品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM018NA03CR RLG
工作温度：-55℃~150℃
功率：104W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：56nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3479pF@15V
连续漏极电流：185A
类型：N沟道
导通电阻：1.8mΩ@29A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM018NA03CR RLG
工作温度：-55℃~150℃
功率：104W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：56nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3479pF@15V
连续漏极电流：185A
类型：N沟道
导通电阻：1.8mΩ@29A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM018NA03CR RLG
工作温度：-55℃~150℃
功率：104W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：56nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3479pF@15V
连续漏极电流：185A
类型：N沟道
导通电阻：1.8mΩ@29A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
