品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：MSC360SMA120B
工作温度：-55℃~175℃
功率：78W
阈值电压：3.14V@500µA
栅极电荷：21nC@20V
包装方式：管件
输入电容：255pF@1000V
连续漏极电流：11A
类型：N沟道
导通电阻：450mΩ@5A，20V
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
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规格型号(MPN)：MSC360SMA120B
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功率：78W
阈值电压：3.14V@500µA
栅极电荷：21nC@20V
包装方式：管件
输入电容：255pF@1000V
连续漏极电流：11A
类型：N沟道
导通电阻：450mΩ@5A，20V
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
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阈值电压：3.14V@500µA
栅极电荷：21nC@20V
包装方式：管件
输入电容：255pF@1000V
连续漏极电流：11A
类型：N沟道
导通电阻：450mΩ@5A，20V
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
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阈值电压：3.14V@500µA
栅极电荷：21nC@20V
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连续漏极电流：11A
类型：N沟道
导通电阻：450mΩ@5A，20V
漏源电压：1200V
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栅极电荷：21nC@20V
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连续漏极电流：11A
类型：N沟道
导通电阻：450mΩ@5A，20V
漏源电压：1200V
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功率：78W
阈值电压：3.14V@500µA
栅极电荷：21nC@20V
包装方式：管件
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连续漏极电流：11A
类型：N沟道
导通电阻：450mΩ@5A，20V
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
