UQ-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:900mW
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:9.1nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:294pF@10V
连续漏极电流:4A
类型:P沟道
导通电阻:42.5mΩ@4A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN2015UFDF-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.8W
阈值电压:1.2V@250µA
栅极电荷:42.3nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1439pF@10V
连续漏极电流:15.2A
类型:N沟道
导通电阻:9mΩ@8.5A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMC2053UVT-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:700mW
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:369pF@10V€440pF@10V
连续漏极电流:4.6A€3.2A
类型:N和P沟道互补型
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMG6898LSDQ-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.28W
阈值电压:1.5V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1149pF@10V
连续漏极电流:9.5A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:16mΩ@9.4A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP2066LSS-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W
阈值电压:1.2V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:820pF@15V
连续漏极电流:6.5A
类型:P沟道
导通电阻:40mΩ@5.8A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP2035UTS-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:890mW
阈值电压:1V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1610pF@10V
连续漏极电流:6.04A
类型:2P沟道(双)共漏
导通电阻:35mΩ@4A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP2010UFV-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W
阈值电压:1.2V@250µA
栅极电荷:103nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3350pF@10V
连续漏极电流:50A
类型:P沟道
导通电阻:9.5mΩ@3.6A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMG1024UV-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:530mW
阈值电压:1V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:60.67pF@16V
连续漏极电流:1.38A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:450mΩ@600mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZXMN2B14FHTA
工作温度:-55℃~150℃
功率:1W
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:11nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:872pF@10V
连续漏极电流:3.5A
类型:N沟道
导通电阻:55mΩ@3.5A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZXM61P02F
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN2009USS-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.4W
阈值电压:1.2V@250µA
栅极电荷:34nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1706pF@10V
连续漏极电流:12.1A
类型:N沟道
导通电阻:8mΩ@12A,10V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN2400UFB-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:470mW
阈值电压:900mV@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:0.5nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:36pF@16V
连续漏极电流:750mA
类型:N沟道
导通电阻:550mΩ@600mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN2005DLP4K-7
工作温度:-65℃~150℃
功率:400mW
阈值电压:900mV@100µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:300mA
类型:2N沟道(双)
导通电阻:1.5Ω@10mA,4V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN2710UW-7
包装方式:卷带(TR)
输入电容:42pF@16V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMG2302UQ-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:800mW
阈值电压:1V@50µA
栅极电荷:7nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:594.3pF@10V
连续漏极电流:4.2A
类型:N沟道
导通电阻:90mΩ@3.6A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMG8601UFG-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:920mW
阈值电压:1.05V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:143pF@10V
连续漏极电流:6.1A
类型:2N沟道(双)共漏
导通电阻:23mΩ@6.5A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP2900UVQ-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:500mW
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:49pF@16V
连续漏极电流:850mA
类型:2个P沟道(双)
导通电阻:750mΩ@430mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN2022UFDF-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:660mW
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:18nC@8V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:907pF@10V
连续漏极电流:7.9A
类型:N沟道
导通电阻:22mΩ@4A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMS2085LSD-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.1W
阈值电压:2.2V@250µA
栅极电荷:7.8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:353pF@15V
连续漏极电流:3.3A
类型:P沟道
导通电阻:85mΩ@3.05A,10V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMC2450UV-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:450mW
阈值电压:900mV@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:37.1pF@10V
连续漏极电流:1.03A€700mA
类型:N和P沟道
导通电阻:480mΩ@200mA,5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN2041L-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:780mW
阈值电压:1.2V@250µA
栅极电荷:15.6nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:550pF@10V
连续漏极电流:6.4A
类型:N沟道
导通电阻:28mΩ@6A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZXM61P02FTA
工作温度:-55℃~150℃
功率:625mW
阈值电压:1.5V@250µA
栅极电荷:3.5nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:150pF@15V
连续漏极电流:900mA
类型:P沟道
导通电阻:600mΩ@610mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP22D4UFA-7B
工作温度:-55℃~150℃
功率:400mW
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:0.4nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:28.7pF@15V
连续漏极电流:330mA
类型:P沟道
导通电阻:1.9Ω@100mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMG2302UK-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:660mW
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:2.8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:130pF@10V
连续漏极电流:2.8A
类型:N沟道
导通电阻:90mΩ@3.6A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMG1012T-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:280mW
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:0.74nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:60.67pF@16V
连续漏极电流:630mA
类型:N沟道
导通电阻:400mΩ@600mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存: